Fotodedektörlerin güvenilirlik testlerinin incelenmesi
Investigation of pohotodetectors' reliability tests
- Tez No: 405397
- Danışmanlar: PROF. DR. SELİM SİVRİOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Mühendislik Bilimleri, Engineering Sciences
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2015
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gebze Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 78
Özet
Hızlandırılmış güvenilirlik testlerinin amacı, üretimi yapılan veya yapılacak olan yarı iletken devrelerin güvenilirleri hakkında hızlıca bilgi sahibi olmaktır. Daha sonra test sonuçları kullanılarak güvenilirlik sınırları içerisinde ortalama kullanım süreleri hesaplanır. Bu çalışmada yarı iletken teknolojisi kullanılarak üretilen entegre devrelerin ve foto detektörlerin güvenilirlik testleri incelenmiş, uluslararası standartlara göre kategorize edilmiş ve literatürde yer alan örneklere kaynaklarıyla birlikte yer verilmiştir. İlk olarak foto detektörlerin çalışma prensibini anlama adına genel olarak yarı iletken fiziğinden ve diyottan bahsedilmiş ve ardından güvenilirlik ekseninde üretim aşamaları anlatılmıştır. Son olarak, yapılan güvenilirlik testinin sonuçları değerlendirilmiş ve istatistiksel veriler elde edilmiştir.
Özet (Çeviri)
The purpose of accelerated reliability tests is to quickly acquire reliability information about manufactured integrated circuits. Then these accelerated test results are used to predict the mean time to failure at the use conditions. In this work, the results of integrated circuit's and photodetector's reliability tests, which were manufactured by using the semiconductor technology, were investigated, classified according to the international standards, and some recent studies of reliability tests were presented with their references at the literature. At the beginning, the semiconductor physics and diode were presented to understand the operating principle of photodetectors. Then semiconductor manufacturing process faults, which are related to the integrated circuit reliability, were described. Finally, the reliability test results were explained and statistical datas were obtained.
Benzer Tezler
- Influence of nitrogen dopingon photoconductivity of 3C - SiCultraviolet photodetectors (UVPD )
Azot katkılamasının 3C-SiC ultraviyole fotodetektörlerin (UVPD) fotoiletkenliği üzerindeki etkisi
IQRA WASIF
Yüksek Lisans
İngilizce
2021
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiMarmara ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KAŞİF TEKER
- Single and dual band quantum well infrared photodetector focal plane arrays on InP substrates
InP taban üzerinde tek ve iki bantlı kuantum kuyulu kızıl ötesi fotodedektör odak düzlem matrisleri
SÜLEYMAN UMUT EKER
Doktora
İngilizce
2010
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CENGİZ BEŞİKCİ
- Fabrication and characterization of SOI based photodetectors with graphene electrode
Grafen elektrotlu SOI tabanlı fotodedektörlerin üretimi ve karakterizasyonu
ALPER YANILMAZ
Doktora
İngilizce
2023
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüFotonik Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CEM ÇELEBİ
PROF. DR. SİNAN BALCI
- CdO/p-Si heteroeklem fotodedektörlerin üretilmesi ve elektriksel karakterizasyonu
Fabrication of heterojunction CdO/p-Si photodetectors and their electrical characterization
SELİN DUGAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiKırklareli ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ BURHAN COŞKUN
DR. ÖĞR. ÜYESİ MÜMİN MEHMET KOÇ
- Grafen esaslı fotodedektörlerin üretilmesi ve elektriksel özelliklerinin karakterizasyonu
Producti̇on of graphene based photodetector and characteri̇zati̇on of the electri̇cal properti̇es
AYŞEGÜL DERE
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiFırat ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FAHRETTİN YAKUPHANOĞLU