Geri Dön

Y:CdO/p-Si heteroeklemin elektriksel ve fotoelektriksel özelliklerinin belirlenmesi

Determination of electrical and photoelectrical properties of Y:CdO/p-Si heterojunction

  1. Tez No: 413304
  2. Yazar: MURAT TOKUŞ
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. YUSUF SELİM OCAK
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2015
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Dicle Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 53

Özet

Bu çalışmada (100) yönelimine sahip ve özdirenci 1-10 Ωcm olan p-Si yarıiletkeni kullanıldı. Dönel kaplama metodu kullanılarak ittrium katkılı ve katkısız kadmiyum oksit'in p-Si üzerinde ince filmi hazırlandı. Alüminyum yüksek vakum ortamında, termal olarak buharlaştırıldı. Böylece Al/Y:CdO/p-Si yapısı oluşturuldu. Al/Y:CdO/p-Si yapılarının oda sıcaklığında ve karanlık ortamda akım gerilim (I-V) ölçümleri yapıldı. I-V grafiğinden bu yapının doğrultucu özellik gösterdiği görüldü. İdealite faktörü ve engel yüksekliği gibi diyot parametreleri, lnI-V grafiği kullanılarak belirlendi. İdealite faktörü Al/CdO/p-Si yapısı için 2,45 olarak hesaplanırken Al/Y:CdO/p-Si yapılarının idealite faktörünün 1,84 değerine kadar düştüğü başka bir ifadeyle diyotların ideal davranışa yaklaştığı görüldü. Y katkılı CdO aratabakanın engel yüksekliğini arttırdığı gözlendi. Norde fonksiyonları kullanılarak F(V)-V grafikleri çizildi. Bu grafikten seri direnç ve engel yükseklikleri hesaplandı. Ayrıca tüm diyotların 100 mW/cm2 ışık şiddeti altında I-V ölçümleri yapıldı. Işık şiddeti arttıkça ters beslem akımının da arttığı gözlendi. Yapının fotodiyot özelliği gösterdiği anlaşıldı ve diyotun optoelektronik uygulamalarda kullanılabileceği gösterilmiş oldu.

Özet (Çeviri)

In this study, p-Si semiconductor with (100) orientation and resistivity of 1-10 Ωcm was used. Yttrium-doped and undoped cadmium oxide thin films were prepared on p-Si by using spin coating method. Aluminium was thermally evaporated in high vacuum environment. Therefore, Al/Y:CdO/p-Si structures were formed. Current-voltage (I-V) measurements of Al/Y:CdO/p-Si structures were performed in the dark at room temperature. It is noted that the the structures showed rectification feature from I-V graphics. Ideality factors and parameters such as diode barrier height were determined using lnI-V plot. Ideality factor for Al/CdO/p-Si structure was calculated as 2.45 and the ideality factor for Al/Y:CdO/p-Si structures have fallen to 1.84 value in other words diodes got closer to the ideal behavior. Y-doped CdO interlayer to increased barrier height. F(V) -V graphs were plotted using the modified Norde functions. From this plot, the series resistance and barrier height was calculated. In addition, I-V measurements of the Al/Y:CdO/p-Si were repeated under light which had intensity of 100 mW/cm2. It was observed that reverse bias current of the diode increased with the light intensity. Therefore, the structure showed fotodiode characteristic and it can be used in optoelectronic applications.

Benzer Tezler

  1. Şizofreni hastalarında atak ve remisyon döneminde serum resolvin d1, IFN-γ ve TNF-α düzeylerinin incelenmesi

    Investigation of serum resolvin DL, IFN-Y and TNF-α levels in attack and remission in patients with schizophrenia

    SEHURE AZRA YAŞAR

    Tıpta Uzmanlık

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    PsikiyatriSağlık Bilimleri Üniversitesi

    Psikiyatri Ana Bilim Dalı

    UZMAN İSMET ESRA ÇİÇEK

  2. Depresyon ve anksiyete bozukluğu olan çocuklarda mesnevi okumalarının etkileri

    Effects of reading mesnevi on children with depression and anxiety disorders

    SİPİL GENÇELİ

    Tıpta Uzmanlık

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Çocuk Sağlığı ve HastalıklarıNecmettin Erbakan Üniversitesi

    Çocuk Sağlığı ve Hastalıkları Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HÜSEYİN ÇAKSEN

  3. Yüksek katı/sıvı oranlarında uleksitin fosforik asit çözeltisinde çözünme kinetiği

    The dissolution of ulexite in phosphoric acid solutions for high solid-to-liquid ratios

    MEHMET HARBİ ÇALIMLI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    KimyaYüzüncü Yıl Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MEHMET TUNÇ

  4. Pulmoner rehabilitasyonun ankilozan spondilitli hastalarda ergospirometre parametreleri ve klinik bulguları üzerine etkileri

    Başlık çevirisi yok

    SİBEL DEMİR DEVİREN

    Tıpta Uzmanlık

    Türkçe

    Türkçe

    1997

    Fiziksel Tıp ve RehabilitasyonSağlık Bakanlığı

    Fiziksel Tıp ve Rehabilitasyon Ana Bilim Dalı

  5. Bir fazlı asenkron motorun dinamik davranışları

    Başlık çevirisi yok

    ALKAN DEMİRCİOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1998

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. EMİN TACER