Geri Dön

The growth of epitaxial graphene for two-dimensional electronics

İki boyutlu elektronik aygıtlar için epitaksiyel grafen büyütülmesi

PDF İndir

  1. Tez No: 405195
  2. Yazar: ALNAZIR IBRAHIM
  3. Danışmanlar: Assist. Prof. Dr. CEM ÇELEBİ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2015
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü
  10. Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Grafen, sıra dışı özelliklere sahip temel, yeni bir tür iki boyutlu malzemedir. Bu çalışmada, silisyum karbürün (SiC) hem C-yüzü hem Si-yüzü kullanılarak vakum ortamında termal buharlaştırma yöntemi kullanılarak grafen büyütülüldü. Epitaksiyel grafen, mekanik ayrıştırma yöntemiyle elde edilen grafen ve karbon nanotüplere benzer özellik gösterdiğinden 2 boyutlu elektronik uygulamalarda kullanılmak için iyi bir adaydır, hatta büyük boyutlarda büyütülebildiği için elektronik aygıtların tasarımı için daha uygundur. Grafenin fiziksel, elektronik ve onu diğer yarıiletkenlerden ayıran özelliklerini incelendi. Gelecekteki elektronik uygulamalar için mükemmel bir aday oluşu grafen üzerindeki ilgiyi artırdığından dolayı grafen sentezinde pek çok yöntem kullanılmaktadır. Bu çalışmamızda biz birkaç grafen büyütme metodu üzerinde yoğunlaşıldı. Grafen elektronik aygıt uygulamalarında kullanabilmek için; yüksek saflıkta ve düşük büyütme hızlarında büyütülmelidir. Bu nedenle, yüksek homojenlikte tek katman grafen elde edebilmek için grafenin büyütme hızının kontrol edilmesi gerekmektedir. Grafenin varlığı ve katman sayısı hakkında bilgi edinmenin en hızlı yolu Raman spektroskopisidir. Farklı parametrelerde epitaksiyel olarak hem silisyum hem de karbon yüzeyinde büyütülmüş grafendeki değişim Raman spektroskopisi ile incelenmiştir. Epitaksiyel olarak büyütülmüş grafenin yüzey karakterizasyonu atomik kuvvet mikroskopu (AFM) ile yapılmıştır

Özet (Çeviri)

Graphene is a fundamentally new type of 2D electronic material exhibits extraordinary properties. In this work, we used the thermal decomposition of SiC in vacuum principle to grow epitaxial graphene on Both C-face and Si-face SiC, that because epitaxial graphene is a reliable candidate for all kind of applications in 2D electronics and it has similar properties to carbon nanotube and graphene grown by exfoliation method, but it is more appropriate for the design of electronic device as it can be grown on wafer-sized scale. We review the physical and electronic properties of graphene and what's makes it different when compare to the ordinary semiconductors. Since the interest in graphene increases as a perfect candidate for future electronics applications, many methods are used to synthesis graphene. We give a brief review to several methods used to produce graphene. For electronic device applications, graphene should be grown in a high homogeneity, uniformity and with low growth rate. Therefore the growth rate graphene should be controlled to get high homogeneity and uniformity. Raman spectroscopy considers a quick way to detect the presence of graphene, determine the number of the layers and to check the defects in the grown layer. At the wavelength of 514 nm , Raman spectroscopy is used to investigate epitaxial graphene grown on both C-face and Si-face SiC with different parameters and to study the evolution and the proportionality of the grown layers with the time . Finally we used AFM to study the morphology of epitaxial graphene grown on SiC substrate. The morphology of graphene on C-face of SiC is compared with the one on Si-face of SiC

Benzer Tezler

  1. Tez No

    295546

    Preparation and characterization of graphene samples on atomically smooth surfaces

    Atomik boyutta pürüzsüz yüzeylerde grafen örneklerinin hazırlanması ve karakterizasyonu

    SERHAT YANIK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiFatih Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    YRD. DOÇ. DR. MEHMET BURAK YILMAZ

  2. Tez No

    1

    Ovulasyon indüksiyonu tedavisinde folliküler gelişimin ultrasonografik takibi

    Başlık çevirisi yok

    MERİH BAYRAM

    Tıpta Uzmanlık

    Türkçe

    Türkçe

    1987

    Kadın Hastalıkları ve DoğumGazi Üniversitesi

    Kadın Hastalıkları ve Doğum Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MÜLAZIM YILDIRIM

  3. Tez No

    201

    Çimentonun sertleşmesi üzerinde kimyasal komponentlerin etkisi

    Başlık çevirisi yok

    NACİYE TÜRKEL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1986

    Kimya MühendisliğiUludağ Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA CEBE

  4. Tez No

    202

    Bazı esterlerin kinetik incelenmesi ve termodinamik parametrelerin belirlenmesi

    Kinetic study and detesmination of thermodnamic parameters of some esters

    İBRAHİM TAŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1986

    Kimya MühendisliğiUludağ Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA CEBE

  5. Tez No

    252

    İzmir'de bazı yolların kapatılarak yaya bölgeleri oluşturma da kent peyzajını geliştirme açısından yeniden planlanması üzerinde araştırmalar

    Başlık çevirisi yok

    BAHAR TÜRKYILMAZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1985

    Şehircilik ve Bölge PlanlamaEge Üniversitesi

    Şehir ve Bölge Planlama Ana Bilim Dalı

Geri Dön