Geri Dön

Orta-kızılötesi dalgaboyunda çalışan InAs/GaSb süperörgü fotodiyotların opto-elektronik karakterizasyonu

Opto-electronic characterization of InAs/GaSb superlattice photodiodes operating in the mid-wavelength infrared

  1. Tez No: 367777
  2. Yazar: MELİH KORKMAZ
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. BÜLENT ASLAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2014
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Anadolu Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 93

Özet

Bu çalışmada, orta-kızılötesi bölgesinde çalışan InAs/GaSb süperörgü fotodiyotların opto-elektronik karakterizasyonları yapılmıştır. Hall etkisi ölçümleriyle InAs ve GaSb malzemeleri için katkı kalibrasyonları tamamlanmış; ayrıca, katkısız süperörgü yapıdaki taşıyıcı tipinin sıcaklığa bağlı olarak değişimi incelenmiştir. Katman kalınlıklarının sistematik olarak değiştirildiği süperörgü yapılardaki kesim dalga boyu değişimi ve enerji seviyeleri arasındaki geçişler tayfsal fototepki ve soğurma ölçümleri yapılarak incelenmiştir. Sıcaklık bağımlı optik ölçümlerle, bant kenarının değişimi ve yapıların yüksek sıcaklıklarda çalışma potansiyelleri araştırılmıştır. Fotodiyotların tepkisellik ölçümleri yapılarak, fotoakım yaratma yetenekleri incelenmiş ve kuantum verimleri hesaplanmıştır. Sıcaklık bağımlı karanlık akım ölçümleri, yaratma-yeniden birleşme (G-R) ve yüzey kaçak akımlarının farklı sıcaklıklarda baskın mekanizma olduğunu göstermiştir.

Özet (Çeviri)

In this thesis, opto-electronic characterization of InAs/GaSb superlattice photodiodes operating in mid-infrared region have been studied. Doping calibration for InAs and GaSb materials have been completed by using Hall effect measurements. The change in the carrier type as a function of temperature in unintentionally doped superlattices has been investigated as well by using the same technique. The change in the cut-off wavelength and the transitions between the energy levels have been investigated by using the spectral photoresponse and absorption measurements for the superlattice structures where the individual layer thicknesses were systematically changed. The band edge tuning and their ability for high temperature operation have been examined by temperature dependent optical measurements. Photo-current generation in the photodiodes have also been investigated by responsivity measurements and their quantum efficiencies were calculated. Temperature dependent dark current measurements showed that the generation-recombination (G-R) and surface leakage currents are dominant mechanisms at different temperature regions.

Benzer Tezler

  1. N yapılı InAs/AlSb/GaSb kızılötesi süperörgü dedektörlerin test piksel ve odak düzlem dizin fabrikasyonu ve karakterizasyonu

    Test pixel and focal plane array fabrication and characterization of N-structure InAs/AlSb/GaSb infrared superlattice detectors

    SEVAL ŞAHİN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN

  2. Lamellar grating interferometer based MEMS Fourier transform infrared spectrometer

    Kırınım ızgaralı girişim ölçer temelli MEMS Fourier dönüşümü kızılötesi spektrometre

    NADİRE PELİN AYERDEN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2012

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKoç Üniversitesi

    Elektrik ve Bilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HAKAN ÜREY

  3. SWIR objective design using Seidel aberration theory

    Seidel bozulum teorisi kullanılarak SWIR objektif tasarımı

    SERHAT HASAN ASLAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SİNAN KAAN YERLİ

    YRD. DOÇ. DR. ONUR KESKİN

  4. Optimization, fabrication, and characterization of dual-band InGaAs NBN photodetectors

    Çift bantlı InGaAs NBN fotoalgılayıcıların optimizasyonu, üretimi ve karakterizasyonu

    ALPER ŞAHİN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SERDAR KOCAMAN