Ti/n-GaAs/In metal/yarıiletken/metal kontakların numune sıcaklığına bağlı akım-voltaj ve kapasite-voltaj karakteristiklerinin incelenmesi
Analyzes of temperature dependent I-V and C-V properties of Ti/n-GaAs/In metal/semiconductor/metal contacts
- Tez No: 335088
- Danışmanlar: PROF. DR. ÇİĞDEM NUHOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: GaAs yarıiletkeni, metal-yarıiletken kontaklar, homojen olmayan Schottky engel yüksekliği, sıcaklığa bağımlı diyot parametreleri, GaAs semiconductor, metal-semiconductor contact, inhomogeneous Schottky barrier height, the diode parameters dependent on temperature
- Yıl: 2013
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Serbest taşıyıcı yoğunluğu 7,3x1015 cm-3 olan n-tipi GaAs yarıiletken kristali Taban malzeme olarak kullanıldı. Ti metali Schottky kontak ve In metali omik kontak olarak kullanılmıştır. Böylece, Ti/n-GaAs/In Schottky diyotları sputter (saçtırma) tekniği ile üretilmiştir. Diyotumuzun akım-gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim (C-V) ölçümleri 80-320 K sıcaklık aralığında 20 K?lik adımlarla incelenmiştir. Numune sıcaklığına bağlı olarak, karakteristik diyot parametreleri olan Schottky engel yüksekliği ve idealite faktörü değerleri doğru beslem akım-gerilim verilerinden hesaplanmış ve grafikleri çizilmiştir. Engel yüksekliğinin azalan numune sıcaklığıyla azaldığı ve idealite faktörünün arttığı gözlenmiştir. Bu ideal olmayan davranışın engelin yüksekliğinin yanal inhomojenliğinden ileri geldiği düşünülmüştür. C-2-V grafiği kullanılarak difüzyon potansiyeli, iyonize olmuş donor konsantrasyonu, Fermi enerji seviyesi, engel yükseklikleri ve engel yüksekliğinin sıcaklık katsayısı (-0.65 meV/K) hesaplanmıştır. Ayrıca, düşük sıcaklıklarda termiyonik alan emisyon akımının az da olsa etkin olduğu gözlenmiştir.
Özet (Çeviri)
It has been used GaAs semiconductor substrate whıch has a free carrier concentration of 7,3x1015 cm-3. Ti/n-GaAs Schottky barrier diodes have been fabricated from this semiconductor by magnetron DC sputtering. It has been investigated the I-V and C-V characteristics in the temperature range of 80-320 K. The ideality factor and barrier height (BH) values have been calculated from the forward I-V characteristics. The variation of the diode parameters with the sample temperature has been attributed to the presence of the lateral inhomogeneities of the barrier height. The temperature dependent C-V-T characteristics have been measured to calculate the carrier concentration, diffusion potential, barrier height, Fermi energy level and BH temperature coefficient (a = -0.65 meVK-1). It has been seen that the thermionic field emission current is dominated at low temperatures. The fact that the BH temperature coefficient changes from metal to metal has been ascribed to the chemical nature of the contact metal or metal electronegativity.
Benzer Tezler
- Metal/III-V yarıiletken n-GaAs metal doğrultucu kontakların numune sıcaklığına bağlı diyot karakteristiklerinin bazı metotlarla irdelenmesi
Investigation by means of some methods of temperature-dependent diode characteristics of metal/III-V semiconductor n-GaAs rectifying contacts
DURMUS ALİ ALDEMİR
Doktora
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ALİ KÖKCE
- Sılar metoduyla elde edilen Cd/CdS/n-GaAs/In yapının karakteristiklerinin numune sıcaklığına bağlı olarak incelenmesi
Investigation of characteristics of the Cd/CdS/n-GaAs/In structure depending on sample temperature obtained by Sılar method
ELVAN BUĞUR
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA SAĞLAM
- Atomik katman kaplama tekniği ile sentezlenen nano-ölçekli AL2O3 ara katmanlı, yarıiletken malzeme temelli schottky diyotların sıcaklığa bağlı elektriksel karakterizasyonu
Temperature dependent electrical characterization of schottky diodes with nanoscale AL2O3 interfacial layers synthesized via atomic layer deposition technique
ABDULKERİM KARABULUT
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDULMECİT TÜRÜT
YRD. DOÇ. DR. NECMİ BIYIKLI
- GaAs tabanlı yarı iletken aygıtlar için düşük dirençli ohmik kontak yapılarının geliştirilmesi
Development of low resistance ohmic contact structures for GaAs based semiconductor devices
KORAY KESER
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA KULAKCI
- n-GaAs yarı iletkeni üzerine Schottky diyotunun yapımı, diyotun elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Production of Schottky diode on n-type GaAs semiconductor, and investigating its electrical properties
ŞAKİR ŞANE
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiNiğde ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. REFİK KAYALI