Ge alttaş üzerine büyütülen GaAs yapılarının Hall ölçüm sistemi ile elektriksel karakterizasyonu
Electrical characterization of GaAs structures grown on Ge substrates by Hall measurement system
- Tez No: 387522
- Danışmanlar: PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2015
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 100
Özet
Güneş enerjisini, yarıiletken malzemeler yardımıyla elektrik enerjisine dönüştürebilmemiz fotovoltaik hücre (Photovoltaik cells) olarak isimlendirilen devre elemanları ile mümkündür. Bu dönüşüm için kullanılan güneş pilleri yoğun madde fiziğinin pratik uygulamalarından birisidir. Yapılan çalışmalarda farklı enerji aralıklarına sahip malzemelerin üst üste epitaksiyel olarak büyütülmesi sonucunda oluşan güneş pillerinin (Tandem veya Multi-junction Solar Cells) daha verimli olduğu ortaya çıkmıştır. Farklı kombinasyonlarda üretilen tandem güneş hücrelerinin önemli bir kombinasyonu Ge üzerine (In)GaAs ve GaInP büyütülerek elde edilen fotovoltatik hücrelerdir. MOCVD büyütme tekniği ile Ge/(In)GaAs/GaInP tandem fotovoltaik hücrelerin ilk eklemini oluşturacak olan Ge alttaşda p-n eklemi elde etme çalışmaları belirli sıcaklıklarda difüzyon ile yapılabilir. Bu tez kapsamında, n-tipi Ge alttaş üzerine GaAs yapısı büyütülerek (Ga ve As atomlarının difüzyon hızlarının farklılığından yararlanarak) Ge p-n eklemi elde etme çalışmaları yapıldı. Bu çalışmalarda büyütme parametreleri (büyütme sıcaklığı, büyütme basıncı, akış oranları) değiştirilerek ideal bir p-n eklemi elde edilmeye çalışılmıştır. Eklemin karakteristiğini görmek amacıyla Hall sisteminin akım-voltaj (I-V) ölçüm özelliğinden yararlanılmıştır.
Özet (Çeviri)
It is possible to obtain electric energy from the solar energy with the circuit elements called photovoltaic by semiconductors. The solar cell used for transformation is one of the practical applications of the solid state physics. In this studies, solar cells (tandem or multi-junction solar cells) formed as a result of epitaxial growth materials with different band gaps appeared to be more efficient. The solar cell is called III. generation tandem solar cell. One of the major structures of the tandem solar cells are photovoltaic cell obtain (In)GaAs and GaInP grown on Ge. p-n junction in Ge substrate which is first junction of Ge/(In)GaAs/GaInP tandem photovoltaic cell can be obtained the structures grown on Ge substrate at certain temperature by MOCVD. The underlying reason is a result of the diffusion into the Ge substrate. In this thesis, GaAs structure are grown on n-type Ge substrate to obtain Ge p-n junction. In this study, growth parameters such as growth temperature, growth pressure, flow rates etc. were changed to achieve an ideal pn junction. I-V measurement properties of Hall system were utilized to observe the characteristics of junctions.
Benzer Tezler
- III-V grubu güneş hücre yapılarının epitaksiyel büyütülmesi ve karakterizasyonu
Epitaxial growth and characterization of III-V group solar cell structures
BARIŞ KINACI
Doktora
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Çinko-oksit (ZnO) ince filmlerin sentezlenmesi ve fotovoltaik özelliklerinin incelenmesi
Synthesis and investigation of photovoltaic properties of zinc-oxide thin films
AHMET MUHAMMED AKBAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
EnerjiHacettepe ÜniversitesiNanoteknoloji ve Nanotıp Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ABDULLAH CEYLAN
- Fotovoltaik uygulamalar için germanyum güneş pillerinin ve germanyum ince filmlerin üretilmesi ve karakterizasyonu
Production and characterization of germanium solar cells and germanium thin films for photovoltaic applications
İSMAİL KABAÇELİK
Doktora
Türkçe
2015
EnerjiAkdeniz ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NURİ ÜNAL
PROF. DR. RAŞİT TURAN
- Efficiency studies of Cu2ZnSnS4 thin film solar cell
Cu2ZnSnS4 ince film güneş hücrelerinin verim çalışmaları
ECE MERİÇ
Yüksek Lisans
İngilizce
2018
Enerjiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüEnerji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. LÜTFİ ÖZYÜZER
DR. ÖĞR. ÜYESİ GÜRCAN ARAL
- GaInAs yapılarının XRD ile karakterizasyonu
An investigation of GaInAs structure by XRD method
ALİYE ALEV KIZILBULUT
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ