InGaAs gunn diyodu tabanlı ışık yayan aygıt yapılarının yapısal ve elektriksel karakterizasyonu
Structural and electrical characterization of InGaAs gunn diode based light emitting device structures
- Tez No: 851140
- Danışmanlar: PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Metalurji Mühendisliği, Mühendislik Bilimleri, Physics and Physics Engineering, Metallurgical Engineering, Engineering Sciences
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2024
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Sivas Cumhuriyet Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 121
Özet
Bu çalışmada Metal Organik Buhar Fazı Epitaksi (MOVPE) tekniği kullanılarak InP alttaş üzerine büyütülen InGaAs Gunn diyodu tabanlı ışık yayan aygıt yapılarının yapısal ve elektriksel karakterizasyonu yapılmıştır. Aynı zamanda bu aygıt yapılarına mikrofabrikasyon teknikleri ile oluşturulmuş transfer uzunluk tekniği (transmission line method) ile detaylı elektriksel karakterizasyon yapılmıştır. Yapılan çalışmalarda Gunn diyodu tabanlı ışık yayan aygıtlar için çeşitli kalınlıklarda, katkılama seviyelerinde, In oranında ve AsH3 gazı ön akış süresinde büyütülen InGaAs tabakalarının yapısal ve elektriksel analizleri gerçekleştirilmiştir. Yapılan optimizasyon çalışmalarından sonra nihai aygıt hedefi olarak dalga kılavuzlu ve dalga kılavuzsuz olmak üzere InGaAs Gunn diyot yapıları büyütülmüş ve karakterize edilmiştir.
Özet (Çeviri)
In this study, structural and electrical characterizations of InGaAs Gunn diode-based light-emitting device structures grown on InP substrates using Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) technique have been conducted. Additionally, these device structures have undergone detailed electrical characterization through microfabrication techniques with the transmission line method. In the conducted studies, structural and electrical analyses of InGaAs layers grown with various thicknesses, doping levels, indium ratios, and AsH3 gas pre-flow durations for Gunn diode-based light-emitting devices have been performed. Following the optimization studies, InGaAs Gunn diode structures, with waveguide and without waveguide, have been grown and characterized as the ultimate device goal.
Benzer Tezler
- InGaAs Gunn diyodu tabanlı ışık yayan aygıt üretimi ve karakterizasyonu
Fabrication and characterisation of InGaAs Gunn diode-based light emitting device
GÖKSENİN KALYON
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYŞE EROL
- Characterization of InGaAs detectors for non-contact radiation temperature measurements
Temassız radyasyon sıcaklığı ölçümleri için InGaAs detektörlerin karakterizasyonu
SEMİH YURTSEVEN
Yüksek Lisans
İngilizce
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEVLÜT KARABULUT
DR. SEDA OĞUZ AYTEKİN
- InGaAs epitaksiyel tabakaların optik ve elektriksel karakterizasyonu
Optical and electrical characterization of InGaAs epitaxial layers
SALEH MOHAMMAD AMINI
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYŞE EROL
- Electrıcal characterısatıon of InGaAs/GaAs quantum well and graphene semıconductor structures
InGaAs/GaAs kuantum kuyusu ve grafen yarıiletken yapıların elektriksel karakterizasyonu
ADAL. AB. MA. RAJHI ADAL. AB. MA. RAJHI
Doktora
İngilizce
2021
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYŞE EROL
- Development of ligand exchange and coating strategies for the colloidal quantum dot based high-resolution short-wave infrared imaging sensors
Koloidal kuantum nokta tabanlı yüksek çözünürlüklü kısa dalga kızılötesi görüntüleme sensörleri için ligand değişimi ve kaplama stratejilerinin geliştirilmesi
BATUHAN UZUN
Yüksek Lisans
İngilizce
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ DEMET ASİL ALPTEKİN
PROF. DR. TAYFUN AKIN