AlGaN tabanlı morötesi ışık yayan diyotların çalışma prensibi, yapısı ve uygulama alanlarının araştırılması
III-nitride ultraviolet emitters technologies & applications
- Tez No: 611100
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. İLKAY DEMİR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Biyoteknoloji, Polimer Bilim ve Teknolojisi, Biotechnology, Polymer Science and Technology
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2019
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Sivas Cumhuriyet Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Nanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 108
Özet
Bu tez çalışmasında öncelikle III-nitrit morötesi yayıcıların teknoloji ve uygulamaları hakkında genel bir açıklama ve özet yapıldıktan sonra Alüminyum Nitrat alttaş üzerine yapılan büyüme ve özelliklerinden bahsedilecek daha sonrasında ise Al2O3 alttaş üzerine Alüminyum Galyum Nitrat taban katmanının VPE (Buhar Fazı Epitaksi) ile büyütülmesi anlatılacaktır. İlk olarak; giriş bölümünde yapılacak bilgilendirmeyi takiben ikinci bölümde AlN kristalinin tarihçesi ve özelliklerinden, PVT metodundan, çekirdek büyümesi ve kristalize genişlemeden, PVT yönteminde oluşan yapısal kusurlardan, safsızlıklar ve bunların sonuçlarından ve bunlardan yapılacak çıkarımlardan bahsedilecektir. Üçüncü bölümde ise Al(Ga)N tampon katmanın metalorganik buhar fazı epitaksisi ile büyütülmesinden, MOVPE(metalorganic vapor phase epitaxy) tekniklerinden, AlGaN katmanların (HVPE) hidrid buhar fazı epitaksisi ile üretiminden bahsedilecektir.
Özet (Çeviri)
First chapter provides a brief of introduction to group III-nitride ultraviolet light emitting diode (LED) technologies and applications and areas for UV-LEDs. In the second chapter the growth of AlN crystals by sublimation and recondensation at temperatures exceeding 2000 °C has proven to be the method of choice, as the boules and alttaşes show very high structural perfection at reasonable growth rates. target of this chapter is to provide readers with enough information about AlN alttaşe preparation to understand and make informed decisions about employing AlN alttaşes for deep-UV optoelectronics. This chapter provides an insight into growth, strain management, and dislocation reduction techniques in metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) of AlN and hydride vapor phase epitaxy (HVPE) of AlGaN layers. For both MOVPE and HVPE epitaxial lateral overgrowth of patterned alttaşe surfaces is an important technique to enhance the thickness of crack-free layers. This opens the route to UVLEDs with improved performance.
Benzer Tezler
- Electrical properties and device applications of atomic layer deposited ZnO and GaN thin films
Atomik katman kaplama metoduyla büyütülen ZnO ve GaN ince filmlerin elektriksel özellikleri ve aygıt uygulamaları
SAMİ BOLAT
Yüksek Lisans
İngilizce
2014
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ALİ KEMAL OKYAY
- Saf ve iyonik sıvı katkılı perovskite filmlerin slot-die (yarık-kalıp) kaplama tekniği ile üretimi
Fabrication of bare and ionic liquid doped perovskite films with slot-die coating technique
MURAT EBİÇ
Doktora
Türkçe
2022
Metalurji MühendisliğiKaramanoğlu Mehmetbey ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. FARUK ÖZEL
DOÇ. DR. SEÇKİN AKIN
- Morötesi̇ bölgede işik yayan di̇yot yapilarinin (UV-LED) büyütülmesi̇ ve karakteri̇zasyonu
Growth and characterization of ultraviolet light emitting diode (UV-LED)
BARIŞ BULUT
Doktora
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiSivas Cumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ
- Channel modelling and characterization for VLC-based medical body sensor networks
Görünür ışık iletişimi tabanlı medikal vucut sensör ağları için kanal modellenmesi ve karakterizasyonu
BARIŞ DÖNMEZ
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiIşık ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ FARSHAD MIRAMIRKHANI
- Ultraviolet-visible nanophotonic devices
Morötesi-görünür bölge nanofotonik aygıtlar
BAYRAM BÜTÜN
Doktora
İngilizce
2010
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EKMEL ÖZBAY