Geri Dön

Characterization of GaAs(211) surface for epitaxial buffer growth

Epitaksiyel tampon büyütme için GaAs(211) yüzeyinin karakterizasyonu

  1. Tez No: 371880
  2. Yazar: MUSTAFA POLAT
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. YUSUF SELAMET
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2014
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü
  10. Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 132

Özet

GaAs (211)B tabanı, yüzeyinde bulunan oksit katmanın termal işlemle kaldırılmasından sonra, MBE yardımıyla CdTe tampon katman büyütmesi için kullanılabilir. Sonrasında, kompozit taban olarak adlandırılan CdTe tampon katman büyütülmüş GaAs (211)B, HgCdTe büyütmede taslak olarak kullanılabilir. Eğer oksit katmanın yapısı ve bileşenleri tam olarak anlaşılmazsa, termal kaldırma işlemi bazı durumlarda yüzeye zarar verebilir. Bu tezde, CdTe tampon katman büyütmeye uygunluklarının belirlenmesi için HF:H2O ve H2SO4:H2O2:H2O kimyasal işlemleri büyütmeye hazır GaAs (211)B taban örneklerine uygulandı. Bu sıvı kimyasal işlemlerin yüzey üzerindeki etkileri XRD, XPS, SEM, EDX, AFM ve optik mikroskop gibi farklı karakterizasyon teknikleriyle belirlendi. 3" büyütmeye hazır GaAs (211)B tabanlarından kesilen örnekler oksit katman yapıları, yüzey pürüzlülükleri, kristal kaliteleri ve yüzey morfolojilerini belirlemek için ayrıca analiz edildi. Hazır olarak alınan örneklerin RC ölçümüne göre kristal kaliteleri 18-21 arsec civarında elde edildi. HF işlemi sonrası arsenik ve galyum oksitlerinin miktarları XPS sonuçlarına göre azaldı. Pirana karışımıyla işlem gören örneklerde galyum zengini yüzey elde edildi. Pirana işleminden sonra örneklerin yüzey pürüzlülükleri arttı. Ancak, HF ile işlem gören örneklerin büyütmeye hazır örneklerden daha düşük yüzey pürüzlülüğüne sahip oldukları belirlendi.

Özet (Çeviri)

GaAs (211)B wafer can be used for the growth of CdTe buffer layer by MBE after thermal desorption of oxide presents on its surface. Then, CdTe buffered GaAs (211)B called as composite substrate can be used as a template for the growth of HgCdTe. Thermal desorption can be detrimental to surface in some cases if the structure and constituents of this oxide are not fully understood. In this thesis, HF:H2O and H2SO4:H2O2:H2O chemical treatments were applied to epiready GaAs (211)B samples for the determination of suitability of their usage for CdTe buffer layer growth. Effects of these wet chemical etching processes on the surface of samples are characterized and determined by various kinds of characterization techniques including XRD, XPS, SEM, EDX, AFM, and optical microscope. We also analyzed samples cut from 3" epiready GaAs (211)B wafers to determine their oxide structures, surface roughnesses, crystal qualities, and surface morphologies. Crystal quality of as-received samples measured by RC were about 18-21 arcsec. Amounts of arsenic and gallium oxides were decreased after HF treatment according to XPS results. Gallium rich surface was obtained for samples treated with piranha solution. Surface roughnesses of samples increased after piranha treatment. However, it was determined that others treated with HF had smaller surface roughnesses than asreceived samples.

Benzer Tezler

  1. Molecular beam epitaxy growth and characterization of CdTe heterostructures on GaAs– effect of interface, growth and annealing conditions to crystal quality

    CdTe hetero-yapılarının GaAs üzerine moleküler demet epitaksi ile büyütülmesi ve karakterizasyonu – arayüz, büyütme ve tavlama koşullarının kristal kalitesine etkisi

    OZAN ARI

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ORHAN ÖZTÜRK

    PROF. DR. SIVALINGAM SIVANANTHAN

  2. Characterization of defect structure of epitaxial CdtTe films

    Epitaksiyel CdtTe filmlerin kusur yapılarının karakterizasyonu

    SELİN ÖZDEN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2014

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. YUSUF SELAMET

    YRD. DOÇ. DR. ENVER TARHAN

  3. Characterization of molecular beam epitaxially grown CDTE layers over gaas by spectroscopic ellipsometry

    Moleküler demet epitaksi ile gaas üzerine büyütülen CDTE katmanlarının spektroskopik elipsometri ile karakterizasyonu

    MERVE GÜNNAR

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2014

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. YUSUF SELAMET

  4. Characterization of lattice mismatch induced dislocations on epitaxial CdTe films

    Epitaksiyel CdTe filmlerin örgü uyumsuzluğundan kaynaklanan dislokasyonların karakterizasyonu

    ELİF BİLGİLİSOY

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. YUSUF SELAMET

  5. GaAs/AlGaAs tabanlı kuantum kuyularının TEM (geçirimli elektron mikroskobu) ile analizi

    Characterization of GaAs/AlGaAs quantum wells with TEM (transmission electron microscopy) techniques

    TUĞÇE KARAKULAK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN