Au/ poli(3-sübsitüetiyofen) (P3DMTFT)/n-tipi InP/In yapının elektriksel karakterizasyonu
Electricalcharacterization of Au/poly (3-substitutethiophene) (P3DMTFT) /n-type lnP/ln structures
- Tez No: 296809
- Danışmanlar: PROF. DR. ALİ KÖKCE
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Süleyman Demirel Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 135
Özet
Bu çalışmada, Poli(3-sübsitüetiyofen)(P3DMTFT) iletken polimer arayüzey tabakasına sahip Au/n-InP kontağın elektriksel özellikleri çalışıldı. Polimer arayüzeyli Au/n-InP kontağın imali için, (100) yönelimli, 500 ?m kalınlığında n-lnP kristali kullanıldı. Au/Poli(3-sübsitüetiyofen)(P3DMTFT)/n-InP/ln yapı diyot özelliği göstermiştir Akım-gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim (C-V) ölçümlerinin yardımıyla, diyodun karakteristik parametreleri elde edilmiştir. Bütün ölçümler oda sıcaklığında ve karanlıkta gerçekleştirilmiştir. Au/Poli(3-sübsitüetiyofen) (P3DMTFT)/n-InP/ln yapısının idealite faktörü ve engel yüksekliği değeri I-V karakteristiğinden 0,70 eV ve 2,01 olarak elde edilmiştir. Diyot ideal olmayan davranış göstermiştir. Oda sıcaklığında Au/P3DMTFT/n-InP/ln diyodunun idealite faktörü ve engel yüksekliği değeri, geleneksel Au/n-lnP Schottky diyodundan önemli ölçüde büyük bulunmuştur. Seri direnç değeri Cheung fonksiyonları ve Norde fonksiyonları yardımıyla bulunmuştur. Cheung fonksiyonlarından elde edilen kontak parametreleri ile Norde fonksiyonundan elde edilen kontak parametreleri karşılaştırılmıştır. Diyodun ters beslem C?2?V karakteristiğinden taşıyıcı yoğunluğu 1,37×1015 cm-3 ve engel yüksekliği 0,379 eV olarak elde edilmiştir. C-V ölçümlerinden bulunan engel yüksekliği değeri I-V ölçümlerinden bulunan engel yüksekliği değerinden daha küçüktür. Engel yükseklikleri arasındaki farklılık aşırı kapasitenin varlığı ve engel yüksekliğinin düzgün olmayan dağılımı ile açıklanabilir.Bu çalışmada metal-yarıiletken arasında oluşturulan P3DMTFT tabakasının, engel yüksekliğini değiştirerek 0,7 eV civarına yükselttiği ve bu haliyle yapının daha iyi bir doğrultma özelliği kazandığı belirlenmiştir.
Özet (Çeviri)
In this study, the electrical properties of Au/n-InP contact with a conducting polymer Poli(3-sübsitüetiyofen)(P3DMTFT ) interfacial layer has been studied. An n-lnP crystal which has (100) orientation and 500 ?m thickness has been used on the production of the Au/n-InP contact with the polymer interfacial layer. Au/Poli(3-sübsitüetiyofen)(P3DMTFT)/n-InP/ln structure has shown diode-like behavior. The typical parameters of Au/Poli(3-sübsitüetiyofen)(P3DMTFT)/n-InP/ln Schottky diode have been determined from the current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) measurements. All measurements have been carried out at room temperature and in dark. Ideality factor and barrier height value of the Au/Poli(3-sübsitüetiyofen)(P3DMTFT)/n-InP/ln structure have been determined from the I-V characteristic as 0.70 eV and 2.01, respectively. At room temperature, the ideality factor and barrier height value of Au/Poli(3-sübsitüetiyofen)(P3DMTFT)/n-InP/ln structure have been found out significantly bigger, as compared to the ones of the conventional Au/n-lnP Schottky diode. Series resistance (Rs) has been calculated by means of Cheung functions are compared with the ones obtained from Norde functions. Doping density and barrier height determined from the reverse bias C-2-V characteristic of the structure have been found as 1.37×1015 cm3 and 0.379 eV, respectively. The barrier height value obtained from the C-V measurements is much bigger than the ones obtained the I-V measurements. This inconsistency between the two values of the barrier height results from the presence of the excess capacitance and the barrier inhomogeneity.It has been concluded that P3DMTF interfacial layer modifies the barrier height and increases it about 0.7 eV. Therefore, the Au/Poli(3-sübsitüetiyofen)(P3DMTFT)/n-InP/ln structure can be used as rectifier in diode applications.
Benzer Tezler
- Au/poli(3-Sübsitüetiyofen) (P3DMTFT)/n-GaAs schottky kontakların fotovoltaik ve elektriksel özellikleri
Photovoltaic and electrical properties of Au/ poly (3-Subsitutethiophene) (P3DMTFT)/n-GaAs schottky contacts
HAVVA ELİF LAPA
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ALİ KÖKCE
- Elektrokromik uygulamalarda kullanılabilecek Diaminobenzo[c]sinolin-5-oksit temelli yeni polimer ve polimer kompozitlerinin üretimi ve karakterizasyonu.
Production and characterization of a new diaminobenzo[c]cinnolines-5-oxide based polymer and polymer composites that used in electrochromic applications
FAHRİYE SARI
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Kimya MühendisliğiSelçuk ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HANDAN GÜLCE
- Poli(3,4-etilendioksitiyofen)/elektrokimyasal indirgenmiş grafen oksit (PEDOT/ERGO), prussian blue/elektrokimyasal indirgenmiş grafen oksit (PB/ERGO) ve PEDOT/PB/ERGO elektrotların elektrokimyasal sentezi ve karakterizasyonu
Electrochemical synthesis and characterization of poly (3,4-ethylenedioxythiophene)/electrochemically reduced graphene oxide (PEDOT/ERGO), prussian blue/ electrochemically reduced graphene oxide (PB/ERGO) and PEDOT/PB/ERGO electrodes
MESUT ERYİĞİT
- Hibrit güdümlü mikromotorlar
Hybrid driven micromotors
GAMZE ÇELİK ÇOĞAL
Doktora
Türkçe
2021
KimyaSüleyman Demirel ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYŞEGÜL ÖKSÜZ
PROF. DR. VENKAT R. BHETHANABOTLA
- Au/p-Si yapılarının elektriksel özellikleri üzerine arayüzey tabakasının etkisi
The effect of interface layer on the electrical characteristics of au / p-Si structures
MİNE KESKİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ