MIS yapılarda ara yüzey karakterizasyonu
Interface characterization of MIS structures
- Tez No: 450685
- Danışmanlar: DOÇ. DR. SEMA BİLGE OCAK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2016
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Al/ZnO/p-Si Schottky diyolar hazırlanarak akım-gerilim (I-V), kapasite-gerilim (C-V) ve iletim-gerilim (G-V) karakteristikleri oda sıcaklığında ve karanlık ortamda ölçüldü. Al/ZnO/p-Si Schottky diyotların satürasyon akımı (I0), ideallik faktörü (n), bariyer yüksekliği (ΦB) ve seri direç (Rs) parametreleri termoiyonik emisyon teorisi kullanılarak elde edilen düz beslem I-V karakteristikleri ile hesaplandı. Elde edilen n, ΦB and Rs (Cheung methodu kullanılarak) verilerinin, dV/dLn(I)-I ve H(I)-I fonksiyonları için; 0,60-0,70 eV, 0.51-0.802 eV aralığında, 1.46,3-3.19 k ve 1.5-3.62 k aralığında değiştiği gözlemlendi. Al/ZnO/p-Si yapıların frekansa bağlı kapasite-gerilim (C-V) ve iletim-gerilim (G-V) karakteristikleri seri dirençler (Rs) ile arayüzey durumları (Nss) etkileri göz önünde bulundurularak incelendi. Al/ZnO/p-Si yapıların C-V ve G-V ölçümleri oda sıcaklığında 30kHz-1 MHz frekans aralığında yapıldı. Deneysel sonuçlar, C ve G değerlerinin frekans arttıkça azaldığını gösterdi. C ve G değerlerinde düşük frekanslarda görülen bu davranışın Si/ZnO arayüzeyinde meydana gelen Nss değerinden kaynaklandığı tespit edildi. Böylelikle numuneden Cc ve Gc değerlerini elde etmek için Rs etkisi göz önünde bulundurularak düz beslem ve ters beslem için de yüksek frekansta Cm and Gm/w değerleri ölçüldü. Sıfır beslem altında her bir frekansta, Rs değerinin anormal derecede pik yaptığı görüldü. C-2-V eğrisi her bir frekans değeri için geniş bir beslem aralığında lineer bir davranış sergiledi. Katkılama yoğunluğu NA, tüketim katmanı genişliği WD ve bariyer yükseliği ΦB değerleri C-2-V eğrisinden elde edildi.
Özet (Çeviri)
Al/ZnO/p-Si Schottky diodes were prepared in the same conditions and their current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G-V) characteristics were measured at room temperature and in the dark. The characteristic parameters such as saturation current (I0), ideality factor (n), barrier height (ΦB) and series resistance (Rs) of the Al/ZnO/p-Si Schottky diodes were determined from the forward bias I-V characteristics by using thermionic emission theory. . The obtained values of n, ΦB and Rs (Cheung method) were changed in the ranges 0,60-0,70 eV, 0.51-0.802 eV and 1.46,3-3.19 k ve 1.5-3.62 k for dV/dLn(I)-I ve H(I)-I functions respectively. The frequency- dependent capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G-V) characteristics of the Al/ZnO/p-Si structures were investigated by considering series resistance (RS) and interface states (Nss) effects. The C-V and G-V measurements of the Al/ZnO/p-Si structures were carried out in the frequency range of 30kHz-1 MHz at room temperature. Experimental results showed that both the values of C and G decreased as the frequency increased. Such behavior of C and G at low frequencies resulted from the existence of Nss at Si/ZnO2 interface. The effect of Rs on the C and G were found noticeable at high frequency. Therefore, the high frequencies Cm and Gm/w values measured under both forward and reverse bias were corrected for the effect of Rs to obtain the real Cc and Gc values from the sample. The profile of Rs exhibits an anomalous peak at each frequency about at zero-bias. The C-2-V plots displayed a linear behavior in a wide bias voltage region for each frequency value. The values of doping concentration NA, depletion layer width WD and barrier height ΦB were obtained from C-2-V plots.
Benzer Tezler
- Hava-su ara yüzeyinde çeşitli nanoyapıların kendiliğinden kümeleşerek oluşturulması ve elde edilen nanoyapıların karakterizasyonu
Synthesis of the various nanostructures at the air-water interface by the self assembly mechanism and characterization of these nanostructures
DİLARA ŞENYÜREK
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Kimya MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NİHAL AYDOĞAN
- Design and characterization of supercapacitors obtained by combining sandwich and interdigitated structures
Sandviç ve tarak yapılar kullanılarak birleşik yapıda süperkapasitörlerin tasarlanması ve karakterizasyonu
NAHID AGHA BALAPOOR KESHTIBAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ALİ GELİR
- Metal kombinasyonlarıyla doplu multioksit nanokompozit kil kataliz sistemlerinin geliştirilmesi: Hazırlama parametreleri ve karakterizasyon özelliklerinin incelenmesi
Development of multioxide nanocomposite clay catalyst systems doped with metal combination: Investigation of preparation parameters and characterisation
İLYAS DEVECİ
- Haloysit nanotüp dolgu malzemesi ile termoplastik ve termoplastik elastomer polimer matris kompozit malzemelerin hazırlanması ve karakterizasyonu
Preparation and characterization of halloysite filled thermoplastic and thermoplastic elastomer composite materials
TUĞÇE ÖNER
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Polimer Bilim ve Teknolojisiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BURAK ÖZKAL
- Synthesis and characterization of boron-acrylate/SBA-15 polymer composites
Bor-akrilat/SBA-15 polimer kompozitlerinin sentez ve karakterizasyonu
NARGIZ ALIYEVA
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Polimer Bilim ve Teknolojisiİstanbul Teknik ÜniversitesiPolimer Bilim ve Teknolojisi Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İBRAHİM ERSİN SERHATLI