Geri Dön

Silisyum nanotel dizileri üzerine büyütülen Ge nanoparçacık katkılı ZnO heteroeklem güneş gözelerinin geliştirilmesi

Development of Ge nanoparticles embedded ZnO heterojunction solar cells grown on silicon nanowire arrays

  1. Tez No: 430906
  2. Yazar: ALİ EMRE GÜMRÜKÇÜ
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. ABDULLAH CEYLAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2016
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Hacettepe Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Nanoteknoloji ve Nanotıp Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 69

Özet

Bu çalışmada magnetron sputter tekniği ile düzlemsel ve nanotel geometrideki p tipi Si alttaşlar üzerine büyütülen Ge nanoparçacık katkılı ZnO ince filmlerin yapısal özellikleri araştırıldı. Ge nanoparçacıkların kuantum sınırlama etkisi ile bant yapısındaki değişim ve dikine geometri yardımıyla ışığın daha iyi tuzaklanması mekanizmalarından yararlanarak fotovoltaik verimi yüksek ince film yapılar elde edilmeye çalışıldı. İnce film kaplamalar reaktif ve reaktif olmayan ortamlarda gerçekleştirilerek büyütme koşullarının yapı üzerindeki etkileri incelendi. Reaktif ve reaktif olmayan ortamlarda hazırlanan örnekler, 3 dk süre ile Ge kaplandı ve 600℃ 'de 60s RTA iĢlemi ile tavlanarak Ge nanoparçacıklar elde edildi. Hazırlanan örneklerde ZnO ve Ge ince filmler sırasıyla r.f ve d.c hedefler ile kaplandı. Yapısal karakterizasyonlar X ıĢını Kırınımı (XRD), Raman saçılması, İkincil İyon Kütle Spektroskopisi (SIMS) ve Taramalı Elektron Mikroskobu (SEM) teknikleri ile gerçekleştirildi. XRD ve Raman analizleri sonucunda reaktif ortamda yapılan kaplamalarda yapıda bulunan Ge'un hem kübik (DC-Ge) hem de tetragonal (ST-12) kristal yapıya sahip olduğu, reaktif olmayan kaplamalarda ise sadece DC-Ge yapısının olduğu bulundu. ST-12 yapısına sahip Ge nanoparçacıkların ZnO ince filmlerin arasına katkılanarak daha kolay olarak elde edilebilmesi, gelecekte geliştirilebilecek yeni nanokompozit ince filmlerin optoelektronik uygulamalara katkı sağlayacağı düşünülmektedir. Nanotel geometrideki alttaşlar üzerine ince film büyütme işlemi hedeflenen şekilde gerçekleştirilemedi. Ara kesit SEM görüntüleri ile ZnO ve Ge tabakaların Si nanoteller arasına girmeden boşluklu yapı oluşturarak büyüdüğü belirlendi.

Özet (Çeviri)

The magnetron sputter technique was applied to investigate the properties of Ge nanoparticles embedded on ZnO thin films, which were grown on p type Si substrate and p type Si nanowires substrate. The change of Ge band gap by the quantum confinement effect and the vertical type geometry of substrate, which are better at light emitting were the mechanisms we applied to obtain highly efficient photovoltaic thin films. These thin films were coated at reactive and non-reactive conditions in order to test the effects of growth conditions on the films. Prepared samples were coated with Ge for 3 minutes and annealed with rapid thermal annealing (RTA) process at 600℃. The ZnO and Ge thin films were coated with r.f and d.c targets. X-Ray Diffraction (XRD), Raman scattering, Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS) and Scanning Electron Microscope (SEM) were used for the structural characterization. The results of XRD and Raman analysis revealed that the coatings performed at reactive conditions were resulted both cubic (DC-Ge) and tetragonal (ST-12) Ge crystals whereas at non-reactive conditions only DC-Ge crystals were formed. A simple way of obtaining Ge nanoparticles with ST-12 geometry by embedded them on ZnO thin films initiates that further developed novel nanocomposites can be promising for the future applications of optoelectronic devices. The growth of thin films on nanowire geometry was failed. The results of SEM spectroscopy showed that ZnO and Ge layers did not get into Si nanowires and thus form holes in the structure.

Benzer Tezler

  1. A new composite resonator architecture based on coupled vertical NW arrays

    Kuplajlanmmış dikey nanotel dizileri tabanlı yeni bir kompozit çınlaç mimarisi

    YASİN KILINÇ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Makine MühendisliğiKoç Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Bilim Dalı

    DOÇ. DR. BURHANETTİN ERDEM ALACA

  2. Mechanical characterization of silicon nanowires

    Silisyum nanotellerin mekanik nitelendirilmesi

    EVREN FATİH ARKAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2011

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKoç Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. B. ERDEM ALACA

  3. Silisyum nanoyapı tabanlı gaz sensörü üretimi ve karakterizasyonu

    Formation of silicon nanostructure based metal oxide gas sensors

    NİLÜFER USLU UZUN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. YUSUF SELİM OCAK

  4. Silicon nanowire-based complex structures: A large-scale atomistic electronic structure and ballistic transport

    Si̇li̇syum nanotel tabanlı karmaşık yapılar: Büyük ölçekli̇ atomi̇k elektroni̇k yapı ve bali̇sti̇k taşınım

    ÜMİT KELEŞ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2014

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. CEYHUN BULUTAY

  5. Fabrication and characterization of silicon nanowire resonators

    Silisyum nanotel çınlaçların üretimi ve nitelendirilmesi

    İZZET YILDIZ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2010

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKoç Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. B. ERDEM ALACA