AlN katmanların fiziksel buhar biriktirme yöntemiyle üretimi ve karakterizasyonu
Production and characterization of AlN layers via physcal vapor deposition method
- Tez No: 376002
- Danışmanlar: PROF. DR. ÖMER FARUK EMRULLAHOĞLU, PROF. DR. ŞÜKRÜ TAKTAK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Metalurji Mühendisliği, Mühendislik Bilimleri, Metallurgical Engineering, Engineering Sciences
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2014
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Afyon Kocatepe Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 73
Özet
Yapılan bu tez çalışmasında; yüksek ısıl iletkenliği (285 W/(m•K), geniş bant aralığı (6.2 eV), yüksek kimyasal ve ısıl kararlılığı, düşük ısıl genleşmesi ve yüksek yüzey akustik dalga iletim hızı nedenleriyle günümüz teknolojisinde oldukça yaygın bir kullanım alanına sahip olan Alüminyum nitrür (AlN) katmanların fiziksel buhar biriktirme yöntemlerinden biri olan RF manyetik saçtırma yöntemi ile üretimi yapılmıştır. Ayrıca yapılan çalışmada üretilen AlN katmanların kalınlıkları ölçülmüş, üretim oranları hesaplanmış, X ışınları kırınımı XRD analizi ile minerolojik özellikleri incelenmiş, Atomik kuvvet mikroskobu (AFM) ile yüzey özellikleri tespit edilmiştir. Çalışmada Radyo frekans (RF) manyetik saçtırma yöntemi ile alüminyum hedef malzeme kullanarak cam altlık üzerine AlN ince filmler depolanmıştır. AlN ince filmlerin üretimi sabit vakum basıncı (2.10-2 mbar), sabit çalışma basıncı (5.10-2 mbar) ve sabit gaz karışımı oranında (%50 Ar, %50 N2) farklı sistem güçleri (W) ve farklı sürelerde reaktif saçtırma prensibi ile gerçekleştirilmiştir. Çalışmanın sonucunda sistem gücünün artmasıyla kaplama bünyesindeki AlN fazının Al fazına oranının arttığı gözlemlenmiştir. Ayrıca artan sistem çalışma gücü ve kaplama süresi ile birlikte kaplama kalınlıklarının ve yüzey pürüzlülüğünün arttığı görülmüştür.
Özet (Çeviri)
In this study it is aimed to fabricate Aluminum nitride (AlN) layers which have been widely used and have excellent physical and chemical properties, such as high thermal conductivity (100–260 W/m K)., wide band gap (6.2 eV) structure, high chemical stability, low thermal expansion and high surface aqustic velocity transmittance were facricated by RF magnetron sputtering technique that a type of physical vapor deposition. Furthermore, the thicknesses of films were measured, mineralogical datas were obtained by XRD method, and surface properties were examined by AFM. In the study AlN thin film layers were deposited on the glass substrates was using Aluminum targets by RF magnetron sputtering technique. AlN coating process performed for constant base pressure (2.10-2 mbar) constant working pressure (5.10-2 mbar), constant gas mixture rate (%50 Ar, %50 N2), and variable working power and deposition time. In the result, it was observed that the AlN deposition rate increased with increasing RF power. In addition the thicknesses and roughness of the films increased with the increasing RF power and deposition
Benzer Tezler
- Düzlemsel transformatör kullanarak ileri yönlü dönüştürücü tasarımı
Designing a forward converter using planar transformer
HARUN KURAL
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. METİN YAZGI
- First principles study of 2D gallium nitride and aluminium nitride in square-octagon structure
2B kare-sekizgen yapılı galyum nitrür ve alüminyum nitrür temel prensip hesaplanması
EMEL GÜRBÜZ
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SALİM ÇIRACI
- AlGaN tabanlı morötesi ışık yayan diyotların çalışma prensibi, yapısı ve uygulama alanlarının araştırılması
III-nitride ultraviolet emitters technologies & applications
GÖKTÜRK TAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
BiyoteknolojiSivas Cumhuriyet ÜniversitesiNanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. İLKAY DEMİR
- GaAsP/GaAs ve InGaN/GaN p-n eklem yapılarının optik ve yapısal özelliklerinin incelenmesi
The investigation of optical and structural properties of GaAsP/GaAs and InGaN/GaN p-n junction structures
SAİME ŞEBNEM ÇETİN
Doktora
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Plazma ile etkilendirilmiş atomik katman büyütme yöntemi ile büyütülen AlN ince filmlerin optik özellikleri
Optical properties of AlN thin films grown by plasma enhanced atomic layer deposition
NEŞE GÜNGÖR
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiMarmara ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA ALEVLİ