Al/Poly(Methyl methacrylate)/p-Si organik schottky diyotların üretimi, elektrik ve dielektrik özelliklerinin incelenmesi
Fabrication, investigation electrical and dielectric properties of Al/poly(methyl methacrylate)/p-Si organic schottky diodes
- Tez No: 415272
- Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET ERTUĞRUL, PROF. DR. ELİF ORHAN
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2015
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 88
Özet
Al/ Poli (metil metakrilat) (PMMA)/p-Si organik Shottky diyotlar p-Si yarıiletken alttaş üzerine spin kaplama ile yöntemi ile PMMA film üretildi. Frekans ve gerilime bağlı dielektrik ve elektrik özellikleri araştırıldı. 30 kHz–1 MHz frekans aralığında ve -3V'tan 1V'a gerilim aralığında Kapasitans-voltaj C-V ve iletkenlik-voltaj G/ω-V ölçümleri kullanılarak dielektrik ve elektrik özellikleri araştırıldı. Ara yüzey durumlarının yoğunluğu Nss, seri direnç Rs ve değerleri hesaplandı ve tüm bu parametrelerin frekansa bağlı olduğu gözlemlendi. C-2-V eğrileri her bir frekans değeri için geniş bir voltaj aralığında lineer davranış gösterdi. Katkı atomları konsantrasyonları NA, tüketim tabakasının kalınlığı WD ve engel yüksekliği ΦB, C-2-V eğrilerinden elde edildi. Al/ PMMA/ p-Si yapının frekans ve gerilime bağlı dielektrik sabiti ε′, dielektrik kayıp ε″, tanjant kayıp tanδ ve ac elektrik iletkenliği σac, oda sıcaklığında incelendi. Düşük frekanslarda arayüzey kutuplanmanın daha kolay meydana geldiği gözlemlendi.
Özet (Çeviri)
Al/Poly (methyl methacrylate) (PMMA)/p-Si organic Schottky devices were fabricated on a p-Si semiconductor wafer by spincoating of PMMA solution. The frequency and voltage dependent dielectric and electrical properties of Al/PMMA/p-Si have been investigated. Dielectric properties and electrical conductivity of Al/PMMA/p-Si structure have been investigated in detail by using experimental capacitance voltage C–V and inductance voltage G/-V measurements in the frequency range of 30 kHz– 1 MHz and voltage from -3V to 1V. The density of interface states Nss, series resistance Rs and were calculated by using the C-V and G/-V measurements and all these parameters were found to be a strong function of frequency. The C-2-V plots give a lineer behavior in a wide bias voltage region for each frequency values. The values of doping concentration NA, depletion layer width WD and barrier height ΦB were obtained from C-2-V plots. The frequency and voltage dependent dielectric constant ε′ , dielectric loss ε″, tangent loss tanδ, and a.c. electrical conductivity σac properties of Al/ PMMA/ p-Si structure have been investigated in the various frequencies at room temperature. It can be concluded that the interfacial polarization can be more easily occurred at low frequencies.
Benzer Tezler
- Polimerik membranlarda kimyasal ve makromoleküler yapının membranın oksijen ve iyonik geçirgenliğine etkileri
The Dependence of the anygen and ionic permeabilities of some polymeric membranes on their chemical and macromolecular structures
H. YILDIRIM ERBİL
- Polimer ve oksit ara yüzey tabakalı yapıların elektriksel özelliklerinin radyasyona bağlı incelenmesi
Investigation of radiation-induced electrical properties of polymer and oxide interface layered structures
BAHRİYE ÖZKARA
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEMA BİLGE OCAK
- Düzgün olmayan alanda SF6, N2 ve SF6+N2 gazlarında boşalma gerilimlerine elektrod yüzey pürüzlülüğünün etkileri
Effects of electrode surface roughness on corona inception and breakdown voltages in SF6, N2 and SF6+N2 in non-uniform fields
MURTAZA FARSADİ
Doktora
Türkçe
1989
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. MUZAFFER ÖZKAYA
- Nükleer radyasyona duyarlı alan etkili transistör tabanlı radyasyon sensörlerinin uzay uygulamaları için geliştirilmesi ve karakterizasyonu
Development and characterization of nuclear radiation sensitive field-effect transistor based radiation sensors for space applications
BUĞRA KOCAMAN
Doktora
Türkçe
2020
Astronomi ve Uzay BilimleriHacettepe ÜniversitesiNanoteknoloji ve Nanotıp Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. EYLEM GÜVEN
- Floresans tekniği kullanılarak sol-gel faz geçişlerinin incelenmesi
Study of sol-gel phase transition by using flourescence techniques
YAŞAR YILMAZ