InGaAs gunn diyodu tabanlı ışık yayan aygıt yapılarının yapısal ve elektriksel karakterizasyonu
Structural and electrical characterization of InGaAs gunn diode based light emitting device structures
- Tez No: 851140
- Danışmanlar: PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Metalurji Mühendisliği, Mühendislik Bilimleri, Physics and Physics Engineering, Metallurgical Engineering, Engineering Sciences
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2024
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Sivas Cumhuriyet Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 121
Özet
Bu çalışmada Metal Organik Buhar Fazı Epitaksi (MOVPE) tekniği kullanılarak InP alttaş üzerine büyütülen InGaAs Gunn diyodu tabanlı ışık yayan aygıt yapılarının yapısal ve elektriksel karakterizasyonu yapılmıştır. Aynı zamanda bu aygıt yapılarına mikrofabrikasyon teknikleri ile oluşturulmuş transfer uzunluk tekniği (transmission line method) ile detaylı elektriksel karakterizasyon yapılmıştır. Yapılan çalışmalarda Gunn diyodu tabanlı ışık yayan aygıtlar için çeşitli kalınlıklarda, katkılama seviyelerinde, In oranında ve AsH3 gazı ön akış süresinde büyütülen InGaAs tabakalarının yapısal ve elektriksel analizleri gerçekleştirilmiştir. Yapılan optimizasyon çalışmalarından sonra nihai aygıt hedefi olarak dalga kılavuzlu ve dalga kılavuzsuz olmak üzere InGaAs Gunn diyot yapıları büyütülmüş ve karakterize edilmiştir.
Özet (Çeviri)
In this study, structural and electrical characterizations of InGaAs Gunn diode-based light-emitting device structures grown on InP substrates using Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) technique have been conducted. Additionally, these device structures have undergone detailed electrical characterization through microfabrication techniques with the transmission line method. In the conducted studies, structural and electrical analyses of InGaAs layers grown with various thicknesses, doping levels, indium ratios, and AsH3 gas pre-flow durations for Gunn diode-based light-emitting devices have been performed. Following the optimization studies, InGaAs Gunn diode structures, with waveguide and without waveguide, have been grown and characterized as the ultimate device goal.
Benzer Tezler
- InGaAs Gunn diyodu tabanlı ışık yayan aygıt üretimi ve karakterizasyonu
Fabrication and characterisation of InGaAs Gunn diode-based light emitting device
GÖKSENİN KALYON
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYŞE EROL
- Electrıcal characterısatıon of InGaAs/GaAs quantum well and graphene semıconductor structures
InGaAs/GaAs kuantum kuyusu ve grafen yarıiletken yapıların elektriksel karakterizasyonu
ADAL. AB. MA. RAJHI ADAL. AB. MA. RAJHI
Doktora
İngilizce
2021
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYŞE EROL
- InGaAs/GaAs süperörgü yapılarının moleküler demet epitaksi (MBE) tekniğiyle büyütülmesi ve karakterizasyonu
Growth and characterization of InGaAs / GaAs super lattice structures grown via molecular beam epitaxy (MBE)
HALİL İBRAHİM EFKERE
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Bölümü
YRD. DOÇ. DR. TUNCAY KARAASLAN
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- InGaAs/InP ve InGaAs/GaAs kuantum kuyulu güneş hücrelerinin üretimi ve karakterizasyonu
The fabrication and characterization of InGaAs/InP ve InGaAs/GaAsquantum well solar cells
KÜRŞAT KIZILKAYA
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Bilim ve TeknolojiGazi ÜniversitesiKatıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Characterization of InGaAs detectors for non-contact radiation temperature measurements
Temassız radyasyon sıcaklığı ölçümleri için InGaAs detektörlerin karakterizasyonu
SEMİH YURTSEVEN
Yüksek Lisans
İngilizce
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEVLÜT KARABULUT
DR. SEDA OĞUZ AYTEKİN