Geri Dön

Vanadyum oksitte eşik anahtarlama olayı ve hafıza seçme aygıt için uygulama potansiyeli

Threshold switching phenomenon in vanadium oxide and its potential application as a memory select device

  1. Tez No: 415271
  2. Yazar: MORTEZA VAFADAR
  3. Danışmanlar: PROF. DR. HASAN EFEOĞLU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2015
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 56

Özet

Vanadyum oksit sıcaklık değişimi ile eşik anahtarlama olayından sorumlu olan, metal-yalıtkan geçiş özelliği göstermektedir. Eşik anahtarlama ile belirli bir voltajda iletkenlikte ani bir değişim meydana gelir. Vanadyum oksittin bu özelliği RRAM gibi yeni bellek teknolojilerine temel teşkil edecek olan crossbar dizi mimarisinde kaçak akımları engellemek için, hafıza seçme aygıt olarak potansiyel bir uygulaması vardır. Bu çalışmada ilk önce W/VOx/W/SiO2/Si yapısında metal-yalıtkan geçişini görmek için, fotolitografi, RF magnetron sıçratma ve hızlı termal işlem teknikleri ile fabrikasyon şartları araştırıldı. Ardından akım-gerilim karakteristiklerinin ölçümüyle, 70 K'in altındaki sıcaklıklarda V2O3'de eşik anahtarlama davranışı gözlemledik

Özet (Çeviri)

Vanadium oxide demonstrates metal-insulator transition with temperature change which is responsible for threshold switching phenomenon. Threshold switching occurs with a sudden change in conductivity at a specific voltage. This feature of vanadium oxide has a potential application as a memory select device to suppress leakage currents in crossbar array architecture of emerging memory technologies like RRAM. In this study to observe metal-insulator transition, our fabrication approach was the construction of W/VOx/W/SiO2/Si structure using photolithography, RF magnetron sputtering and rapid thermal process. Then by measuring the current-voltage characteristic, we observed the threshold switching in V2O3 at temperatures below 70 K.

Benzer Tezler

  1. Toz enjeksiyon kalıplamada karışımın reolojisi

    Rheological properties of pim feedstocks

    ÇETİN KARATAŞ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1997

    Eğitim ve ÖğretimGazi Üniversitesi

    Makine Eğitimi Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SÜLEYMAN SARITAŞ

  2. Development of novel electrolyte and anode materials for intermediate temperature solid oxide fuel cell

    Katı oksit yakıt pilleri için yeni elektrolit ve anot malzemelerin geliştirilmesi

    ÖZGE YARAŞAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2014

    EnerjiBoğaziçi Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. OKTAY DEMİRCAN

  3. Utilization of boron oxide and magnesium oxide as an additive vanadic corrosion inhibitor, for heavy fuel oil

    Ağır yakıt için bor oksit ve magnezyum oksitin vanadyum korozyon inhibitör katkısı olarak kullanılması

    JWAN ALI MOHAMMED JAWAD AL-HAKEEM

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    KimyaYıldız Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. YÜCEL ŞAHİN

  4. Vanadyum ve antioksidan enzim sistemi arasındaki ilişkinin incelenmesi

    An Investigation on the relationship between vanadium and antioxidative enzyme system

    SAVAŞ SAYIN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1998

    Eczacılık ve FarmakolojiGATA

    Farmasötik Toksikoloji Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. AHMET SAYAL