Geri Dön

GaAs yarıiletken bileşiğinde elektron taşınım özelliklerinin monte carlo simülasyonu ile incelenmesi

Monte carlo study of electron transport properties in GaAs

  1. Tez No: 380644
  2. Yazar: BEKİR DEVECİ
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. MUSTAFA AKARSU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2015
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Eskişehir Osmangazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 71

Özet

Monte Carlo yönteminin yarıiletkenlerde yük iletimine uygulanması, kristal içerisinde elektrik alana maruz kalan bir elektronun hareketinin izlenmesinden oluşur. Elektrik alan içindeki bir elektronun hareketi sürüklenme ve saçılma süreçlerinden oluşur. Sürüklenme hareketine maruz kalan elektronun hızı, ivmesi, enerjisi, momentumu, dalga vektörü belirlenir. Elektron sahip olduğu enerji ile uyumlu olarak bir saçılmaya uğrar, saçılmanın tipine göre saçılmadan sonraki momentumu, enerjisi, hızı belirlenir. Bu süreç yeterince uzun bir süre izlenerek ortalamalar üzerinden elektronun hızı, enerjisi ve mobilitesi belirlenmiş olur. GaAs bileşiğinde elektron taşınımı 77 K, 300 K ve 450 K sıcaklıklarda, 2 ns lik simülasyon süresince incelendi. Elektron sürüklenme hızı, ortalama elektron enerjisi ve ortalama serbest zamanın elektrik alan ile değişimleri belirlendi. Simülasyon boyunca gerçekleşen saçılmaların etkinlikleri, toplam saçılma olayları içerisindeki yüzdeleri olarak belirlenerek, elektron sürüklenme hızı ve ortalama elektron enerjisi üzerindeki etkileri incelendi. Elektron mobilitesinin örgü sıcaklığı ve elektrik alan ile değişimi incelendi. GaAs üzerinde uygulanan elektrik alan, sıcaklık ve safsızlık konsantrasyonu değerleri değiştirilerek hareket hesapları yapılmış ve sonuçlar üzerinde karşılaştırmalar ve değerlendirmeler yapılmıştır.

Özet (Çeviri)

The Monte Carlo method, as applied to charge transport in semiconductors consists of following the movement of an electron subject to electric field in crystal. A movement of an electron in electric field consists of the processes of drift and scattering. The velocity, acceleration, energy, momentum, wave vector of an electron exposed to the movement of drift. Electron scatters correspondingly with its energy. According to the types of the scattering, its momentum and energy after scattering are determined. Electron's velocity, energy, mobility are determined taking averages into consideration after this process is followed enough. Electron transport in GaAs semiconductor compound was examined at 77 K, 300 K and 450 K temperatures during the simulation time of 2 ns. Changes of electron drift velocity, mean electron energy, and mean free time with the electric field were determined. The scattering activities occurred during the simulation were determined as percentages in total scattering events, and effects of these scatterings on the electron drift velocity and mean electron energy were examined. Electron mobility was studied as a function of lattice temperature and electric field. Calculations of motion are done thereby values of applied electric field on GaAs, temperature and concentration of impurity are changed, comparisons and evaluations are done about the results.

Benzer Tezler

  1. Nano-scale chemically modified thin film characterization for chemical mechanical planarization applications

    Nano-boyutta kimyasal modifiye edilmiş ince filmlerin kimyasal-mekanik düzleştirme uygulamaları için karakterizasyonu

    AYŞE KARAGÖZ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Mühendislik BilimleriÖzyeğin Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. GÜL BAHAR BAŞIM DOĞAN

  2. GaAs/InxGa1-xAs kuantum kuyularının elektronik enerji spektrumu

    GaAs/ InxGa1-xAs quantum wells electronic energy spectrum

    MEHMET ALİ TOPRAK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ

  3. II-VI bileşiklerinin elektriksel ve optiksel özelliklerinin incelenmesi

    Investigations of electrical optical properties of II-VI compounds

    FUNDA KIYMET ACIOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    Y.DOÇ.DR. M. CELALETTİN BAYKUL

  4. First-principles study of GaAs/AlAs nanowire heterostructures

    GaAs/AlAs nanotel heterojen yapılarda ilk-prensipler hesabı

    SELMA ŞENOZAN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET TOMAK

  5. Ti/n-GaAs/In metal/yarıiletken/metal kontakların numune sıcaklığına bağlı akım-voltaj ve kapasite-voltaj karakteristiklerinin incelenmesi

    Analyzes of temperature dependent I-V and C-V properties of Ti/n-GaAs/In metal/semiconductor/metal contacts

    FATMA URHAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ÇİĞDEM NUHOĞLU