Gate uzunluğunun GaN HEMT aygıtlarda güç performansına etkisi
Effect of gate length on power performance of GaN HEMT devi̇ces
- Tez No: 372773
- Danışmanlar: PROF. DR. M. RECAİ ELLİALTIOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Bilim ve Teknoloji, Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Science and Technology, Electrical and Electronics Engineering, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2014
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Hacettepe Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Nanoteknoloji ve Nanotıp Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 80
Özet
Bu çalışma, GaN temelli yüksek hareketli elektron taşıyıcı transistörlerin (HEMT) geliştirilmesi amacıyla yapılan epitaksiyel büyütme, fabrikasyon ve karakterizasyon işlemlerini kapsamaktadır. GaN HEMT epitaksiyel örnekler, metal organik kimyasal buhar biriktirme (MOCVD) yöntemiyle büyütülmüştür. Büyütülen bu örneklerin yapısal incelemeleri için Fotolüminesans (PL) Ölçüm Sistemi, Optik Geçirgenlik Ölçüm Sistemi, Yüksek Çözünürlüklü X-Işını Kırınımı (HR-XRD), Atomik Kuvvet Mikroskobu (AFM) ve Hall Etkisi Ölçüm Sistemi kullanılmıştır. Kapı (gate) uzunluğunun (Lg) HEMT aygıtlarda güç performansına etkisini görmek için 12x12 mm2 boyutundaki 4 ayrı epitaksiyel örnek için kapı (gate) uzunluğu (Lg); 300 nm, 600 nm, 800 nm ve 1000 nm olacak şekilde değiştirilerek HEMT aygıt fabrikasyonu yapılmıştır. Fabrike edilen örneklerin karakterizasyonu için iletim hattı modeli (Transmission Line Model, TLM) ölçümü, DC ölçümü, RF Ölçümü ve RF güç ölçümü alınmıştır. Lg değişiminin HEMT aygıtlarda güç performansını etkilediği ve Lg arttıkça aygıtların güç performansını arttırdığı görülmüştür.
Özet (Çeviri)
This work has combined epitaxial growth, fabrication and characterization efforts to develop a GaN based high electron mobility transistors (HEMT). GaN HEMT epitaxial samples have been grown by using metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) technique. Photolüminesans (PL), optical transmission, high resolution XRD (HR-XRD), Atomic Force Microscopy (AFM) and Hall Effect measurement systems were used for structural analysis of the grown epitaxial samples. In order to see the effect of the gate length (Lg) on RF power performance of HEMT devices with four different gate lengths (Lg) were fabricated on four different samples that have the dimension of 12x12 mm2. The gate length (Lg) of HEMT devices on four different samples is chosen as 300 nm, 600 nm, 800 nm and 1000 nm respectively. Transmission Line Model (TLM), DC, RF and Power measurements were carried out for DC and RF characterization of the fabricated samples. It was observed that changing of Lg affect the power performance of the HEMT devices, as Lg increases, the RF output power performance of the HEMT devices also increases with acceptable decrease in small signal gain.
Benzer Tezler
- Yüksek güç elektroniği uygulamaları için GaN tabanlı FinFET yapısının optimizasyonu
Optimization of GaN-based FinFET structure for high power electronics applications
DOĞAN YILMAZ
Doktora
Türkçe
2022
Bilim ve TeknolojiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Fabrikasyon adımları için GaN tabanlı mikroşerit HEMT'lerin DC karakterizasyonu
DC characterization of GaN-based microstrip HEMT for fabrication steps
ELİF ALAGÖZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiErzurum Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ ÇAĞLAR DUMAN
- Fabrication of AlN/GaN MIS-HEMT with SiN as gate dielectric and performance enhancement with ALD deposited Alumina
SiN katmanının kapı dielektriği olarak kullanıldığı AlN/GaN MIS-HEMT yapılarının üretimi ve ALD ile kaplanan Alumina ile performansının artırılması
SAĞNAK SAĞKAL
Yüksek Lisans
İngilizce
2016
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. TALİP SERKAN KASIRGA
DR. NECMİ BIYIKLI
- High-power and low-loss SPDT switch design using gate-optimized GaN on SiC hemts for s-band 5g T/R modules
S-bant 5g T/R modülleri için yüksek güçlü ve düşük kayıplı SPDT anahtarının SiC üzerine GaN kullanarak tasarımı
VOLKAN ERTÜRK
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EKMEL ÖZBAY
- Batmış hidrolik sıçramada geri dönüş bölgesi uzunluğunun yapay zekâ yöntemleriyle tahmini
Estimation of the roller length of submerged hydraulic jumps using artificial intelligence methods
İBRAHİM MAHMUT YOLUK
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
İnşaat MühendisliğiHarran Üniversitesiİnşaat Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. VEYSEL GÜMÜŞ