Geri Dön

Studies of lattice defects in as grown and irradiated n-InP

Başlık çevirisi mevcut değil.

  1. Tez No: 400581
  2. Yazar: ADİL CANIMOĞLU
  3. Danışmanlar: DR. DEREK PALMER
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 1998
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Unıversıty Of Sussex
  10. Enstitü: Yurtdışı Enstitü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Özet yok.

Özet (Çeviri)

Özet çevirisi mevcut değil.

Benzer Tezler

  1. Investigation of extended defects in cadmium zinc telluride crystals grown by Vertical Gradient Freeze (VGF) technique

    Dikey Gradyan Soğutma Tekniğiyle büyütülen kadmiyum çinko tellür kristallerinde büyük boyutlu kusurların analizi

    ÇİĞDEM DOĞRU

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. RAŞİT TURAN

    DOÇ. DR. YUNUS EREN KALAY

  2. In dereceli ve derecesiz InxGa1-xN güneş pili yapılarının mozaik kusurlarının karşılaştırılması

    Comparison of the mosaic defects in the in grade and ungraded InxGa1-xN solar cells

    AYÇA ÇELİK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MUSTAFA KEMAL ÖZTÜRK

  3. Characterization of molecular beam epitaxially grown CDTE layers over gaas by spectroscopic ellipsometry

    Moleküler demet epitaksi ile gaas üzerine büyütülen CDTE katmanlarının spektroskopik elipsometri ile karakterizasyonu

    MERVE GÜNNAR

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2014

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. YUSUF SELAMET

  4. MOCVD yöntemi ile safir alttaş üzerine büyütülen GaN heteroyapılarının elektriksel ve yapısal karakterizasyonu

    Electrical and structural characterisation of GaN heterostructure grown on sapphire substrate by MOCVD method

    MUSTAFA CÜNEYT MEMİŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Metalurji MühendisliğiBursa Teknik Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ NAZLI AKÇAMLI

  5. Comprehensive investigation on the electrical characteristic and irradiation response of SiC MOS capacitors with EU2O3 dielectrics

    EU2O3 dielektrikli SiC MOS kapasitörlerinin elektriksel özellikleri ve radyasyon cevaplaının detaylı incelenmesi

    HAREM SALEH KADER KADER

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CABİR TERZİOĞLU

    DOÇ. DR. ŞENOL KAYA