GaInNAs/GaAs kuantum kuyularında hidrojenik düzeyler arasında kızılötesi geçişler
Infrared transitions between hydrogeni̇c states in GaInNAs/GaAs quantum wells
- Tez No: 363970
- Danışmanlar: PROF. DR. HÜSEYİN SARI
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2014
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 69
Özet
Bu çalışmada, ilk olarak yarıiletkenler, heteroyapılar ve seyreltik III-N-V yarıiletkenler ile ilgili genel bilgiler verilmiştir. Daha sonra, seyreltik III-N-V yarıiletken kuantum kuyularının iletim bant yapısının bant anti-crossing modeli ile nasıl çözüleceği üzerinde durulmuştur. Bu model ile GaInNAs/GaAs tek kuantum kuyusunun iletim bant yapısı üzerine azot ve indiyum konsantrasyonlarının etkisi hesaplanarak GaInNAs/GaAs kuantum kuyusunun potansiyel profilleri ve alt-bant yapısı üzerine azot ve indiyum konsantrasyonlarının etkisi incelenmiştir. GaInNAs/GaAs kuantum kuyusunda 1s, 2s, 2p0 ve 2p± donor safsızlık enerji düzeyleri üzerine azot ve indiyum konsantrasyonlarının etkisi safsızlık atomunun konumu ve kuyu genişliğinin bir fonksiyonu olarak etkin kütle yaklaşımı çerçevesinde varyasyonel yöntemle incelenmiştir.
Özet (Çeviri)
In this study, firstly general informations about semiconductors, heterostructures and dilute III-N-V semiconductors were given. Then, we were focused on how to resolve the conduction band structure of dilute III-N-V semiconductor quantum wells with the band anti-crossing model. The effects of nitrogen and indium concentrations on the conduction band structure of a single GaInNAs/GaAs quantum well were calculated by using this model, and the effects of nitrogen and indium concentrations on the potential profile, and the subband structures of a single GaInNAs/GaAs quantum well were examined. Within the framework of effective-mass approximation, using a variational method, the effect of nitrogen and indium concentration on the 1s, 2s, 2p0 and 2p±-like donor impurity energy states in a single GaInNAs/GaAs quantum well are investigated as a function of the donor position and the well width.
Benzer Tezler
- Laplace derin seviye geçiş spektroskopisi (LDLTS) yöntemi ile kusur karakterizasyonu
Defect characterization using laplace deep level transient spectroscopy (LDLTS) technique
ÖMER GÖKSEL ERBAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YAŞAR GÜRKAN ÇELEBİ
- Effect of nitrogen incorporation into GaInAs/GaAs grown on (111) substrates
(111) yönünde büyütülmüş GaInAs/GaAs sisteminde azot katkılamanın etkileri
MEHMET KAYA
Yüksek Lisans
İngilizce
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BEŞİRE GÖNÜL
- Azot içeren düşük boyutlu yarıiletkenlerde foto olayların incelenmesi
An investigation of the photo effects in nitrogen containing low dimensional semiconductor
NAMIK AKÇAY
Yüksek Lisans
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NURTEN ÖNCAN
- A theoretical analysis of GaInNAs/GaAs quantum vells for long wavelength emission
GaInNAs/GaAs uzun dalgaboylu kuantum kuyu lazerlerin teorik olarak incelemmesi
MURAT ODUNCUOĞLU
Doktora
İngilizce
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. BEŞİRE GÖNÜL