Geri Dön

n-InP yarıiletkeni ile hazırlanan TiO2 arayüzey tabakalı metal yarıiletken kontakların elektriksel özelliklerinin incelenmesi

INVESTIGATING THE ELECTRICAL PROPERTIES OF METAL SEMICONDUCTOR CONTACTS PREPARED ON n-InP SEMICONDUCTOR WITH TiO2 INTERFACIAL LAYER

  1. Tez No: 395660
  2. Yazar: AHMET KÜRŞAT BİLGİLİ
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. METİN ÖZER
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2015
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 87

Özet

ÖZET Bu çalışmada, (100) yönelimli, 500 μm kalınlığında 3,13x1018 cm-3 taşıyıcı yoğunluğuna sahip n-InP yarıiletkeni üzerine sputtering (püskürtme) metodu ile Ag/TiO2/n-InP/Au yapılar oluşturuldu. Arayüzeydeki TiO2 filmler püskürtme cihazında iki farklı kalınlıkta, 60 Ǻ ve 120 Ǻ olarak büyütüldü. Bu yapıların bazı temel parametreleri 120-420 K sıcaklık aralığında incelendi. Hazırlanan yapıların akım-gerilim (I-V) ölçümlerinden; idealite faktörü n, Schottky engel yüksekliği ΦB ve diğer bazı diyot parametreleri hesaplandı. Oda sıcaklığında, engel yüksekliği 60 Ǻ film kalınlığı için 0,524 eV, idealite faktörü 1,39 ve 120 Ǻ film kalınlığı için ise 0,50 eV, 1,42 bulundu. Sıcaklık artışıyla idealite faktörünün azaldığı, bariyer yüksekliğinin ise arttığı gözlendi. Akım iletimi ile ilgili olarak termoiyonik emisyon, Cheung Cheung metodu, Norde metodu uygulanarak parametreler hesaplandı ve bulunan sonuçlar kıyaslandı. Akım-gerilim ölçümlerinden elde edilen verilere Gauss Dağılımı uygulandı ve diyotların ikili Gauss Dağılımı verdiği görüldü, ortalama engel yükseklikleri Gauss Dağılımından hesaplandı. Bilim

Özet (Çeviri)

ABSTRACT In this study, Ag/TiO2/n-InP structures were prepared on n-type InP semiconductor with orientation (100) and having 500 μm thickness and carriers concentration of 3,13x1018 cm-3 by sputtering method. The TiO2 films with two different thickness were formed on the n- InP by sputtering system. Some basic electrical parameters of these Ag/TiO2/n-InP/Au structures were investigated in the range of 120-420 K. Ideality factor n, Schottky barrier heights ΦB and other related diode parameters of prepared structures have been calculated by currrent- voltage (I-V) measurements. At room temperature, it has been determined for barrier height as 0,524 eV and for ideality factor as 1,39 for 60 Ǻ film thickness, 0,50 eV and 1,42 for 120Ǻ film thickness, respectively. It has been observed that ideality factor decreases and barrier height increases with an increase in temperature. Related with current transport, termoionic emission theory, Cheung Cheung method and Norde method are used to calculate the diodes parameters and they are compared with each other. Gauss distribution is applied to the data gained from I-V measurements. It is seen that the diodes gave double Gaussian distribution. Mean barrier heights are calculated by using Gaussian distribution. Science

Benzer Tezler

  1. Magnetron saçtırma yöntemiyle hazırlanan metal/P-InP Schottky diyotların karakteristik parametrelerinin tavlama ve numune sıcaklığına bağlı değişimlerinin incelenmesi

    Investigation of changes in caharacteristic parameters of metal/P-InP Schottky diodes prepared by magnetron sputter method depend on annealing and sample temperature

    KADİR EJDERHA

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ABDULMECİT TÜRÜT

    PROF. DR. BAHATTİN ABAY

  2. Au/n-InP ve Au/Pyronine-B/n-InP Schottky yapıların sıcaklığa bağlı elektriksel karakterizasyonu

    Temperature dependence of electrical characteristics of Au/n-InP and Au/Pyronine-B/n-InP Schottky structures

    MURAT SOYLU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. BAHATTİN ABAY

  3. n-InP yarıiletkeni üzerine schottky diyotunun yapımı, diyotun akım-voltaj ve kapasitans-voltaj özeliklerinin incelenmesi

    Production of schottky diode on n-InP semiconductor and investigation current-voltage and capacitance-voltage properties

    GÜLCAN ÇELİK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    Fizik ve Fizik MühendisliğiNiğde Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ADİL CANIMOĞLU

  4. n-InP yarı iletkeni üzerine Schottky diyotunun yapımı, diyotun elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    Production of Schottky diode on n-type InP semiconductor and investigating its electrical properties

    HÜSEYİN DÖNMEZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2005

    Fizik ve Fizik MühendisliğiNiğde Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    Y.DOÇ.DR. ADİL CANIMOĞLU

  5. In2S3 ince filminin n–InP altlık üzerine kimyasal püskürtme metoduyla büyütülmesi ve üretilen Au/n–InP/In ve Au/In2S3/n–InP/In yapıların numune sıcaklığına bağlı olarak elektriksel karakteristiklerinin karşılaştırılması

    Deposition of In2S3 thin film on n–inp substrate by chemical spray pyrolysis method and comparison of depending on sample temperature electrical characteristics of produced Au/n–InP/In and Au/In2S3/n–InP/In structures

    TUBA ÇAKICI

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA SAĞLAM