Orta-kızılötesi dalgaboyunda çalışan InAs/GaSb süperörgü fotodiyotların opto-elektronik karakterizasyonu
Opto-electronic characterization of InAs/GaSb superlattice photodiodes operating in the mid-wavelength infrared
- Tez No: 367777
- Danışmanlar: DOÇ. DR. BÜLENT ASLAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2014
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Anadolu Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 93
Özet
Bu çalışmada, orta-kızılötesi bölgesinde çalışan InAs/GaSb süperörgü fotodiyotların opto-elektronik karakterizasyonları yapılmıştır. Hall etkisi ölçümleriyle InAs ve GaSb malzemeleri için katkı kalibrasyonları tamamlanmış; ayrıca, katkısız süperörgü yapıdaki taşıyıcı tipinin sıcaklığa bağlı olarak değişimi incelenmiştir. Katman kalınlıklarının sistematik olarak değiştirildiği süperörgü yapılardaki kesim dalga boyu değişimi ve enerji seviyeleri arasındaki geçişler tayfsal fototepki ve soğurma ölçümleri yapılarak incelenmiştir. Sıcaklık bağımlı optik ölçümlerle, bant kenarının değişimi ve yapıların yüksek sıcaklıklarda çalışma potansiyelleri araştırılmıştır. Fotodiyotların tepkisellik ölçümleri yapılarak, fotoakım yaratma yetenekleri incelenmiş ve kuantum verimleri hesaplanmıştır. Sıcaklık bağımlı karanlık akım ölçümleri, yaratma-yeniden birleşme (G-R) ve yüzey kaçak akımlarının farklı sıcaklıklarda baskın mekanizma olduğunu göstermiştir.
Özet (Çeviri)
In this thesis, opto-electronic characterization of InAs/GaSb superlattice photodiodes operating in mid-infrared region have been studied. Doping calibration for InAs and GaSb materials have been completed by using Hall effect measurements. The change in the carrier type as a function of temperature in unintentionally doped superlattices has been investigated as well by using the same technique. The change in the cut-off wavelength and the transitions between the energy levels have been investigated by using the spectral photoresponse and absorption measurements for the superlattice structures where the individual layer thicknesses were systematically changed. The band edge tuning and their ability for high temperature operation have been examined by temperature dependent optical measurements. Photo-current generation in the photodiodes have also been investigated by responsivity measurements and their quantum efficiencies were calculated. Temperature dependent dark current measurements showed that the generation-recombination (G-R) and surface leakage currents are dominant mechanisms at different temperature regions.
Benzer Tezler
- N yapılı InAs/AlSb/GaSb kızılötesi süperörgü dedektörlerin test piksel ve odak düzlem dizin fabrikasyonu ve karakterizasyonu
Test pixel and focal plane array fabrication and characterization of N-structure InAs/AlSb/GaSb infrared superlattice detectors
SEVAL ŞAHİN
Doktora
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN
- Lamellar grating interferometer based MEMS Fourier transform infrared spectrometer
Kırınım ızgaralı girişim ölçer temelli MEMS Fourier dönüşümü kızılötesi spektrometre
NADİRE PELİN AYERDEN
Yüksek Lisans
İngilizce
2012
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKoç ÜniversitesiElektrik ve Bilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HAKAN ÜREY
- Green diode pumping of femtosecond Ti3+:sapphire lasers and the first demonstration of 2.3-µm laser operation in trivalent thulium-doped KY3F10 and BaY2F8 fluoride crystals
Başlık çevirisi yok
ABDULLAH MUTİ
Doktora
İngilizce
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiKoç ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ALPHAN SENNAROĞLU
- SWIR objective design using Seidel aberration theory
Seidel bozulum teorisi kullanılarak SWIR objektif tasarımı
SERHAT HASAN ASLAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SİNAN KAAN YERLİ
YRD. DOÇ. DR. ONUR KESKİN
- Optimization, fabrication, and characterization of dual-band InGaAs NBN photodetectors
Çift bantlı InGaAs NBN fotoalgılayıcıların optimizasyonu, üretimi ve karakterizasyonu
ALPER ŞAHİN
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SERDAR KOCAMAN