Influence of nitrogen dopingon photoconductivity of 3C - SiCultraviolet photodetectors (UVPD )
Azot katkılamasının 3C-SiC ultraviyole fotodetektörlerin (UVPD) fotoiletkenliği üzerindeki etkisi
- Tez No: 697404
- Danışmanlar: PROF. DR. KAŞİF TEKER
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2021
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Marmara Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 66
Özet
Son yıllarda, ince film ultraviole fotodetektörlerde (UVPD) katkılama yapılmasından dolayı, ultraviyole fotodetektörlerin (UVPD) fotoiletken özelliklerinde önemli iyileştirmeler yapmak için büyük ilgi topladı. Si substratı üzerinde metal-organik kimyasal buhar biriktirme (MOCVD) tekniği ile çok adımlı büyüme işlemi ile sentezlenen tek kristal 3C-SiC ince film ve yerinde katkılama tekniği ile nitrojen katkılama gerçekleştirilmiştir. Silisyum karbürde (3C-SiC UVPD) nitrojen katkılamanın bir sonucu olarak UV ışığa olan tepki süresi, duyarlılık, kararlılık, tekrarlanabilirlik ve güvenilirlik gibi fotoiletken özelliklerin katkısız 3C-SiC UVPD'ye kıyasla iyileştirilmesi ilk kez bu çalışmada incelenmiştir. Azot katkılı 3C-SiC- UVPD numuneleri, yani 8 standart santimetre küp (sccm) azot katkılı numune ve 1 sccm azot katkılı numune ve katkısız 3C-SiC-UVPD numunesinin tümü üstün hassasiyet, çok hızlı tepki süresi, düşük karanlık akım ve yüksek kararlılık değerleri göstermiştir. Bu cihazlar arasında 8 sccm nitrojen katkılı 3C- SiC-UVPD, 1,94 x 105 ile en yüksek hassasiyete, 0,11 s ışığa tepki verme süresi ve 0,20 s ışığın etkisini yitirme süreleri gibi hızlı tepki sürelerine ve 254 altında 20 V'de 1,95 x 103 İon/Ioff oranına sahiptir. 8 sccm nitrojen katkılı 3C-SiC-UVPD tarafından sergilenen bu eşsiz performans, nitrojen katkılamanın gelişmiş fotoiletkenliğe yol açtığı gerçeğini benimser. Özetlemek gerekirse, nitrojen katkılama uygulayarak 3C-SiC-UVPD'nin fotoiletken özellikleri geliştirilip mikrofotonik ve mikroelektronik uygulamalarda kullanılabilek son derece uygun maliyetli, yüksek verimlilikte materyaller geliştirilebilinir.
Özet (Çeviri)
In recent years, the introduction of doping in thin films Ultraviolet Photodetectors (UVPD) have amassed huge interest owing to significant improvement in photoconductive properties of Ultraviolet Photodetectors (UVPD). Single crystal 3C-SiC thin film synthesized via multistep growth process by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) technique on Si substrate and nitrogen doping was carried out by in-situ doping technique. Enhancement of photoconductive properties such as response time, photosensitivity, stability, repeatability and reliability as a result of nitrogen doping in the silicon carbide (3C-SiC UVPD) as compared to undoped 3C-SiC UVPD have been first time investigated in this study. Nitrogen doped 3C-SiC-UVPD samples i.e. 8 standard cubic per centimeter (sccm) nitrogen doped sample and 1 sccm nitrogen doped sample, and undoped 3C-SiC-UVPD sample have all demonstrated superior photosensitivity, very fast response time, low dark current, and high stability. Among these devices, 8 sccm nitrogen doped 3C-SiC-UVPD has the highest photosensitivity of 1.94 x 105 %, rapid response time with 0.11 s rise time and 0.20 s decay time, and Ion/Ioff ratio of 1.94 x 103 at 20V under 254 nm UV illumination. This unparalleled performance exhibited by the 8 sccm nitrogen doped 3C-SiC- UVPD espouses the fact that nitrogen doping leads to enhanced photoconductivity. To sum it up, the photoconductive properties of highly cost-effective 3C-SiC-UVPD employed in emerging microphotonic and microelectronic applications can be improved by introducing nitrogen doping.
Benzer Tezler
- Farklı dozlardaki azotlu ve fosforlu gübrelerin Çukurova Bölgesinde yetiştirilen 2.ürün susamda verim ve verim parametreleri üzerine etkileri
Influence of nitrogen and phosphorus fertilizers rates on yield and yield parameters of 2. crop sesame grown in Çukurova Region
HASAN AY
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
ZiraatÇukurova ÜniversitesiToprak Bilimi ve Bitki Besleme Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HAYRİYE İBRİKÇİ
- Farklı dozde azotlu, gübre (0, 4, 8, 12, 16 kg/da saf azot) uygulamalarının biralık arpanın (Kaya ve Şerife Hanım) verim, kalite ve agronomik özellikler üzerine etkisi
Influence of different nitrogen aplications (0, 4, 8, 12, 16 kg/da nitrogen) on yield, quality and agronomic characters of malting barley (Kaya ve Şerife Hanım)
İLKAY YAVAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
ZiraatAdnan Menderes ÜniversitesiTarla Bitkileri Ana Bilim Dalı
PROF.DR. CAHİT KONAK
- Farklı azot dozlarının arıotunun (Phacelia tanacetifolia Bentham) bitkisel özellikleri ve ot kalitesi üzerine etkisi
Influence of different nitrogen doses on plant properties and forage quality of phacelia (Phacelia tanacetifolia Bentham)
KAFFAR TUNCER
- Uşak koşullarında kızıltan-91 buğday çeşidi üzerinde farklı azot dozu ve sıvı gübre uygulamalarının verim ve verim unsurlarına etkisi
Influence of different nitrogen dose and liquid fertilizer applications on yield and yield components of kiziltan-91 wheat cultivar in Uşak conditions
ALİYE ALTUNTAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
ZiraatSüleyman Demirel ÜniversitesiTarla Bitkileri Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İLKNUR AKGÜN
- Aspir (Carthamus tinctorius L.) bitkisinin verim ve verim özellikleri üzerine potasyum ve azot uygulamalarının etkisi
Influence of potassium and nitrogen application on yield and yield components of safflower (Carthamus tinctorius L.)
CANSU FERHANOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
ZiraatEskişehir Osmangazi ÜniversitesiTarla Bitkileri Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. NURDİLEK GÜLMEZOĞLU