Geri Dön

Developing a computer model for the estimation of physical parameters of diffusion of an element during the doping process

Katkılama süresince bir elementin fiziksel difüzyon parametrelerinin belirlenmesi için bir komputer modeli geliştirilmesi

  1. Tez No: 39929
  2. Yazar: MUSTAFA YILMAZ
  3. Danışmanlar: DOÇ.DR. REFİK KAYALI
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Difuzyon, bilgisayar modelleme, simulasyon, yan iletkenler. iv, Diffusion, computer modeling, simulation, semiconductors. m
  7. Yıl: 1995
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Gaziantep Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 133

Özet

ÖZET KATKILAMA SÜRESİNCE BİR ELEMENTİN FİZİKSEL DİFUZYON PARAMETRELERİNİN BELİRLENMESİ İÇİN BİR BİLGİSAYAR MODELİ GELİŞTİRİLMESİ YILMAZ, Mustafa Yüksek Lisans Tezi Fizik Mühendisliği Tez Danışmanı: t>oç. Dr. Refik KAYALI Ocak 1995, 133 sayfa Bu çalışmada katı hal yan iletken malzemelerin Üretiminde ve özellikle entegre devre Üretiminde en az bir kez kullanılan ve saf kristal, özellikle silisyum ve germanyum malzeme içerisine bir başka atom katkılanması olayı matematiksel olarak modellenmiş ve bu olayı bir boyutta simule eden bir computer modeli geliştirilmiştir. Yapılan matematiksel modellemede sadece konsantrasyon farklılığı sonucu oluşan atom hareketleri dikkate alınarak katkılama olayında yaklaşımlar yapılmıştır. Yapılan simulasyon programı, DIFSIM1T programında da animasyon ile yapılan yaklaşımlara uygun ve fazla güçlü bir bilgisayar sistemi gerektirmeyen direkt simulasyon tekniği kullanilmiştir. Geliştirilen bilgisayar programı değişik sınır şartlarına sahip olan difiusyon olaylarına uygulanmış ve elde edilen sonuçlar diğer araştırmacilar tarafından geliştirilen modellerden ve deneylerden elde edilen sonuçlarla karşilaştırilmıştır.

Özet (Çeviri)

ABSTRACT DEVELOPING A COMPUTER MODEL FOR THE ESTIMATION OF PHYSICAL PARAMETERS OF DIFFUSION OF AN ELEMENT DURING THE DOPING PROCESS YILMAZ, Mustafa M.S. in Physics Engineering Supervisor Assoc. Prof. Dr. Refik KAYALI January 1995, 133 pages In this graduate thesis, we have developed 'a computer model to simulate a process, called diffusion process, the doping of pure crystal, mostly silicon and germanium which is used at least once in the production of solid state semiconductor devices, especially in the production of integrated circuits. In the mathematical modeling we have used a simple approach to derive the doped atoms movements based on some approximations depending on the concentration gradient which allows to move atoms from a high concentration region to a less populated one. In the simulation program DIFSIM1T, we have also used direct simulation method with animation that allows us does not require powered computers and very suitable to use our developed mathematical model. This model has been applied for different diffusion processes having different boundary conditions and the results obtained from our model have been compared with the theoretical results obtained from the models developed by some researchers and experimental results.

Benzer Tezler

  1. Alüminyum alaşımlarının soğuk haddelemesinde yük hesabı metodlarının karşılaştırılması

    A Comparision of loading estimation of aluminium alloys in cold rolling

    HAKAN BAYKAL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1999

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. E. SABRİ KAYALI

  2. BMI prediction from face images

    Yüz görüntülerinden vücut kitle indeksi tahmini

    GÜLPINAR BÖLÜKBAŞ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve Kontrolİstanbul Teknik Üniversitesi

    Bilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA ERSEL KAMAŞAK

  3. Hibrit büyük patlama büyük çöküş-nelder mead algoritması kullanarak solar hücre parametre kestirimi

    Solar parameter estimation by using hybrid big bang big crunch-nelder mead algorithm

    ÖMER GÖNÜL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Mekatronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Mekatronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. OSMAN KAAN EROL

  4. Antenlerin hızlı ve doğru tasarımı için esnek hesaplamaya dayalı sayısal karma yöntemler

    Numerical hybrid methods based on soft computing for fast and accurate design of antennas

    MAHMUD ESAD YİĞİT

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MURAT TAYFUN GÜNEL

  5. Aylık ortalama güneş ışınımı hesaplamalarında ardışık yerine koyma yöntemi

    Başlık çevirisi yok

    AHMET DURAN ŞAHİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1996

    Meteorolojiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. ZEKAYİ ŞEN