Fotodedektörlerin güvenilirlik testlerinin incelenmesi
Investigation of pohotodetectors' reliability tests
- Tez No: 405397
- Danışmanlar: PROF. DR. SELİM SİVRİOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Mühendislik Bilimleri, Engineering Sciences
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2015
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gebze Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Hızlandırılmış güvenilirlik testlerinin amacı, üretimi yapılan veya yapılacak olan yarı iletken devrelerin güvenilirleri hakkında hızlıca bilgi sahibi olmaktır. Daha sonra test sonuçları kullanılarak güvenilirlik sınırları içerisinde ortalama kullanım süreleri hesaplanır. Bu çalışmada yarı iletken teknolojisi kullanılarak üretilen entegre devrelerin ve foto detektörlerin güvenilirlik testleri incelenmiş, uluslararası standartlara göre kategorize edilmiş ve literatürde yer alan örneklere kaynaklarıyla birlikte yer verilmiştir. İlk olarak foto detektörlerin çalışma prensibini anlama adına genel olarak yarı iletken fiziğinden ve diyottan bahsedilmiş ve ardından güvenilirlik ekseninde üretim aşamaları anlatılmıştır. Son olarak, yapılan güvenilirlik testinin sonuçları değerlendirilmiş ve istatistiksel veriler elde edilmiştir.
Özet (Çeviri)
The purpose of accelerated reliability tests is to quickly acquire reliability information about manufactured integrated circuits. Then these accelerated test results are used to predict the mean time to failure at the use conditions. In this work, the results of integrated circuit's and photodetector's reliability tests, which were manufactured by using the semiconductor technology, were investigated, classified according to the international standards, and some recent studies of reliability tests were presented with their references at the literature. At the beginning, the semiconductor physics and diode were presented to understand the operating principle of photodetectors. Then semiconductor manufacturing process faults, which are related to the integrated circuit reliability, were described. Finally, the reliability test results were explained and statistical datas were obtained.
Benzer Tezler
- Influence of nitrogen dopingon photoconductivity of 3C - SiCultraviolet photodetectors (UVPD )
Azot katkılamasının 3C-SiC ultraviyole fotodetektörlerin (UVPD) fotoiletkenliği üzerindeki etkisi
IQRA WASIF
Yüksek Lisans
İngilizce
2021
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiMarmara ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KAŞİF TEKER
- DESIGN METHODOLOGY OF UNDER BUMP METALLIZATION (UBM) FOR INFRARED PHOTODETECTORS
KIZILÖTESİ FOTODEDEKTÖRLER İÇİN TOP ALTI METALİZASYON (TAM) KATMANI TASARIM METODOLOJİSİ
ELİF YEŞİLAY
Yüksek Lisans
İngilizce
2020
Metalurji MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İSHAK KARAKAYA
DR. ÇAĞLA ÖZGİT AKGÜN
- Kalay katkısının cuo ince filmlerin yapısal, optik ve elektriksel özelliklerine etkisi
The effect of tin doping on the structural optical and electrical properties of copper oxide thin films
NİZAMETTİN İPEK
Yüksek Lisans
Türkçe
2025
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ŞİLAN BATURAY
- Organik fotodedektörlerin SCAPS-1D tabanlı optimizasyonu: Geniş bant algılama için ince film ve arayüz mühendisliği
Optimization of organic photodetectors based on SCAPS-1D: Thin film and interface engineering for wide-band detection
AHMET SAİT ALALI
Doktora
Türkçe
2026
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FEDAİ İNANIR