Kızılötesi dedektör uygulamaları için ınassb ve gaınassb bileşiklerinin gaas alttaş üzerine mbe tekniği ile büyütülmesi
Growth of inassb and gainassb compounds on gaas substrate by mbe technique for infrared detector applicatons
- Tez No: 386855
- Danışmanlar: DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2015
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Anadolu Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 133
Özet
Bu tez çalışmasında, InAsSb ile GaInAsSb üçlü ve dörtlü bileşikleri GaAs alttaş üzerine yüksek kalitede MBE tekniği ile büyütülüp yapısal, optik ve opto-elektronik karakterizasyonları yapılmıştır. Örnekler, GaAs düzeltme katmanlı ve GaSb geçiş katmanlı olarak konsantrasyona bağımlı bir şekilde sistematik olarak büyütülmüş, kristal kaliteleri ve örnek konsantrasyonu yüksek çözünürlüklü X-ışınımı kırınımı tekniği ile incelenmiştir. Sitrik asit ve hidroklorik asit çözeltisi için InAs1-xSbx örneklerinin konsantrasyona bağlı aşındırma hızları belirlenmiştir. Raman spektroskopisi tekniği ile örgü dinamikleri hakkında bilgi edinilmiş ve InAs1-xSbx (x≥0,55) yapılarının iki-kipli InAs- ve InSb-benzeri boyuna optik fonon frekansına sahip olduğu sonucuna varılmıştır. Ayrıca, bu yapıların InSb-benzeri karmaşık-kipli akustik fonon frekansına sahip olduğu görülmüş ve Raman frekans doruklarının yerleri x konsantrasyonun bir fonksiyonu olarak sunulmuştur. Orta dalgaboylu kızılötesi bölgede algılama yapmak üzere tasarlanan InAs1-xSbx fotodedektör yapılarının, fototepki ölçümleriyle kesim dalga boyu ve bant aralığı enerjileri belirlenmiştir.. Dedektör yapılarının sıcaklık bağımlı karanlık akım ölçümlerinden aktivasyon enerjileri elde edilmiş ve karanlık akıma etki eden mekanizmalar bulunmuştur. Yakın dalgaboylu kızılötesi bölgede algılama yapmak üzere tasarlanan GaxIn1-xAsySb1-y yapılarının bant enerjileri fotolüminesans ve fototepki ölçümleri sonucunda bulunmuştur.
Özet (Çeviri)
In the scope of this thesis, high quality InAsSb/GaInAsSb ternary and quaternary compounds were grown on GaAs substrates by MBE technique and their structral, optical and opto-electronic properties were studied. The samples were grown systematically depending on the concentration by using either GaAs buffer layer or GaAs buffer layer with GaSb transition layer. Their crystal quality were investigated by means of high resolution X-ray diffraction technique. Etching rate of InAs1-xSbx epilayers were determined depening on the concentration for citric and hydrochloric acid solution. By Raman spectroscopy, their lattice dynamics were examined and it was shown that InAs1-xSbx (x≥0,55) structures exhibited two-mode InAs- and InSb-like longitudinal optical phonon frequencies. Furthermore, in acoustic phonon region these structures presented InSb-like mix-mode acoustic and all Raman frequency peak locations were defined by equations as a function of x concentration. The cutoff wavelengths and band gap energies of InAs1-xSbx photodetectors were determined and designed that they have a detection in mid-wavelength infrared region. The activation energies were obtained from temperature-dependent dark current measurements of the detector structure and found the mechanisms that affect the dark current. Band gap energies of GaxIn1-xAsySb1-y photodetectors were identified by using photoluminescence and photoresponse measurements. It was observed that the diodes have a photoresponse in the near infrared region.
Benzer Tezler
- Bulk growth and characterization of cadmium zinc telluride crystals for mercury cadmium telluride infrared detector applications
Civa kadmiyum tellür kızılötesi dedektör uygulamaları için kadmiyum çinko tellür kristallerinin hacimsel büyütülmesi ve karakterizasyonu
HASAN YASİN ERGUNT
Yüksek Lisans
İngilizce
2012
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RAŞİT TURAN
PROF. DR. CENGİZ BEŞİKCİ
- A CMOS compatible uncooled infrared detector focal plane array for night vision applications using MEMS technology
Gece görüş uygulamaları için MEMS teknolojisi kullanarak üretilen CMOS uyumlu soğutmasız kızılötesi dedektör odak düzlem matrisi
DENİZ SABUNCUOĞLU TEZCAN
Doktora
İngilizce
2002
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. TAYFUN AKIN
- Design and implementation of a single slope ADC for digital output cooled infrared readout integrated circuits
Sayısal çıkışlı soğutmalı kızılötesi dedektör okuma devreleri için tek rampalı analog sayısal çevirici tasarımı
FATİH AKYÜREK
Yüksek Lisans
İngilizce
2016
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BARIŞ BAYRAM
- Barrier engineering for high-performance nBn infrared photodetectors
Yüksek performanslı nBn kızılötesi fotodedektörler için bariyer mühendisliği
FATİH UZGUR
Doktora
İngilizce
2020
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SERDAR KOCAMAN
DOÇ. DR. ALPAN BEK
- Uncooled infrared focal plane arrays with integrated readout circuitry using MEMS and standard CMOS technologies
MEMS ve standart CMOS teknolojileri ile entegre okuma devreli soğutmasız kızılötesi odak düzlem matrisleri
SELİM EMİNOĞLU
Doktora
İngilizce
2003
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. TAYFUN AKIN