GaInNAs/GaAs kuantum kuyularında hidrojenik düzeyler arasında kızılötesi geçişler
Infrared transitions between hydrogeni̇c states in GaInNAs/GaAs quantum wells
- Tez No: 363970
- Danışmanlar: PROF. DR. HÜSEYİN SARI
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2014
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 69
Özet
Bu çalışmada, ilk olarak yarıiletkenler, heteroyapılar ve seyreltik III-N-V yarıiletkenler ile ilgili genel bilgiler verilmiştir. Daha sonra, seyreltik III-N-V yarıiletken kuantum kuyularının iletim bant yapısının bant anti-crossing modeli ile nasıl çözüleceği üzerinde durulmuştur. Bu model ile GaInNAs/GaAs tek kuantum kuyusunun iletim bant yapısı üzerine azot ve indiyum konsantrasyonlarının etkisi hesaplanarak GaInNAs/GaAs kuantum kuyusunun potansiyel profilleri ve alt-bant yapısı üzerine azot ve indiyum konsantrasyonlarının etkisi incelenmiştir. GaInNAs/GaAs kuantum kuyusunda 1s, 2s, 2p0 ve 2p± donor safsızlık enerji düzeyleri üzerine azot ve indiyum konsantrasyonlarının etkisi safsızlık atomunun konumu ve kuyu genişliğinin bir fonksiyonu olarak etkin kütle yaklaşımı çerçevesinde varyasyonel yöntemle incelenmiştir.
Özet (Çeviri)
In this study, firstly general informations about semiconductors, heterostructures and dilute III-N-V semiconductors were given. Then, we were focused on how to resolve the conduction band structure of dilute III-N-V semiconductor quantum wells with the band anti-crossing model. The effects of nitrogen and indium concentrations on the conduction band structure of a single GaInNAs/GaAs quantum well were calculated by using this model, and the effects of nitrogen and indium concentrations on the potential profile, and the subband structures of a single GaInNAs/GaAs quantum well were examined. Within the framework of effective-mass approximation, using a variational method, the effect of nitrogen and indium concentration on the 1s, 2s, 2p0 and 2p±-like donor impurity energy states in a single GaInNAs/GaAs quantum well are investigated as a function of the donor position and the well width.
Benzer Tezler
- GaInNAs/GaAs kuantum kuyularında ekzitonik yapının yoğun lazer alanı altındaki davranışı
The features of the excitonic structure in GaInNAs/GaAs quantum wells under the intense laser field
ÜNAL YEŞİLGÜL
Doktora
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiKatıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HÜSEYİN SARI
- Yoğun lazer alanı altında GaInNAs/GaAs kuantum kuyularındaki donor safsızlık atomlarının bağlanma enerjileri
The binding energies of donor impurities in GaInNAs/GaAs quantum wells under the intense laser field
FATİH UNGAN
Doktora
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiKatıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ESİN KASAPOĞLU
- Band-offset ratio calculations of nitrogen containing III-V quantum wells
Nitrojen içeren III-V kuantum kuyularının bant-derinlik oranının hesaplanması
FATMA KOÇAK
Yüksek Lisans
İngilizce
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BEŞİRE GÖNÜL
- Üçlü GaAlAs/GaAs ve Gainas/GaAs nano yapıların elektronik özellikleri
Electronic properties of triple GaAlAs/GaAs and Gainas/GaAs nano structures
OZAN ÖZTÜRK
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSivas Cumhuriyet ÜniversitesiNanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ
- Modülasyon katkılı GaInNAs/gaas kuantum kuyusu yapıların optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmes
Investigation of optical and electrical properties of modulation doped gainnas/GaAs quantum well structures
FAHRETTİN SARCAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AYŞE EROL