A detailed study on bismuth containing III-V semiconductor materials grown on different orientations
Farklı yönelimlerde büyütülen bismut içeren III-V yarıiletken malzemeler üzerine detaylı bir çalışma
- Tez No: 543168
- Danışmanlar: DOÇ. DR. MUSTAFA GÜNEŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2019
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Adana Bilim ve Teknoloji Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Nanoteknoloji ve Mühendislik Bilimleri Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 48
Özet
GaAsBi kuantum kuyusu yapıları III-V grubu bileşik yarıiletkenlerdir ve benzersiz özelliklerinden dolayı gelişmekte olan malzemeler olarak adlandırılırlar. III–V grup malzemelere seyreltik oranda ilave edilen Bi atomları, III-V grubu (ev sahibi) malzemenin bant aralığı enerjisinde azalma ve valans bant ayrışma enerjisinde (split off) artmaya neden olmaktadır. Bu nedenlerden dolayı, bu yapılar orta kızılötesi (Mid-IR) bölgede çalışan optoelektronik aygıtlarda kullanılacak umut verici bir aday olarak kabul edilir. Bu çalışmada, (100) ve (311) B GaAs alttaş üzerine Katı Kaynaklı-Moleküler Işın Epitaksi yöntemiyle büyütülmüş nominal olarak x =% 1,% 2 ve %3 oranında Bizmut içeren GaAsBi/GaAs tek kuantum kuyu yapılar çalışılmıştır. Farklı yönelimlerinde büyütülmüş GaAs(1-x)Bix/GaAs tek kuantum kuyu yapıların yapısal ve optik özellikleri X-ışını kırınımı (XRD), Fourier-Transform (FT-Raman) Raman ve Fotoışıma (FI) spektroskopi tekniği ile detaylı olarak incelenmiştir. FT-Raman ve XRD ölçümleri malzemelerin yapısal özelliklerini belirlemek için yapılmıştır. Işımasız ve ışımalı geçişler uyarım gücüne bağlı Fotoışıma (FI) ölçümleriyle belirlendi. Banttan banda optik geçişe ek olarak, Bi ile ilgili kümeler ve kuantum kuyusunun uzatılmış tabakası (extended) gerginlik etkisi dikkate alınarak hesaplanmıştır. Özet olarak, bu tez çalışması kapsamında çalışılan tüm örneklerin yüksek kristal kalitesine ve düzgün bir yüzeye sahip olduğu belirlenmiştir. FI sonuçları yapıya katılan Bi ile birlikte optik ve yapısal özelliklerin ne şekilde değiştiği, Bi kusurlarının ekzitonik lokalizasyon üzerindeki etkileri, ışımasız optik geçiş merkezlerinin azalışı ve alaşım düzensizlikleri belirlenmiştir.
Özet (Çeviri)
GaAsBi quantum well structures are III-V group compound semiconductors and named as emerging materials due to their unique properties. Incorporation of a small amount of Bi into III–V group materials results in the large band-gap reduction and the large valence band split off energy. For those reasons, these structures are considered as a promising candidate for potential applications in mid-infrared (Mid-IR) optoelectronics applications. In this work, GaAs(1-x)Bix /GaAs single QW grown on semi-insulating undoped GaAs (100) and high index (311)B oriented GaAs substrates by Solid-Source Molecular Beam Epitaxy (MBE) with nominal Bi concentrations varied for x = 1%, 2%, and 3% were studied. The structural and optical properties of the GaAs(1-x)Bix/GaAs single quantum wells (QW) grown on different substrate orientations have been deeply investigated by using X-Ray Diffraction (XRD), Fourier-Transform Raman (FT-Raman) and Photoluminescence (PL) spectroscopy techniques. FT-Raman and XRD measurements have been performed to determine the structural properties of the materials. The non-radiative and radiative transition have been determined by power depend on PL. In addition to band to band transition, Bi-related cluster and extended layer of the QW were calculated taking into account strain effect. In summary, all investigated samples showed good crystal quality as well as smooth surface roughness. Additionally, the PL results have shown an enhancement of optical efficiency and structural quality as Bi amount is increased due to important effects of exciton localization related to Bi defects, reduced non-radiative centers, and alloy disorder.
Benzer Tezler
- Interference effects of hydride forming elements on bismuth determination using tungsten coil system as electrothermal vaporizer and electrothermal atomizer in atomic spectrometry
Atomik spektrometride tungsten sarmal sisteminin elektrotermal atomlaştırıcı ve eletrotermal buharlaştırıcı olarak uygulanmasıyla hidrür oluşturan elementlerin bizmut tayinine girişim etkileri
PINAR MERCAN
Doktora
İngilizce
2017
KimyaOrta Doğu Teknik ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. OSMAN YAVUZ ATAMAN
- KNNS-BNW seramiklerin ZnO katkısına bağlı olarak dielektrik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of dielectric properties of KNNS-BNW ceramics depending on ZnO additive
FATMA HAZAL BABAÖZÜ
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Metalurji MühendisliğiSakarya ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞADUMAN ŞEN
- Biodentin, mta, ırm tamir materyalleri ile kapatılan ve e.faecalis ile kontamine edilen farklı çaplardaki furkal perforasyonların sızdırmazlığının bakteriyel sızıntı yöntemi ile incelenmesi
The repair of furcal perforati̇ons in di̇fferent di̇ameters with biodentin,mta,irm repair materials: A labaratory study using a e.faecalis leakage model
EMRE ÖVSAY
Doktora
Türkçe
2013
Diş HekimliğiYeditepe ÜniversitesiEndodonti Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. RABİA FİGEN KAPTAN
- Design of a prototype apparatus for on-line elemental analysis using nuclear techniques
Nükleer teknikler kullanarak çevrim-içi element analizi yapan prototip cihazın tasarımı
BAŞAK UNTUÇ
Doktora
İngilizce
2018
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İSKENDER ATİLLA REYHANCAN
PROF. DR. MUSTAFA NİZAMETTİN ERDURAN
- Safra yolu yaralanmalarının mali boyutu
Cost of bile duct injury
OZGKIOUR PALAZ ALI
Tıpta Uzmanlık
Türkçe
2017
Genel Cerrahiİstanbul ÜniversitesiGenel Cerrahi Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ABDİL CEM İBİŞ