Geri Dön

Fosfor katkılanmış hidrojenlenmiş amorf silisyum karbür ince filmlerin elektriksel özelliklerinin karakterizasyonu

The characterization of electrical properties of phosphorus doped hydrogenated amorphous silicon carbide thin films

  1. Tez No: 457110
  2. Yazar: BURAK ALÇINKAYA
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. KIVANÇ SEL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2017
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 89

Özet

Plazma destekli kimyasal buhar biriktirme yöntemi ile dört farklı karbon içeriğinde fosfor katkılanarak biriktirilmiş hidrojenlenmiş amorf silisyum karbür (n-tipi a-SiCx:H) ince filmlerin elektriksel özellikleri analiz edilmiştir. İnce filmlerin karbon içerikleri (x) X-ışını foto-elektron spektroskopi ile sırasıyla 0, 0.19, 0.46 ve 0.62 olarak belirlenmiştir. İnce filmlerin kalınlıkları, optik enerjileri morötesi-görünür bölge geçirgenlik spektroskopisi ile belirlenmiştir ve optik enerjilerinin karbon içeriği ile arttığı gözlenmiştir. İnce filmlerin elektriksel özellikleri sıcaklığa bağlı akım-voltaj ölçümleri ile analiz edilmiştir. N-tipi a-SiCx:H ince filmlerin karbon içeriğinin artmasıyla oda sıcaklığındaki öziletkenliğin azaldığı ve en yüksek öziletkenlik aynı yöntemle biriktirilmiş has a-SiCx:H filmlerin öziletkenlikleri ile karşılaştırıldığında yaklaşık 10^6 katlık bir artış olduğu belirlenmiştir. N-tipi a-SiCx:H ince filmlerin elektriksel aktivasyon enerjileri hesaplanmıştır ve karbon içeriğinin artmasına bağlı olarak 0.24 eV'tan 0.76 eV'a arttığı belirlenmiştir. İnce filmlerin elektriksel iletim mekanizmaları analiz edilmiştir. Has a-SiCx:H ince filmlerde silisyum zengin karbon içeriğinde standart iletim mekanizmasının ve karbon zengin durumda ise en yakın komşuya sıçrama (EYKS) mekanizmasının baskın iletim mekanizması olmasına karşın n-tipi a-SiCx:H ince filmlerde baskın iletim mekanizmasının standart iletim mekanizması olduğu belirlenmiştir.

Özet (Çeviri)

The electrical properties of phosphorus doped hydrogenated amorphous silicon carbide (n-type a-SiCx:H) thin films, that were deposited at four different carbon content (x) by plasma enhanced chemical vapor deposition, were analyzed. The carbon content (x) of the films were determined by X-ray photoelectron spectroscopy as 0, 0.19, 0.46 and 0.62, respectively. The thickness and optical energies of the thin films were determined by ultraviolet-visible transmission spectroscopy and it was observed that the optical energies were increased with increasing carbon content. The electrical properties of the thin films were analyzed by temperature dependent current-voltage measurements. Room temperature conductivities of n-type a-SiCx:H thin films were decreased as a function of increasing carbon content and when the conductivities were compared with that of the intrinsic a-SiCx:H thin films, which were deposited by the same method, an increase of about 10^6 times was determined. The electrical activation energies were calculated and it was determined that they were increased from 0.24 eV to 0.76 eV as a function of increasing carbon content. The conduction mechanisms of the thin films were analyzed. Instead of fact that, the dominant conduction mechanism was standart transport mechanism in silicon rich carbon content intrinsic a-SiCx:H thin films, wheras it was nearest neighbour hopping mechanism in carbon rich state; it was determined that the dominant mechanism in the n-type a-SiCx:H thin films was standart transport mechanism.

Benzer Tezler

  1. Preparation and characterization of silicon thin films

    Silisyum ince filmlerinin hazırlanması ve karakterizasyonu

    İSMAİL ATILGAN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    1993

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU

  2. Amorf silisyum katkılı schottky diyotların optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    Investigation optical and electrical properties of amorphous silicon doped schottky diodes

    GİZEM ÇELİKOK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. KUBİLAY KUTLU

  3. Katkılanmış grafen temelli nanomalzemelerin nöral kayıt ve uyarım yeteneğinin araştırılması

    Investigation of neural recording and stimulation capability of doped graphene-based nanomaterials

    MUHAMMED ZAHİD DOĞAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    BiyoteknolojiHacettepe Üniversitesi

    Nanoteknoloji ve Nanotıp Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ CEM BAYRAM

    DOÇ. DR. DİNÇER GÖKCEN

  4. AB-initio modelling of oxygen reduction reaction on doped graphene surface in acidic media

    Katkılanmış grafen yüzey üzerindeki oksijen indirgenmereaksiyonunun asidik ortamda AB-initio modellenmesi

    HASAN OZAN AVCI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Enerjiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Enerji Bilim ve Teknoloji Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ADEM TEKİN