Geri Dön

Yarıiletken polimer (P3DMTFT) arayüzeyli Au/n-GaAs Schottky yapının akım-gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim-frekans (C-V-f) özelliklerinin karakterizasyonu )

Characterization of current-voltage (I-V) and capacitance-voltage-frequency (C-V-f) features of Au/n-GaAs Schottky structure with interface semiconducting polymer (P3DMTFT)

  1. Tez No: 392009
  2. Yazar: DİLARA ECEM AKCAN
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. AHMET FARUK ÖZDEMİR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2015
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Süleyman Demirel Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 77

Özet

Bu çalışmada Au/P3DMTFT/n-GaAs/Au Schottky diyodunun elektriksel özellikleri oda sıcaklığında araştırıldı. Au/P3DMTFT/n-GaAs/Au Schottky diyodunun üretiminde [100] doğrultusunda büyütülmüş, 1,01x10-1 Ω-cm özdirence sahip n-GaAs kullanılmıştır. Akım-gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim-frekans (C-V-f) ölçümleri yardımıyla diyot parametreleri elde edilmiştir. Diyodun akım-gerilim (I-V) karakteristikleri Termoiyonik Emisyon teorisi kullanılarak incelendi. Akım-gerilim (I-V) karakteristiğinden sıfır beslem engel yüksekliği (Φ_b0 ) ve idealite faktörü (n) bulunmuştur. Aynı zamanda idealite faktörü (n), engel yüksekliği ( Φ_b) ve seri direnç (R_s) değerleri Cheung ve Norde fonksiyonları kullanılarak hesaplandı. Bu farklı yöntemlerle elde edilen diyot parametreleri birbiri ile karşılaştırıldı. Au/P3DMTFT/n-GaAs/Au Schottky diyodunun frekansa bağlı kapasite-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) karakteristikleri seri direnç (R_s) ve arayüzey durumlarının (N_ss) etkisi dikkate alınarak geniş frekans aralığında incelendi (100 kHz-3 MHz). Ayrıca Schottky diyodunun; difüzyon potansiyeli (V_d), engel yüksekliği (Φ_b), katkılanan verici atomlarının yoğunluğu (N_D), Fermi seviyesi (E_F) gibi karakteristik parametreleri 3 MHz için C-2-V karakteristiğinden elde edilmiştir. Deneysel sonuçlar, hazırlanan Schottky diyodun elektriksel karakteristiklerinde, engel yüksekliklerindeki homojensizliklerin, arayüzey durumlarının ve seri direncin önemli bir rol oynadığını göstermiştir.

Özet (Çeviri)

In this study, electrical properties of Au/P3DMTFT/n-GaAs/Au Schottky diode was investigated at room temperature. n-GaAs with [100] orientation which has 1,01x10-1 Ω-cm resistivity has been used to fabricate Au/P3DMTFT/n-GaAs/Au Schottky diode. The characteristic parameters of the diode have been obtained by using the current-voltage (I-V) and the capacitance-voltage-frequency (C-V-f) measurements. Current-voltage (I-V) characteristics of diode were studied by using Thermionic Emission theory. A zero bias barrier height (Φ_b0 ) value and ideality factor (n) value have been obtained from current-voltage (I-V) characteristic. Also, the values of ideality factor (n), barrier height ( Φ_b) and series resistance (R_s) were obtained by using the Cheung's and Norde methods. The parameters that obtained from the different methods are compared with each other. Frequency dependent capacitance-voltage (C−V) and conductance-voltage (G/w−V) characteristics of the Au/P3DMTFT/n-GaAs/Au structure have been investigated by considering the effect of series resistance (R_s) and interface states (N_ss) in the wide frequency range (100 kHz-3 MHz). Furthermore, the characteristic parameters of Schottky diode such as diffusion potential (V_d), barrier height 〖(Φ〗_b), doping density of donor atoms 〖(N〗_D), Fermi level (E_F) were determined from C-2-V characteristic for 3 MHz. Experimental results show that inhomogeneities in the barrier heights, interface states and series resistance have played an important role in the electrical characteristics of prepared Schottky diode.

Benzer Tezler

  1. Au/yarıiletken polimer (P3DMTFT)/n-GaAs Schottky yapının elektriksel parametrelerinin sıcaklık bağımlılığı

    The analysis of temperature dependence of Au/semiconductor polymer (P3DMTFT)/n-GaAs Schottky diode parameters

    YILMAZ KANSIZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel Üniversitesi

    Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ALİ KÖKCE

  2. Au/ poli(3-sübsitüetiyofen) (P3DMTFT)/n-tipi InP/In yapının elektriksel karakterizasyonu

    Electricalcharacterization of Au/poly (3-substitutethiophene) (P3DMTFT) /n-type lnP/ln structures

    SELDA KARATAŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ALİ KÖKCE

  3. Fabrication and testing of polymer thin film transistors for basic digital circuits

    Temel sayısal devreler için polimer ince film transistörlerin üretimi ve testi

    ORHAN MERT

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2009

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiBoğaziçi Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ŞENOL MUTLU

  4. Organik pil elektrodu tasarımı için elektronik yapı teorisi

    Electronic structure theory for organic battery electrode design

    ENİS YAZICI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ÇETİN KILIÇ

  5. Bazalt katkılı polianilinin elektriksel özelliklerinin karakterizasyonu

    Characterization of electrical properties of basalt reinforced polyaniline

    MEHMET AKİF YILMAZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MUSTAFA OKUTAN