Geri Dön

Fabrication and a complete structural, optical and electrical analysis of porous Ge nanostructures embedded in a dielectric matrix: Possibility of third-generation solar cell applications

Gözenekli Ge nanoyapıların dielektrik matris içerisinde üretimi ve yapısal, optik ve elektriksel analizi: Olası üçüncü nesil güneş gözesi uygulamaları

  1. Tez No: 384957
  2. Yazar: BURCU ALTUNTAŞ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. RAŞİT TURAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2014
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 89

Özet

Bu tezin temel amacı, gözenekli Ge nanoyapılarındielektrik matris içinde sentezlenmesi; yapısal, optik ve elektriksel karakterizasyonunun yapılmasıdır. Ge nanoyapılarınpotensiyel olarak yüksek enerji dönüşüm verimliklikleri sayesinde, Si nanoyapılara alternatif olarak üçüncü nesil güneş gözelerinde kullanılması düşünülebilir. Şimdiye kadar olan araştırmalar çoğunlukla kuvantum noktacıkların fotovoltaik uygulamalardaki kullanımına yoğunlaşmıştır. Söz konusu yapılar eksitonlara kuvantum sınılandırması sağlamasına rağmen, dielektrik matris içerisinde tünelleme olasılığına dayanan elektriksel bağlantı problemleri içermektedir. Buna alternatif olarak, bu çalışmada buhar depolama yöntemi ile (magnetron saçtırma) dielektrik matris içerisine gömülü olarak üretilecek gözenekli Ge nanoyapıların kullanımı önerilmektedir. Bu Ge nanokristaller bir ağ içerisinde birbirlerine bağlı oldukları için elektriksel bağlantıları bir tünelleme mekanizması gerektirmez. Ayrıca, dielektrik yapısının ve Ge içeriğinin ayarlanması sayesinde kuvantum sıkışmasının korunması önerilmektedir.

Özet (Çeviri)

The primary goal of this thesis is to synthesize porous Ge nanostructures embedded in a dielectric matrix and perform a complete structural, optical and electrical characterization. Ge nanostructures can be a good candidate for use in third-generation solar cells, since they are alternative to Si nanostructures owing to their potentially higher photon conversion efficiencies. So far, most of the research is focused on the use of quantum dot structures in photovoltaic applications; although they provide quantum confinement of excitons, their drawback is the difficulties in electrical connection, which relies on tunneling probability through the dielectric matrix. As an alternative, we propose fabrication of porous Ge nanostructures embedded in a dielectric matrix via magnetron-sputtering technique, which is an interconnected Ge nanocrystal network where the electrical connection does not require any tunneling mechanism. We also suggest a way to preserve the quantum confinement effectby carefully tailoring the Ge content and engineering the structure of dielectric matrix.

Benzer Tezler

  1. Son gelişmelere göre bilgisayar destekli enerji iletim hatları tasarımı

    Transmission lines design according to recent advances with computer

    SABAHATTİN YILDIRIM

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1991

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. NESRİN TARKAN

  2. Design, fabrication and characterization of subwavelength-scale distance sensors based on optical directional coupling

    Optik yönlü bağlaşım temelli dalgaboyu-altı mesafe ölçüm sensörlerinin tasarımı, imalatı ve karakterizasyonu

    SHAHAB BAKHTIARI GORAJOOBI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2013

    Mekatronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Mekatronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ERDAL BULĞAN

  3. Kaplama basıncının amorf InGaZnO ince filmler ve Schottky diyotlar üzerindeki etkisinin incelenmesi

    Investigation of the effect of deposition pressure on amorphous InGaZnO thin film and Schottky diodes

    GÜRKAN KURTULUŞ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK

  4. Effects of pressure and bias voltage on the morphology and properties of refractory WNbMoV high entropy thin films coated via magnetron sputtering

    Basınç ve bıas voltajının, magnetron sıçratma yoluyla kaplanmış refrakter WNbMoV yüksek entropili ince filmlerin morfolojisi ve özellikleri üzerindeki etkileri

    SEVDA JAFARI AGHDAM

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA LUTFİ ÖVEÇOĞLU

  5. Fabrication and characterization of nbn Inas/Gasb/B-Al(x)ga(1-x)sb type-II superlattice detectors with dual-color detection in mwir

    Orta dalga boyunda çift renkli algılama yapabilen nbn Inas/Gasb/B-Al(x)ga(1-x)sb tip-II süperörgü dedektörlerin fabrikasyonu ve karakterizasyonu

    UTKU ÇEKMEZ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Mikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TAYFUN AKIN

    DOÇ. DR. KIVANÇ AZGIN