Geri Dön

MIS yapılarda ara yüzey karakterizasyonu

Interface characterization of MIS structures

PDF İndir

  1. Tez No: 450685
  2. Yazar: RIDVAN OKUR
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. SEMA BİLGE OCAK
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2016
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 74

Özet

Al/ZnO/p-Si Schottky diyolar hazırlanarak akım-gerilim (I-V), kapasite-gerilim (C-V) ve iletim-gerilim (G-V) karakteristikleri oda sıcaklığında ve karanlık ortamda ölçüldü. Al/ZnO/p-Si Schottky diyotların satürasyon akımı (I0), ideallik faktörü (n), bariyer yüksekliği (ΦB) ve seri direç (Rs) parametreleri termoiyonik emisyon teorisi kullanılarak elde edilen düz beslem I-V karakteristikleri ile hesaplandı. Elde edilen n, ΦB and Rs (Cheung methodu kullanılarak) verilerinin, dV/dLn(I)-I ve H(I)-I fonksiyonları için; 0,60-0,70 eV, 0.51-0.802 eV aralığında, 1.46,3-3.19 k ve 1.5-3.62 k aralığında değiştiği gözlemlendi. Al/ZnO/p-Si yapıların frekansa bağlı kapasite-gerilim (C-V) ve iletim-gerilim (G-V) karakteristikleri seri dirençler (Rs) ile arayüzey durumları (Nss) etkileri göz önünde bulundurularak incelendi. Al/ZnO/p-Si yapıların C-V ve G-V ölçümleri oda sıcaklığında 30kHz-1 MHz frekans aralığında yapıldı. Deneysel sonuçlar, C ve G değerlerinin frekans arttıkça azaldığını gösterdi. C ve G değerlerinde düşük frekanslarda görülen bu davranışın Si/ZnO arayüzeyinde meydana gelen Nss değerinden kaynaklandığı tespit edildi. Böylelikle numuneden Cc ve Gc değerlerini elde etmek için Rs etkisi göz önünde bulundurularak düz beslem ve ters beslem için de yüksek frekansta Cm and Gm/w değerleri ölçüldü. Sıfır beslem altında her bir frekansta, Rs değerinin anormal derecede pik yaptığı görüldü. C-2-V eğrisi her bir frekans değeri için geniş bir beslem aralığında lineer bir davranış sergiledi. Katkılama yoğunluğu NA, tüketim katmanı genişliği WD ve bariyer yükseliği ΦB değerleri C-2-V eğrisinden elde edildi.

Özet (Çeviri)

Al/ZnO/p-Si Schottky diodes were prepared in the same conditions and their current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G-V) characteristics were measured at room temperature and in the dark. The characteristic parameters such as saturation current (I0), ideality factor (n), barrier height (ΦB) and series resistance (Rs) of the Al/ZnO/p-Si Schottky diodes were determined from the forward bias I-V characteristics by using thermionic emission theory. . The obtained values of n, ΦB and Rs (Cheung method) were changed in the ranges 0,60-0,70 eV, 0.51-0.802 eV and 1.46,3-3.19 k ve 1.5-3.62 k for dV/dLn(I)-I ve H(I)-I functions respectively. The frequency- dependent capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G-V) characteristics of the Al/ZnO/p-Si structures were investigated by considering series resistance (RS) and interface states (Nss) effects. The C-V and G-V measurements of the Al/ZnO/p-Si structures were carried out in the frequency range of 30kHz-1 MHz at room temperature. Experimental results showed that both the values of C and G decreased as the frequency increased. Such behavior of C and G at low frequencies resulted from the existence of Nss at Si/ZnO2 interface. The effect of Rs on the C and G were found noticeable at high frequency. Therefore, the high frequencies Cm and Gm/w values measured under both forward and reverse bias were corrected for the effect of Rs to obtain the real Cc and Gc values from the sample. The profile of Rs exhibits an anomalous peak at each frequency about at zero-bias. The C-2-V plots displayed a linear behavior in a wide bias voltage region for each frequency value. The values of doping concentration NA, depletion layer width WD and barrier height ΦB were obtained from C-2-V plots.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    290319

    Metal-oksit ara tabakalı myy yapıların dielektrik özellikleri

    Dielectric properties of mis structures with metal-oxide interlayer

    MUSTAFA COŞKUN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMarmara Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. AHMET ALTINDAL

    YRD. DOÇ. DR. FATİH DUMLUDAĞ

  2. Tez No

    367433

    GaN schottky güneş gözelerinin iki boyutlu modellenmesi

    Two-dimensional modeling of GaN schottky solar cells

    BENGÜL METİN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla Sıtkı Koçman Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. NEŞE KAVASOĞLU

  3. Tez No

    233003

    Metal/TiO2/c-Si/metal yapılarında yüzey şartlarının elektriksel belirtkenler üzerindeki etkisi

    The effects of surface states on the electrical characteristics of metal/TiO2/c-Si/metal structure

    OSMAN PAKMA

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NECMİ SERİN

  4. Tez No

    14672

    Bursa Yeşil Cami pencere parmaklıklarındaki gümüş kakma motifler (2 cilt)

    Başlık çevirisi yok

    BEDRİ YALMAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1991

    Sanat Tarihiİstanbul Üniversitesi

    PROF.DR. ŞERARE YETKİN

  5. Tez No

    562480

    Farklı kalınlıklarda al2o3 arayüzey tabakasının metal-yarıiletken yapılara eklenmesi ile dielektrik özelliklerinin incelenmesi

    Dielectric properties investigation of metal-semiconductor structures by adding al2o3 interlayer in different thicknesses

    BİLAL ARSLAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKarabük Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SERHAT ORKUN TAN

Geri Dön