Geri Dön

Opto-elektronik uygulamalarda kullanılabilecek katkısız ve Mg katkılı ZnO filmlerin üretilmesi

Production of undoped and Mg doped ZnO films for opto-electronic applications

  1. Tez No: 374785
  2. Yazar: SERHAT ALDAĞ
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. SEMA KURTARAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2014
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Eskişehir Osmangazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 93

Özet

Son yıllarda, opto-elektronik teknolojisi yeni ve alternatif malzemelere gereksinim duyan bir bilimsel çalışma alanı olarak kendini göstermektedir. Bu alanda yapılan birçok bilimsel çalışma saydam iletken oksit ailesi üzerinde yoğunlaşmıştır. Bu çalışmada, saydam iletken oksit ailesinin önemli bir üyesi olan ZnO filmleri ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği ile 350±5 ºC taban sıcaklığında ve farklı Mg elementi konsantrasyonları ile üretilmiştir. ZnO filmlerinin yapısal, optik, yüzeysel, elektriksel ve lüminesans özellikleri üzerine Mg elementinin etkisi araştırılmıştır. ZnO:Mg filmlerinin X-ışını kırınım desenlerinden, tüm filmlerin polikristal yapıda olduğu ve (002) yönünde tercihli büyüme gösterdiği belirlenmiştir. Spektroskopik elipsometre cihazı yardımıyla filmlerin kalınlıkları ve optik sabitleri belirlenmiştir. Elde edilen filmlerin optik özellikleri incelenerek direkt bant geçişli malzemeler oldukları tespit edilmiş ve optik metot yardımı ile optik bant aralıkları 3.27~3.40 eV olarak belirlenmiştir. Atomik Kuvvet Mikroskobu ile filmlerin üç boyutlu yüzey özellikleri incelenmiştir. Floresans Spektrometre cihazı ile ZnO:Mg filmlerinin fotolüminesans özellikleri incelenmiştir. Dört uç tekniği yardımıyla filmlerin elektriksel özdirenç değerleri belirlenmiş ve Mg katkısı ile bu değerlerin azaldığı görülmüştür. Mg katkılama işleminin, ZnO filmlerinin özelliklerini opto-elektronik ve fotovoltaik güneş pili uygulamaları açısından önemli derecede etkilediği sonucuna varılmıştır.

Özet (Çeviri)

Recently, opto-electronic technology reveal itself as a scientific study field requiring novel and alternative materials. Most of the works made on this field have been focused on transparent conducting oxide family. In this work, ZnO films which are important members of transparent conducting oxide family, have been produced by ultrasonic spray pyrolysis technique at 350±5 ºC substrate temperature with different Mg concentrations. Effect of Mg doping on the structural, optical, surface, electrical and luminescent properties of ZnO films have been investigated. It has been determined that all films have polycrystalline structure and show a preferential orientation through (002) plane, using X-ray diffraction patterns. Thicknesses and optical constants of the films have been determined by Spectroscopic Ellipsometry. Optical properties of the films have been examined and it has been determined that all films have direct band structure. Optical band gap values have been found to be between 3.27 and 3.40 eV by optical method. Atomic force microscope has been used to investigate the three dimensional surface properties. Photoluminescence properties of ZnO:Mg films have been examined by a fluorescence spectrometer. Four-probe technique has been used to determine the electrical resistivity values of the films and it has been seen that these values decreased by Mg doping. It has been concluded that Mg doping has important effects on the properties of ZnO films in view of opto-electronic and photovoltaic solar cell applications.

Benzer Tezler

  1. Opto-elektronik uygulamalarda kullanılabilecekm katkısız ve Al katkılı ZnO filmlerinin üretilmesi

    Production of undoped and Al doped ZnO films for opto-electronic applications

    GÖKSU ÖFÖFOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. SEMA KURTARAN

  2. Geçiş metal oksit içeren tellürit ve antimonat camların elektriksel ve yapısal özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of electrical and structural properties in transition metal oxide containing tellurite and antimonite glasses

    ONAT BAŞAK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Metalurji MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ALİ ERÇİN ERSUNDU

  3. Y:CdO/p-Si heteroeklemin elektriksel ve fotoelektriksel özelliklerinin belirlenmesi

    Determination of electrical and photoelectrical properties of Y:CdO/p-Si heterojunction

    MURAT TOKUŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. YUSUF SELİM OCAK

  4. SILAR yöntemi ile Al/Cd:ZnO/p-Si/Al Fotodiyot üretimi ve karakterizasyonu

    Characterization of Al/ZnO/p-Si/Al photodiode fabricated by SILAR method

    YASEMİN ŞAHİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞÜKRÜ ÇAVDAR

  5. Ga2O3/p-Si P-N hetero eklemli UV fotodedektörlerinin üretimi ve karakterizasyonu

    Fabrication and characterization of Ga2O3/p-Si P-N hetero junction UV photodetectors

    UĞUR HARMANCI

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiHarran Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET TAHİR GÜLLÜOĞLU

    PROF. DR. ABDULLAH YILDIZ