Geri Dön

Üçlü bileşik yarıiletken AgIn5S8 ve dörtlü bileşik yarıiletken TlGaSeS tek kristallerinde ısıl uyarılmış akım ölçümleri

Thermally stimulated current measurements in ternary compound semiconductor AgIn5S8 and quaternary compound semiconductor TlGaSeS single crystals

PDF İndir

  1. Tez No: 394564
  2. Yazar: BEKİR SÜLÜNHAT
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. TACETTİN YILDIRIM
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2015
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Nevşehir Hacı Bektaş Veli Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 84

Özet

AgIn5S8 tek kristallerinde ısıl uyarılmış akım (IUA) ölçümleri 10-70 K sıcaklık aralığında yapıldı. IUA verilerinin analizinden 5 meV'a yerleşmiş bir elektron tuzağı bulundu. Tuzakların aktivasyon enerjisi değişik yöntemler kullanarak hesaplandı ve sonuçlar birbiriyle uyumlu oldugu görüldü. Tuzakların yakalama tesir kesiti 2.2 x 10-25 cm2 ve konsantrasyonu 6.1 x 1012cm-3 olarak hesaplandı. Deneysel veriler ve teorik öngörüler yavaş yeniden tuzaklama modelini doğrulamaktadır. TlGaSeS tek kristallerinde yük taşıyıcı tuzakları IUA ölçümleriyle çalışıldı. 12 meV'a yerleşmiş hol tuzağı ile 13, 20 ve 50 meV'a yerleşmiş elektron tuzakları bulundu. Değişik yöntemler kullanılarak tuzak parametreleri hesaplandı ve sonuçlar birbiriyle uyumluydu.TlGaSeS tek kristallerine iyon ekme tekniği ile oda sıcaklığında azot iyonları ekildi ve IUA ölçümleriyle etkisi incelendi. 6 meV'a yerleşmiş sığ elektron tuzağı ile 0.80 eV'a yerleşmiş derin hol tuzağı bulundu. Elektron ve hol tuzak merkezlerinin tuzak parametreleri hesaplandı.

Özet (Çeviri)

Thermally stimulated current measurements (TSC) were carried out on as-grown AgIn5S8 single crystals. The investigations were performed in temperatures ranging from 10 to 70 K with heating rate of 0.2 K s-1. The analysis of the data revealed the electron trap level located at 5 meV. The activation energies of the traps have been determined using various methods of analysis, and they agree with each other. The calculation for these traps yielded 2.2 × 10-25 cm2 for capture cross section and 6.1 × 1012 cm-3 for the concentration. It was concluded that in this center retrapping was negligible, as confirmed by the good agreement between the experimental results and the theoretical predictions of the model that assumes slow retrapping.Charge carrier traps in TlGaSeS single crystals were studied by thermally stimulated currentmeasurments. Experimental evidences were found for the presence of hole trapping center located at 12 meV from valance band and electron trapping center located at 13, 20, 50 meV from conduction band. The trap parameters have been calculated using various methods of analysis, and these agree well with each other. TlGaSeS single crystals have been implanted by ion implantation technique. The samples were bombarded at room temperature by nitrogen ion. The effect of N implantation was studied by thermally stimulated current measurments. Experimental evidences were found for the presence of electron trapping center and hole trapping center with activation energy of 6 meV and 0.80 eV, respectively. The trap parameters have been calculated for electron and hole trapping centers.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    380497

    Bakır oksit nanoyapılarının UPD temeline dayanan elektrokimyasal bir yöntemle atomik seviye kontrollü sentezi ve karakterizasyonu

    Copper oxide nanostructures atomic with the UPD basic level based electrochemical method for a controlled synthesis and characterization

    CEMİLE KARTAL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    KimyaAtatürk Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. TUBA ÖZNÜLÜER

  2. Tez No

    888704

    Yarıiletken malzemelerin bir mikroplazma hücredeki optik ve elektriksel davranışlarının incelenmesi

    Examination of the optical and electrical behaviours of semiconductors in a microplasma cell

    ERHAN ONGUN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HATİCE HİLAL YÜCEL

  3. Tez No

    483645

    NİO, NiCr2O4 ve α-Fe2O3 ince filmlerinin büyütülmesi, karekterizasyonu ve NiO ince filmlerinin gaz sensörü özelliğinin incelenmesi

    Magnification of NİO, NiCr2O4 and α-Fe2O3 thin films, characterization and investigation of gas sensor properties of NiO thin films

    ERDAL TURGUT

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUHAMMET YILDIRIM

    DOÇ. DR. TEVHİT KARACALI

  4. Tez No

    479489

    SO3 grup içeren ftalosiyanin sentezi ve karakterizasyonu

    Synthesis and characterisation of phthalocyanine which containing SO3 moiety

    KÜBRA BİLGİÇ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    BiyomühendislikÇanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi

    Biyomühendislik ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. AHMET LÜTFİ UĞUR

  5. Tez No

    441981

    Material and device characterization of ZnInSe2 and Cu0.5Ag0.5InSe2 thin films for photovoltaic applications

    ZnInSe2 ve Cu0.5Ag0.5InSe2 ince filmlerinin fotovoltaik uygulamalar için malzeme ve aygıt karakterizasyonu

    HASAN HÜSEYİN GÜLLÜ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET PARLAK

    PROF. DR. AYŞE ÇİĞDEM ERÇELEBİ

Geri Dön