Structural and electrical characterizations of BiFeO3 thin films and usage in radiation sensors
BiFeO3 ince filmlerin yapısal ve elektriksel özellikleri ve radyasyon sensörü olarak kullanımı
- Tez No: 376023
- Danışmanlar: PROF. DR. ERCAN YILMAZ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2014
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Abant İzzet Baysal Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 71
Özet
Bu çalışma kapsamında BiFeO3 ince filmlerinin yapısal ve elektriksel özellikleri incelendi ve üretilen yapıların MOS tabanlı sistemlerde radyasyon sensörü olarak kullanılabilirliği araştırıldı. BiFeO3 ince filmler magnetron saçtırma yöntemiyle (100) p- tipi Si alt taşlar üzerine 300 nm kalınlıklarında büyütüldü. Büyütülen filmler iki gruba ayrıldı. İlk gruptaki filmler 550 0C derecede 30 dakika süre ile hava ortamında tavlanırken, diğer örnekler üretildikleri şekliyle muhafaza edildi. Filmlerin yapısal karakterizasyonu XRD ve SEM ölçümleri kullanılarak tavlama işlemi öncesi ve sonrasında yapıldı. Tavlama yapılmış ve sadece büyütülmüş BiFeO3 ince filmler buharlaştırma yöntemiyle ön ve arka kontaklar Alüminyum ile kaplanarak MOS kapasitörlerine dönüştürüldü. Üretilen kapasitörlerin yüksek frekans C-V ölçümleri incelendi. Farklı frekanslarda C-V histerezis ve G/ω-F ölçümleri optimum performansa sahip ve tavlama işlemi yapılmış örnekler için çalışıldı. Tavlanmış örneklerin gamma radyasyonuna duyarlılıklarının çalışılması için kapasitörler 16 Gy'e kadar GAMMACELL 220 Co-60 radyoaktif gamma kaynağı ile 0.0030 Gy/s doz hızında ışınlandı. Her bir ışınlama adımında örneklerin C-V ölçümleri alındı ve cihazların radyasyona duyarlılıkları düzbant (flatbad) ve ortabant (midgap) voltaj kaymaları kullanılarak incelendi. Elde edilen sonuçlar BiFeO3 yapısının radyasyon sensörü gibi sistemlerde dielektrik malzeme olarak kullanıma uygun olduğunu göstermiştir.
Özet (Çeviri)
In this thesis, the structural and electrical characterization of BiFeO3 thin films and possible usage of BiFeO3 in MOS based radiation sensors were investigated. BiFeO3 thin films were deposited on (100) p-type silicon wafers with a thickness about 300 nm by magnetron sputtering. The deposited thin films were divided into two groups. First group samples were annealed at 550°C for 30 minutes under atmospheric environment. The second group samples were kept as-deposited. Structural characterizations were studied by using XRD and SEM measurements before and after annealing of samples. The BiFeO3 MOS capacitors were fabricated in both annealed and as-deposited samples by using evaporation technique. High frequency C-V measurements were performed for both type samples, but frequency dependent C-V hysteresis and G/ω-F measurements were carried out for annealed samples exhibited the desired characteristic. To examine their gamma irradiation response of the annealed ones, the devices were irradiated up to 16 Gray by using the GAMMACELL 220 Co-60 radioactive source at a dose rate of 0.0030 Gy/s. C–V measurements were recorded prior to and after irradiation and the effects of radiation were determined from the mid-gap and flat-band voltage shifts. The results show that BiFeO3 can be used as dielectric layer for future dielectric applications such as radiation sensors.
Benzer Tezler
- Epilepsi tedavisine yönelik etosüksimid içeren polilaktik asit/bizmut ferrit fiber yapıların üretilmesi ve karakterizasyonu
Production and characterization of ethosuximide containing polylactic acid / bismuth ferrite fiber structures for epilepsy treatment
İZEL YİĞİT
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
BiyomühendislikMarmara ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ SONGÜL ULAĞ
PROF. DR. REZZAN GÜLHAN
- InGaAs gunn diyodu tabanlı ışık yayan aygıt yapılarının yapısal ve elektriksel karakterizasyonu
Structural and electrical characterization of InGaAs gunn diode based light emitting device structures
MERYEM DEMİR
Doktora
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiSivas Cumhuriyet ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ
- Y2Ba3Cu5Ox Bileşiğinin sentezlenerek yapısal ve elektriksel özelliklerinin belirlenmesi
Synthesis and structural and electrical characterizations of Y2Ba3Cu5Ox
HALİL İBRAHİM ADIGÜZEL
Doktora
Türkçe
1995
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİnönü ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. BÜLENT ULUĞ
- İmmünoglobulin tespiti için alan etkili transistör biyosensör platformu tasarımı
A field effect transistor biosensor platform desing for detection of i̇mmunoglobulin
ELİF GÖKOĞLAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
BiyomühendislikPamukkale ÜniversitesiBiyomedikal Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CUMHUR GÖKHAN ÜNLÜ
- Elektrokimyasal depolama yoluyla elde edilen CuCo ve Cu-Co-Ni alaşım filmlerinin yapısal ve magnetorezistans özellikleri
The characterizations of structural and magnetoresistance properties of CuCo and Cu-Co-Ni alloys obtained by electrochemical deposition
İSMAİL HAKKI KARAHAN
Doktora
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiOrtaöğretim Fen ve Matematik Alanları Eğitimi Ana Bilim Dalı
PROF.DR. Ö. FARUK BAKKALOĞLU