Geri Dön

Defect reduction study of molecular beam epitaxially grown cdte thin films by ex-situ annealing

Moleküler demet epitaksiyel büyütülen cdte ince filmlerin tavlama ile kusur azaltma çalışması

  1. Tez No: 418419
  2. Yazar: EMİNE BAKALİ
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. YUSUF SELAMET
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2015
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü
  10. Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 99

Özet

Büyütme sırasında oluşan kusurları azaltmak için, Moleküler Demet Epitaksi (MBE) ile büyütülen CdTe ince filmler tavlandı. Tavlama için bir sistem tasarlandı. Tavlamalar sırasında; tavlama sıcaklığı, tavlama süresi, tavlama devri ve hidrojen gazı etkileri incelendi. Tavlama parammetreleri etkileri Taramalı Uç Mikroskobu (SEM), Atomik Kuvvet Mikroskobu (AFM), Everson eç metodu, resonans Raman Spektroskopisi ve fotoluminesans ölçümleri ile incelendi. Araştırmalar sonucunda 5 dakika boyunca tavlanan örneklerde dislokasyon yoğunluğu tavlama sıcaklığı artarken düşmüştür. Dislokasyon yoğunluğu tavlama süresi arkarken düşmüştür. Ayrıca tavlama devri artarken dislokasyon yoğunluğu düşmüştür. Te çökeltisi tavlamalar sonuda azalmıştır. 144 cm-1 deki raman modu Te E moduna ait olduğu kararlaştırılmıştır. I2LO/ILO oranı tavlama sıcaklığı ve tavlama süresi artarken düşmüştür ve resonan raman saçılmasında I2LO/ILO oranı 80oK de 1'e yaklaşmıştır. Raman saçılmalarında yeni pikler gözlemlenmiştir. Sıcaklık artarken örnek yüzeyinde küçük çukurlar oluşmuştur. Yüzey pürüzlülüğü tavlama devri artığında düşmüştür.

Özet (Çeviri)

Molecular Beam Epitaxy (MBE) grown CdTe thin films were annealed in this study to decrease number density of defects. For annealing, a system was designed and constructed. During anneals; anneal temperature, anneal time, anneal cycle and hydrogen gas effects were analyzed. The effects of anneal parameters were analyzed by Scanning Electron Microscope (SEM), Atomic Force Microscope (AFM), Everson Etch method, resonance Raman spectroscopy and Photoluminescence measurement. As a result of this study, dislocation density decreased for 5 min. annealing when annealing temperature increased. Dislocation density decreased with increasing annealing time. Besides dislocation density decreased when cycle number increased. Te precipitation decreased with annealing. Raman mode at 144 cm-1 was investigated and that mode was decided as Te E mode. Also I2LO/ILO ratio decreased with increasing annealing temperature, annealing time and I2LO/ILO ratio were arrived nearly 1 at 80oK by incoming resonance Raman scattering. Extra peaks were also observed by Raman scattering. On the surface, small pits occurred when annealing temperature increased. Surface roughness decreased with increasing cycle number.

Benzer Tezler

  1. A detailed study on bismuth containing III-V semiconductor materials grown on different orientations

    Farklı yönelimlerde büyütülen bismut içeren III-V yarıiletken malzemeler üzerine detaylı bir çalışma

    GÜLCAN SÖM

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAdana Bilim ve Teknoloji Üniversitesi

    Nanoteknoloji ve Mühendislik Bilimleri Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MUSTAFA GÜNEŞ

  2. Nanomekanikte yerel olmayan elastisite teorisi ve çok-ölçekli modellemeye uygulanması

    Nonlocal theory of elasticity in nanomechanics and application to multiscale models

    MERAL TUNA EROĞLU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Makine Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MESUT KIRCA

  3. Grafen esaslı kompozit kaplamaların korozyon ve aşınma özellikleri

    Corrosion and wear properties of graphene based composite coatings

    KUBİLAY KILIÇÇI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Metalurji MühendisliğiSakarya Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MEHMET UYSAL

  4. Uydu verileri ile İstanbul Boğazı ve Haliç'de su kirliliğinin makro düzeyde belirlenmesi

    Intrepretation at macro level as pollution of water resources of remotely sensed data of Bosphorus and golden horn estuary by an unsupervised and supervised classification method

    H.GONCA COŞKUN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1992

    Jeodezi ve Fotogrametriİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF. DR. CANKUT ÖRMECİ

  5. Elektron ışın kaynağı yöntemi ile kaynatılan ınconel 718 malzemesi üzerinde seçili değişkenlerin etkisinin incelenmesi

    Investigation of the effect of selected variables on the inconel 718 material welded by electron beam welding

    BARIŞ BÖYÜKER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Makine Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MURAT VURAL