Ge üzerine büyütülen GaAs yapısının X-ışını kırınımı yöntemi ile incelenmesi
Study of GaAs structure grown on Ge substrate wth X-rat diffraction
- Tez No: 363969
- Danışmanlar: PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2014
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 59
Özet
Cumhuriyet Üniversitesi Nanofotonik merkezinde yürütülmekte olan DPT (Kalkınma Bakanlığı) projesi kapsamında alınan döner anotlu x-ışını karakterizasyon cihazı ile yine merkezimizde bulunan epitaksiyel tek kristal büyütme sistemlerinden MOCVD ile kristal büyütme ve analiz etme çalışmaları 2006 yılından beri devam etmektedir. X-ışınları ile uygulamalı Ar-Ge çalışmaları bu konuda çalışan mühendis ve uzmanlar arasında kullanılan yaygın bir tekniktir. Özellikle nano-yapıların epitaksiyel olarak büyütülmelerinin ardından yüksek verimle çalışması için yapısal özelliklerinin bilinmesi elzemdir. Bu merkezde çalışılan nano yapılardanbirisi deIII. Nesil güneş pillerinden tandem güneş pilleridir. Bu güneş pillerinin gelişimine katkı sağlanması ve bu konuda gerekli tecrübenin elde edilmesi için XRD ile karakterizasyon önemli adımlardan biridir. Merkezde Tübitak 1001 (TBAG 109T726) projesi kapsamında yapılan araştırmalardan Ge üzerine yapılan üç eklemli güneş pili yapısının ilk eklemini oluşturacak olan Ge üzerine GaAs yapısınınözellikleri yüksek çözünürlüklü x-ışını kırınımı yöntemiyle bu tez kapsamında araştırılmıştır.
Özet (Çeviri)
There has been an ongoing research efforts on epitaxial crystal growth and structural characterization of grown samples with MOCVD and high resolution xrd system which bought with DPT grant in 2006,at Cumhuriyet University Nanophotonics Research Centre. XRD studies are a common technique that are utilized frequently by researches work is similar studies. Especially for epitaxially grown layers to manufacture nano-devices structural properties are very important for their efficiencies. One of the project that is funded by TUBİTAK 1001 (TBAG 109T726) deals with III. Generation solar cells (tandem solar cells). In this thesis structural properties of the first part of three junction tandem solar cell that is GaAs on Ge substrate have been studied by high resolution xrd scattering.
Benzer Tezler
- III-V grubu güneş hücre yapılarının epitaksiyel büyütülmesi ve karakterizasyonu
Epitaxial growth and characterization of III-V group solar cell structures
BARIŞ KINACI
Doktora
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- III-V grubu uzay kalifiye güneş hücrelerinin geliştirilmesi
Development of III-V group space qualified solar cells
TUNÇ SERTEL
Doktora
Türkçe
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- III-V grubu güneş hücresi geliştirilmesi ve prototip yoğunlaştırıcılı fotovoltaik modül üretimi
Development of III-V group solar cells and production of concentrators photovoltaic modules ptototype
YUNUS ÖZEN
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Ge alttaş üzerine büyütülen GaAs yapılarının Hall ölçüm sistemi ile elektriksel karakterizasyonu
Electrical characterization of GaAs structures grown on Ge substrates by Hall measurement system
BARIŞ BULUT
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ
- Characterization of molecular beam epitaxially grown CDTE layers over gaas by spectroscopic ellipsometry
Moleküler demet epitaksi ile gaas üzerine büyütülen CDTE katmanlarının spektroskopik elipsometri ile karakterizasyonu
MERVE GÜNNAR
Yüksek Lisans
İngilizce
2014
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. YUSUF SELAMET