Opto-elektronik uygulamalarda kullanılabilecekm katkısız ve Al katkılı ZnO filmlerinin üretilmesi
Production of undoped and Al doped ZnO films for opto-electronic applications
- Tez No: 374786
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. SEMA KURTARAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2014
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Eskişehir Osmangazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 107
Özet
Günümüzde teknolojik araştırmalar; maliyeti düşük, iyi kalitede ve lüminesans verimi iyileştirilmiş alternatif ZnO yarıiletken filmleri üzerine odaklanmış durumdadır. Bu çalışmada, farklı oranlarda Al katkılı ZnO filmlerinin üretilmesi ve elde edilen filmlerin elektrik, optik, yapısal, yüzeysel ve lüminesans özelliklerinin incelenmesi amaçlanmıştır. Bu amaçla, ZnO filmleri diğer pek çok üretim yöntemi ile kıyaslandığında daha ekonomik ve uygulaması kolay olan ultrasonik kimyasal püskürtme yöntemi ile 35050C taban sıcaklığında ve üç farklı Al katkı oranında üretilmiştir. ZnO:Al filmlerinin kristal yapısı ve tercihli yönelimleri gibi yapısal özellikleri, x-ışını toz kırınım tekniği kullanılarak incelenmiştir. ZnO:Al filmlerinin kalınlıkları ve optik sabitleri Spektroskopik Elipsometri ile belirlenmiştir. UV-VIS spektrofotometre cihazı ile filmlerin geçirgenlik ve soğurma spektrumları alınmıştır ve optik bant aralıkları hesaplanmıştır. Filmlerin yüzey morfolojileri atomik kuvvet mikroskobu ile ve lüminesans özellikleri ise Floresans Spektrometre Cihazı ile incelenmiştir. Sonuç olarak, ekonomik ve kolay olarak üretilebilen ZnO:Al filmlerinin opto-elektronik uygulamalarda kullanım potansiyeli araştırılmıştır.
Özet (Çeviri)
Today, technological investigations are focused on ZnO semiconducting films with low cost, good quality and having improved luminescence efficiency. In this work, production and electrical, optical, surface, structural and luminescent characterization of Al doped ZnO films has been aimed. With respect to this aim, ZnO films have been deposited at 35050C substrate temperature by Ultrasonic Spray Pyrolysis technique which is economic and feasible when compared to other various deposition techniques. Structural properties of ZnO films such as crystalline structure and preferential orientation have been investigated by x-ray powder diffraction technique. Thicknesses and optical constants of ZnO:Al films have been determined by spectroscopic ellipsometry. Transmittance and absorbance spectra have been taken by UV-VIS spectrophotometer and optical band gap values have been calculated. Surface morphology of the films has been investigated by atomic force microscopy and luminescent properties have been examined by fluorescence spectrometer. Finally, application potential of ZnO:Al films in opto-electronic applications has been investigated.
Benzer Tezler
- SILAR yöntemi ile Al/Cd:ZnO/p-Si/Al Fotodiyot üretimi ve karakterizasyonu
Characterization of Al/ZnO/p-Si/Al photodiode fabricated by SILAR method
YASEMİN ŞAHİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞÜKRÜ ÇAVDAR
- Y:CdO/p-Si heteroeklemin elektriksel ve fotoelektriksel özelliklerinin belirlenmesi
Determination of electrical and photoelectrical properties of Y:CdO/p-Si heterojunction
MURAT TOKUŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. YUSUF SELİM OCAK
- Opto-elektronik uygulamalarda kullanılabilecek katkısız ve Mg katkılı ZnO filmlerin üretilmesi
Production of undoped and Mg doped ZnO films for opto-electronic applications
SERHAT ALDAĞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. SEMA KURTARAN
- Geçiş metal oksit içeren tellürit ve antimonat camların elektriksel ve yapısal özelliklerinin incelenmesi
Investigation of electrical and structural properties in transition metal oxide containing tellurite and antimonite glasses
ONAT BAŞAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Metalurji MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ALİ ERÇİN ERSUNDU
- Ga2O3/p-Si P-N hetero eklemli UV fotodedektörlerinin üretimi ve karakterizasyonu
Fabrication and characterization of Ga2O3/p-Si P-N hetero junction UV photodetectors
UĞUR HARMANCI
Doktora
Türkçe
2023
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiHarran ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET TAHİR GÜLLÜOĞLU
PROF. DR. ABDULLAH YILDIZ