Fabrication and a complete structural, optical and electrical analysis of porous Ge nanostructures embedded in a dielectric matrix: Possibility of third-generation solar cell applications
Gözenekli Ge nanoyapıların dielektrik matris içerisinde üretimi ve yapısal, optik ve elektriksel analizi: Olası üçüncü nesil güneş gözesi uygulamaları
- Tez No: 384957
- Danışmanlar: PROF. DR. RAŞİT TURAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2014
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 89
Özet
Bu tezin temel amacı, gözenekli Ge nanoyapılarındielektrik matris içinde sentezlenmesi; yapısal, optik ve elektriksel karakterizasyonunun yapılmasıdır. Ge nanoyapılarınpotensiyel olarak yüksek enerji dönüşüm verimliklikleri sayesinde, Si nanoyapılara alternatif olarak üçüncü nesil güneş gözelerinde kullanılması düşünülebilir. Şimdiye kadar olan araştırmalar çoğunlukla kuvantum noktacıkların fotovoltaik uygulamalardaki kullanımına yoğunlaşmıştır. Söz konusu yapılar eksitonlara kuvantum sınılandırması sağlamasına rağmen, dielektrik matris içerisinde tünelleme olasılığına dayanan elektriksel bağlantı problemleri içermektedir. Buna alternatif olarak, bu çalışmada buhar depolama yöntemi ile (magnetron saçtırma) dielektrik matris içerisine gömülü olarak üretilecek gözenekli Ge nanoyapıların kullanımı önerilmektedir. Bu Ge nanokristaller bir ağ içerisinde birbirlerine bağlı oldukları için elektriksel bağlantıları bir tünelleme mekanizması gerektirmez. Ayrıca, dielektrik yapısının ve Ge içeriğinin ayarlanması sayesinde kuvantum sıkışmasının korunması önerilmektedir.
Özet (Çeviri)
The primary goal of this thesis is to synthesize porous Ge nanostructures embedded in a dielectric matrix and perform a complete structural, optical and electrical characterization. Ge nanostructures can be a good candidate for use in third-generation solar cells, since they are alternative to Si nanostructures owing to their potentially higher photon conversion efficiencies. So far, most of the research is focused on the use of quantum dot structures in photovoltaic applications; although they provide quantum confinement of excitons, their drawback is the difficulties in electrical connection, which relies on tunneling probability through the dielectric matrix. As an alternative, we propose fabrication of porous Ge nanostructures embedded in a dielectric matrix via magnetron-sputtering technique, which is an interconnected Ge nanocrystal network where the electrical connection does not require any tunneling mechanism. We also suggest a way to preserve the quantum confinement effectby carefully tailoring the Ge content and engineering the structure of dielectric matrix.
Benzer Tezler
- Son gelişmelere göre bilgisayar destekli enerji iletim hatları tasarımı
Transmission lines design according to recent advances with computer
SABAHATTİN YILDIRIM
Yüksek Lisans
Türkçe
1991
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. NESRİN TARKAN
- Design, fabrication and characterization of subwavelength-scale distance sensors based on optical directional coupling
Optik yönlü bağlaşım temelli dalgaboyu-altı mesafe ölçüm sensörlerinin tasarımı, imalatı ve karakterizasyonu
SHAHAB BAKHTIARI GORAJOOBI
Yüksek Lisans
İngilizce
2013
Mekatronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMekatronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ERDAL BULĞAN
- Kaplama basıncının amorf InGaZnO ince filmler ve Schottky diyotlar üzerindeki etkisinin incelenmesi
Investigation of the effect of deposition pressure on amorphous InGaZnO thin film and Schottky diodes
GÜRKAN KURTULUŞ
Doktora
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Effects of pressure and bias voltage on the morphology and properties of refractory WNbMoV high entropy thin films coated via magnetron sputtering
Basınç ve bıas voltajının, magnetron sıçratma yoluyla kaplanmış refrakter WNbMoV yüksek entropili ince filmlerin morfolojisi ve özellikleri üzerindeki etkileri
SEVDA JAFARI AGHDAM
Yüksek Lisans
İngilizce
2024
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA LUTFİ ÖVEÇOĞLU
- Fabrication and characterization of nbn Inas/Gasb/B-Al(x)ga(1-x)sb type-II superlattice detectors with dual-color detection in mwir
Orta dalga boyunda çift renkli algılama yapabilen nbn Inas/Gasb/B-Al(x)ga(1-x)sb tip-II süperörgü dedektörlerin fabrikasyonu ve karakterizasyonu
UTKU ÇEKMEZ
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TAYFUN AKIN
DOÇ. DR. KIVANÇ AZGIN