Silisyum nitrat arayüzey yalıtkan tabakalı MIS yapının elektrik ve dielektrik parametreleri üzerine gama radyasyonunun etkileri
The effects of gama radiation on the electrical and dielectric parameters of MIS structure with silicon nitrate interfacial insulator layer
- Tez No: 417011
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2016
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 134
Özet
Bu çalışmada, RF (radyo frekans) püskürtme metodu ile hazırlanan Si3N4 ince filmli metal-yalıtkan-yarıiletken (MIS) yapının elektrik ve dielektrik parametreleri üzerine gama radyasyonun etkileri araştırıldı. Au/Si3N4/n-Si/Au (MIS) yapı, doz hızı 0,69 kGy/saat olan gama radyasyon kaynağı kullanılarak ışınlandı. Kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/ω-V) ölçümleri 0-100 kGy toplam doz aralığında beş farklı frekans (1, 10, 100, 500 and 1000 kHz) için gerçekleştirildi. Elektrik ve dielektrik parametreler radyasyondan önce ve sonra bu ölçümler kullanılarak belirlendi. C ve G/ω değeri radyasyon kaynaklı kusurlar nedeniyle artan radyasyon dozu ile azalmaktadır. Ayrıca, C ve G/ω değeri artan frekans ile azalmaktadır. C ve G/ω'nın frekans bağımlılığı metal-yarıiletken arayüzeyinde arayüzey durumlarının varlığını göstermektedir. Hesaplanan arayüzey durumların (Nss) değeri artan radyasyon dozu ile azalırken seri direnç (Rs) değeri artmaktadır. Nss'deki bu azalma yalıtkan/yarıiletken arayüzeyinde rekombinasyon merkezlerinin sayısındaki azalmadan kaynaklanmaktadır. Dielektrik sabiti (ε') ve kaybın (ε'') hesaplanan değeri radyasyon dozu ve frekanstaki artma ile azalmaktadır. AC iletkenlik, artan radyasyon dozu ile azalırken artan frekans ile artmaktadır. Elde edilen sonuçlar, MIS yapının hem elektrik hemde dielektrik parametrelerinin frekans ve radyasyona oldukça bağlı olduğunu göstermiştir.
Özet (Çeviri)
In this study, the effects of gamma radiation on the electrical and dielectric parameters of metal-insulator-semiconductor (MIS) structure with Si3N4 thin film prepared by RF magnetron sputtering method were investigated. The Au/Si3N4/n-Si/Au (MIS) structure was irradiated using gamma-radiation source at a dose rate of 0,69 kGy/h. The capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/ω-V) measurements were carried out at a total dose range of 0-100 kGy for five different frequencies (1, 10, 100, 500 and 1000 kHz). The electrical and dielectric parameters were determined from these measurements before and after irradiation. The value C and G/ω decreases with the increasing radiation dose due to the irradiation-induced defects. Also, the value of C and G/ω decreases with the increasing frequency. The frequency dependence of C and G/ω indicates the existence of interface states at metal-semiconductor interface. The calculated value of series resistance (Rs) increases while the interface states (Nss) value decreases with the increasing radiation dose. This decrease in Nss is due to the reduction in the number of recombination centers at insulator/semiconductor interface. The calculated value of the dielectric constant (ε') and dielectric loss (ε'') decreases with the increase of radiation dose and frequency. While the value of ac conductivity (sac) decreases with the increasing radiation dose, it increases with the increasing frequency. The obtained results showed that the electrical and dielectric parameters of the MIS structure considerably depend on both frequency and radiation.
Benzer Tezler
- Ge nanokristallerin SiNx ve SiOx matris içerisindeki optik ve yapısal özelliklerinin incelenmesi
The investigation of optical and structural properties of ge nanocrystal in SiNx and SiOx matrix
MEHMET SERKAN TOKAY
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiKırıkkale ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. SEDAT AĞAN
- Germanium alloys for optoelectronic devices
Optoelektronik aygıtlar için germanyum bileşikleri
AYŞE ERBİL
Yüksek Lisans
İngilizce
2008
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Bölümü
PROF. DR. ATİLLA AYDINLI
- Optimization of metalization in crystalline silicon solar cells
Kristal silisyum tabanlı güneş gözelerinin metalizasyon optimizasyonu
OLGU DEMİRCİOĞLU
Yüksek Lisans
İngilizce
2012
EnerjiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RAŞİT TURAN
YRD. DOÇ. DR. HÜSNÜ EMRAH ÜNALAN
- Alternative surface texturing, passivation and charge selective contacts for crystalline silicon solar cells
Kristal silisyum güneş hücreleri için alternatif yüzey dokulandırma, pasivasyon ve yük seçici kontaklar
ELİF SARIGÜL DUMAN
Doktora
İngilizce
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RAŞİT TURAN
DOÇ. DR. SELÇUK YERCİ
- Fabrication and doping of thin crystalline Si films prepared by e-beam evaporation on glass substrate
E-beam buharlaştırıcıyla cam üzerine güneş gözeleri uygulamaları için silisyum ince filmlerin üretimi ve katkılaması
SALAR HABIBPUR SEDANI
Yüksek Lisans
İngilizce
2013
EnerjiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RAŞİT TURAN
DOÇ. DR. H. EMRAH ÜNALAN