Ge nanokristallerin SiNx ve SiOx matris içerisindeki optik ve yapısal özelliklerinin incelenmesi
The investigation of optical and structural properties of ge nanocrystal in SiNx and SiOx matrix
- Tez No: 184743
- Danışmanlar: DOÇ.DR. SEDAT AĞAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Silisyum dioksit, Silisyum nitrat, Germanyum nanokristal, PECVD, Isıl Tavlama, Raman, Ostwald Topaklanma, Silicon dioxide, Silicon nitrate, Germanium nanocrystal, PECVD, Thermal Annealing, Raman, Ostwald Ripening
- Yıl: 2006
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Kırıkkale Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 106
Özet
ÖZETTOKAY, Mehmet SerkanKırıkkale ÜniversitesiFen Bilimleri EnstitüsüFizik Anabilim Dalı, Yüksek Lisans TeziDanışman: Doç. Dr. Sedat AĞANTemmuz 2006, 94 sayfaBu çalışmada, SiO2 ve SiNx yapılar içerisindeki Ge nanokristallerin yapısalve optik özellikleri, Raman ve Fotoışıma spektroskopi teknikleri kullanılarakincelenmiştir. Ge nanokristal içeren silisyum oksit ve silisyum nitrat incefilmler GeH4, SiH4, N2O ve NH3 gazlarının farklı akış oranları kullanılarakPECVD tekniği ile büyütüldü. Isıl tavlamanın Ge nanokristallerin özelliklerineolan etkileri saptandı. Raman ve PL yöntemleri ile belirli bir sıcaklığınüstündeki tavlamalarda Ge nanokristallerin oluşturulabileceği ve bunanokristallerin boyutlarının tavlama sıcaklığı ve süresi ile ayarlanabileceğigösterildi. Matris içerisindeki farklı boyutlarda Ge nanokristallerin optiközelliklerinin ayarlanılabilir olduğu teorik ve deneysel olarak literatürdekidenklemler kullanılarak gösterildi. Bu oluşum Ostwald filizlenme teorisi vedifüzyon denklemleri ile ilişkilendirildi. Yapılan çalışmalar sırasında yükseksıcaklardaki tavlamalarda SiO2 ve SiNx matrisleri içerisinde Si1-xGexepitaksiyel filmlerin oluşumlarına rastlandı.
Özet (Çeviri)
ABSTRACTTOKAY, Mehmet SerkanKırıkkale UniversityGraduate School of Natural and Applied SciencesDepartment of Physics, M. Sc. ThesisSupervisor: Assoc. Prof. Sedat AĞANJULY 2006, 94 pageIn this study, the morphology and optical properties of Ge nanocrystals inSiO2 and SiNx structures are investigated by using Raman andPhotoluminescence spectroscopy techniques. Ge nanocrystal in silicon oxideand silicon nitrate thin films have been grown with different flow rate of GeH4,SiH4, N2O and NH3 by PECVD technique. The effect of thermal annealingtemperature and time for Ge nanocrystal formation have been determinated.Optical properties of Ge nanocrystals, at different sizes, in matrix at beshown to able to change by using theoretical equations and experimentalstudies in the literature. This formation has been related with Ostwaldripening theory and diffusion equations. During this study, the formation ofSi1-xGex epitaxial films in Silicon dioxide and Silicon nitrate matrix has beenobtained at high annealing temperatures.
Benzer Tezler
- SiO2:Si/Ge/Si/SiO2 ince filmlerde Ge nanokristallerin elektron mikroskobu ile görüntülenmesi ve teknolojik uygulamaları
Investigated with by using hrtem of nanocrytals in SiO2:Si/Ge/Si/SiO2 thin films and it's technological properties
AHMET ÖZDEMİR
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiKırıkkale ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ERDEM YAŞAR
- Mos (metal-oksit-yarıiletken) kapasitörlerde kapasitans ölçümleri
Capacitance measurements of mos capacitors
NEBİ MUSTAFA GÜMÜŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiKırıkkale ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEDAT AĞAN
- Plazma ile zenginleştirilmiş kimyasal depolama tekniği kullanılarak büyütülen çok katlı amorf SiOx:SiOxGe filimlerde ge nanokristallerin elektron mikroskobu ile görüntülenmesi
Transmission electron microscopy characterization of ge nanocrystals in amorphous SiOx:SiOxGe multilayers films synthesized by plasma enhanced chemical vapor deposition
KEMAL DURANDAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiKırıkkale ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEDAT AĞAN
- Si nanocrystals in SiC matrix and infrared spectroscopy of nanocrystals in a dielectric matrix
SiC matris içindeki Si nanokristaller ve dielektrik içindeki nanokristallerin kızıl ötesi spektroscopisi
ARİFE GENCER İMER
Doktora
İngilizce
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Bölümü
PROF. DR. RAŞİT TURAN
- PECVD tekniği ile büyütülmüş ince filmlerde oluşan Si, Ge ve SiGe nanokristallerin geçirgen elektron mıkroskobu (TEM), Raman, fotoışıma ve esr spektroskopisi teknikleri ile incelenmesi
Transmission electron microscopy, Raman, photoluminescence and electron spin resonance characterization of Si,Ge and SiGe nanocrystals in thin films synthesized by plasma enhanced chemical vapor deposition
BÜNYAMİN ŞAHİN
Doktora
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiKırıkkale ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEDAT AĞAN