Vanadyum oksitte eşik anahtarlama olayı ve hafıza seçme aygıt için uygulama potansiyeli
Threshold switching phenomenon in vanadium oxide and its potential application as a memory select device
- Tez No: 415271
- Danışmanlar: PROF. DR. HASAN EFEOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2015
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 56
Özet
Vanadyum oksit sıcaklık değişimi ile eşik anahtarlama olayından sorumlu olan, metal-yalıtkan geçiş özelliği göstermektedir. Eşik anahtarlama ile belirli bir voltajda iletkenlikte ani bir değişim meydana gelir. Vanadyum oksittin bu özelliği RRAM gibi yeni bellek teknolojilerine temel teşkil edecek olan crossbar dizi mimarisinde kaçak akımları engellemek için, hafıza seçme aygıt olarak potansiyel bir uygulaması vardır. Bu çalışmada ilk önce W/VOx/W/SiO2/Si yapısında metal-yalıtkan geçişini görmek için, fotolitografi, RF magnetron sıçratma ve hızlı termal işlem teknikleri ile fabrikasyon şartları araştırıldı. Ardından akım-gerilim karakteristiklerinin ölçümüyle, 70 K'in altındaki sıcaklıklarda V2O3'de eşik anahtarlama davranışı gözlemledik
Özet (Çeviri)
Vanadium oxide demonstrates metal-insulator transition with temperature change which is responsible for threshold switching phenomenon. Threshold switching occurs with a sudden change in conductivity at a specific voltage. This feature of vanadium oxide has a potential application as a memory select device to suppress leakage currents in crossbar array architecture of emerging memory technologies like RRAM. In this study to observe metal-insulator transition, our fabrication approach was the construction of W/VOx/W/SiO2/Si structure using photolithography, RF magnetron sputtering and rapid thermal process. Then by measuring the current-voltage characteristic, we observed the threshold switching in V2O3 at temperatures below 70 K.
Benzer Tezler
- Toz enjeksiyon kalıplamada karışımın reolojisi
Rheological properties of pim feedstocks
ÇETİN KARATAŞ
Doktora
Türkçe
1997
Eğitim ve ÖğretimGazi ÜniversitesiMakine Eğitimi Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN SARITAŞ
- Development of novel electrolyte and anode materials for intermediate temperature solid oxide fuel cell
Katı oksit yakıt pilleri için yeni elektrolit ve anot malzemelerin geliştirilmesi
ÖZGE YARAŞAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2014
EnerjiBoğaziçi ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. OKTAY DEMİRCAN
- Utilization of boron oxide and magnesium oxide as an additive vanadic corrosion inhibitor, for heavy fuel oil
Ağır yakıt için bor oksit ve magnezyum oksitin vanadyum korozyon inhibitör katkısı olarak kullanılması
JWAN ALI MOHAMMED JAWAD AL-HAKEEM
- Characterization of vanadium oxide thin films grown by magnetron sputtering technique
Mıknatıssal saçtırma tekniği ile büyütülen vanadyum oksit ince filmlerin karakterizasyonu
HÜRRİYET YÜCE
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. LÜTFİ ÖZYÜZER
- Vanadyum dioksit temelli malzemeler ile çinko iyon batarya katotlarının geliştirilmesi
Development of zinc-ion battery cathodes with vanadium dioxide-based materials
BÜŞRA AYDOĞDU
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
EnerjiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiElektrokimya ve Teknolojisi Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ RECEP YÜKSEL