Geri Dön

InGaAs gunn diyodu tabanlı ışık yayan aygıt yapılarının yapısal ve elektriksel karakterizasyonu

Structural and electrical characterization of InGaAs gunn diode based light emitting device structures

  1. Tez No: 851140
  2. Yazar: MERYEM DEMİR
  3. Danışmanlar: PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Mühendislik Bilimleri, Metalurji Mühendisliği, Physics and Physics Engineering, Engineering Sciences, Metallurgical Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2024
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Sivas Cumhuriyet Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu çalışmada Metal Organik Buhar Fazı Epitaksi (MOVPE) tekniği kullanılarak InP alttaş üzerine büyütülen InGaAs Gunn diyodu tabanlı ışık yayan aygıt yapılarının yapısal ve elektriksel karakterizasyonu yapılmıştır. Aynı zamanda bu aygıt yapılarına mikrofabrikasyon teknikleri ile oluşturulmuş transfer uzunluk tekniği (transmission line method) ile detaylı elektriksel karakterizasyon yapılmıştır. Yapılan çalışmalarda Gunn diyodu tabanlı ışık yayan aygıtlar için çeşitli kalınlıklarda, katkılama seviyelerinde, In oranında ve AsH3 gazı ön akış süresinde büyütülen InGaAs tabakalarının yapısal ve elektriksel analizleri gerçekleştirilmiştir. Yapılan optimizasyon çalışmalarından sonra nihai aygıt hedefi olarak dalga kılavuzlu ve dalga kılavuzsuz olmak üzere InGaAs Gunn diyot yapıları büyütülmüş ve karakterize edilmiştir.

Özet (Çeviri)

In this study, structural and electrical characterizations of InGaAs Gunn diode-based light-emitting device structures grown on InP substrates using Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) technique have been conducted. Additionally, these device structures have undergone detailed electrical characterization through microfabrication techniques with the transmission line method. In the conducted studies, structural and electrical analyses of InGaAs layers grown with various thicknesses, doping levels, indium ratios, and AsH3 gas pre-flow durations for Gunn diode-based light-emitting devices have been performed. Following the optimization studies, InGaAs Gunn diode structures, with waveguide and without waveguide, have been grown and characterized as the ultimate device goal.

Benzer Tezler

  1. InGaAs Gunn diyodu tabanlı ışık yayan aygıt üretimi ve karakterizasyonu

    Fabrication and characterisation of InGaAs Gunn diode-based light emitting device

    GÖKSENİN KALYON

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AYŞE EROL

  2. III-V grubu alaşım yarı iletkenlerde Gunn olayına dayalı ışımanın incelenmesi

    Investigation of light emission based on Gunn effect in III-V group alloy semiconductor

    ÇAĞLAR ÇETİNKAYA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AYŞE EROL

  3. Yarıiletken gunn lazerlerin fabrikasyonu için ileri litografik yöntemlerin uygulamaları

    Applications of advanced lithographic techniques for the fabrication of semiconductor gunn lasers

    LEYLA BAŞAK BÜKLÜ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET ÇETİN ARIKAN

  4. Metal/n-tipi GaAs schottky diyotlarında havada oksitlenme ve yaşlanmanın akım-gerilim (I-V) ve kapasite, konduktans-gerilim, frekans (C,V-G,f) karakteristiklerine etkisi

    The Effects of oxidation in air and ageing on current-voltage (I-V) and capacitance, conductance-voltage, frequency (C,V-G,f) characteristics of metal n-type GaAs schottky diodes

    AHMET FARUK ÖZDEMİR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2002

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ALİ KÖKCE

  5. Servikal disk hernisine bağlı akut boyun ağrısında düşük doz lazer tedavisinin etkinliği

    The effectiveness of low level laser therapy in acute neck pain due to cervical disc herniation

    HAZAN ŞAHAN BUKO

    Tıpta Uzmanlık

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fiziksel Tıp ve RehabilitasyonÇukurova Üniversitesi

    Fiziksel Tıp ve Rehabilitasyon Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TUNAY SARPEL