Geri Dön

Püskürtme yöntemiyle büyütülen katkılı SnO2/Si heteroeklemlerin incelenmesi

The investigation of doped SnO2/Si heterojunctions grown by spray pyrolysis method

  1. Tez No: 416782
  2. Yazar: SİBEL GÜRAKAR
  3. Danışmanlar: PROF. DR. SALİHA TÜLAY SERİN
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2015
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Ankara Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 178

Özet

Bu çalışmanın amacı SnO2/Si heteroeklem yapılarının elektriksel özelliklerinde yapının bir tabakası olan SnO2 ince filmlerin Sb, Co, In, Cu ve Al atomlarıyla katkılanmasıyla oluşacak değişiklikleri incelemektir. Bu amaçla, katkılı SnO2 ince filmler alt tabaka olarak cam ve Si kristalleri kullanılarak püskürtme yöntemiyle büyütülmüştür. X-ışınları toz kırınım yöntemiyle filmlerin yapı analizi yapılmıştır. Filmlerin optiksel ölçümleri yapılarak yasak enerji bant aralıkları ve optiksel sabitler belirlenmiştir. İnce filmlerin iki nokta yöntemiyle iletkenlik-sıcaklık ölçümlerinden aktivasyon enerjileri hesaplanmış ve akım-iletim mekenizmaları belirlenmiştir. SnO2/Si heteroeklem yapıların akım-gerilim-sıcaklık, kapasite-gerilim-sıcaklık ve kapasite-frekans-sıcaklık ölçümleri yapılmıştır. Yapılan ölçümlerden yararlanarak yapı parametreleri bulunmuş ve oda sıcaklığında yapılara ait bant diyagramları belirlenmiştir.

Özet (Çeviri)

The aim of this work is to investigate the changes that will occur on the electrical properties of SnO2/Si heterojunction structures by doping SnO2 thin films with Sb, Co, In, Cu and Al atoms which is one layer of structure. For this purpose, doped SnO2 thin films were grown with the use of glass and Si crystals as substrate by spray pyrolysis method. The structural analyses of films were done with X-rays powder diffraction method. By doing optical measurements of films, forbidden energy band gaps and optical constants were determined. For thin films from conductivity-temperature measurements by two point probe method, activation energies were calculated and current-transport mechanisms were determined. Current-voltage-temperature, capacitance-voltage-temperature and capacitance-frequency-temperature measurements of SnO2/Si heterojunction structures were done. By using the measurements done, the structural parameters were found and band diagrams belonging to structures were determined at room temperature.

Benzer Tezler

  1. Püskürtme yöntemiyle büyütülen sn katkılı zno filmlerin elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    The investigation of electrical properties of sn dobed zno deposited by means of spray method

    ELİF ÖZTÜRK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SALİHA TÜLAY SERİN

  2. Püskürtme yöntemiyle büyütülen Cu katkılı ZnO filmlerin optiksel özelliklerinin incelenmesi

    The investigation of optical properties of Cu doped ZnO deposited by means of spray method

    ZEYNEP GÜNDÜZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TÜLAY SERİN

  3. Kimyasal püskürtme yöntemiyle büyütülen borik asit katkılı CdS filmlerinin karakterizasyonu

    Characterization of the CdS films doped with boric acid developed by spraying pyrolysis method

    MUHAMMED TARIK DURMUŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Kimya MühendisliğiYalova Üniversitesi

    Kimya ve Süreç Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA ÖZTAŞ

  4. Borik asidin, kimyasal püskürtme yöntemiyle büyütülen ZnS filmlerinin kristalizasyonuna etkisinin incelenmesi

    Effect of the boric acide on the characterization of spray –deposited ZnS: B films

    ÖZLEM IŞILDAK CEVİZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Kimya MühendisliğiYalova Üniversitesi

    Kimya ve Süreç Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA ÖZTAŞ

  5. Influence of al concentration and annealing temperature on structural, optical and electrical properties of Al codoped ZnO thin films

    Al katkilanmiş ZnO ince filmlerin yapisal, optik ve elektrik özelliklerine Al konsantrasyonunun ve tavlama sicakliğinin etkisi

    İSMAİL KURT

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiFatih Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. SADIK GÜNER