Fosfor katkılanmış hidrojenlenmiş amorf silisyum karbür ince filmlerin elektriksel özelliklerinin karakterizasyonu
The characterization of electrical properties of phosphorus doped hydrogenated amorphous silicon carbide thin films
- Tez No: 457110
- Danışmanlar: DOÇ. DR. KIVANÇ SEL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2017
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 89
Özet
Plazma destekli kimyasal buhar biriktirme yöntemi ile dört farklı karbon içeriğinde fosfor katkılanarak biriktirilmiş hidrojenlenmiş amorf silisyum karbür (n-tipi a-SiCx:H) ince filmlerin elektriksel özellikleri analiz edilmiştir. İnce filmlerin karbon içerikleri (x) X-ışını foto-elektron spektroskopi ile sırasıyla 0, 0.19, 0.46 ve 0.62 olarak belirlenmiştir. İnce filmlerin kalınlıkları, optik enerjileri morötesi-görünür bölge geçirgenlik spektroskopisi ile belirlenmiştir ve optik enerjilerinin karbon içeriği ile arttığı gözlenmiştir. İnce filmlerin elektriksel özellikleri sıcaklığa bağlı akım-voltaj ölçümleri ile analiz edilmiştir. N-tipi a-SiCx:H ince filmlerin karbon içeriğinin artmasıyla oda sıcaklığındaki öziletkenliğin azaldığı ve en yüksek öziletkenlik aynı yöntemle biriktirilmiş has a-SiCx:H filmlerin öziletkenlikleri ile karşılaştırıldığında yaklaşık 10^6 katlık bir artış olduğu belirlenmiştir. N-tipi a-SiCx:H ince filmlerin elektriksel aktivasyon enerjileri hesaplanmıştır ve karbon içeriğinin artmasına bağlı olarak 0.24 eV'tan 0.76 eV'a arttığı belirlenmiştir. İnce filmlerin elektriksel iletim mekanizmaları analiz edilmiştir. Has a-SiCx:H ince filmlerde silisyum zengin karbon içeriğinde standart iletim mekanizmasının ve karbon zengin durumda ise en yakın komşuya sıçrama (EYKS) mekanizmasının baskın iletim mekanizması olmasına karşın n-tipi a-SiCx:H ince filmlerde baskın iletim mekanizmasının standart iletim mekanizması olduğu belirlenmiştir.
Özet (Çeviri)
The electrical properties of phosphorus doped hydrogenated amorphous silicon carbide (n-type a-SiCx:H) thin films, that were deposited at four different carbon content (x) by plasma enhanced chemical vapor deposition, were analyzed. The carbon content (x) of the films were determined by X-ray photoelectron spectroscopy as 0, 0.19, 0.46 and 0.62, respectively. The thickness and optical energies of the thin films were determined by ultraviolet-visible transmission spectroscopy and it was observed that the optical energies were increased with increasing carbon content. The electrical properties of the thin films were analyzed by temperature dependent current-voltage measurements. Room temperature conductivities of n-type a-SiCx:H thin films were decreased as a function of increasing carbon content and when the conductivities were compared with that of the intrinsic a-SiCx:H thin films, which were deposited by the same method, an increase of about 10^6 times was determined. The electrical activation energies were calculated and it was determined that they were increased from 0.24 eV to 0.76 eV as a function of increasing carbon content. The conduction mechanisms of the thin films were analyzed. Instead of fact that, the dominant conduction mechanism was standart transport mechanism in silicon rich carbon content intrinsic a-SiCx:H thin films, wheras it was nearest neighbour hopping mechanism in carbon rich state; it was determined that the dominant mechanism in the n-type a-SiCx:H thin films was standart transport mechanism.
Benzer Tezler
- Preparation and characterization of silicon thin films
Silisyum ince filmlerinin hazırlanması ve karakterizasyonu
İSMAİL ATILGAN
Doktora
İngilizce
1993
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU
- Amorf silisyum katkılı schottky diyotların optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation optical and electrical properties of amorphous silicon doped schottky diodes
GİZEM ÇELİKOK
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KUBİLAY KUTLU
- Arayüz oksit tabakası ve seri dirence sahip ruln-Si schottky diyod parametrelerinin doğru beslem I-V ve C-V karakteristiklerinden hesaplanması
Başlık çevirisi yok
ÖZKAN VURAL
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Katkılanmış grafen temelli nanomalzemelerin nöral kayıt ve uyarım yeteneğinin araştırılması
Investigation of neural recording and stimulation capability of doped graphene-based nanomaterials
MUHAMMED ZAHİD DOĞAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
BiyoteknolojiHacettepe ÜniversitesiNanoteknoloji ve Nanotıp Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ CEM BAYRAM
DOÇ. DR. DİNÇER GÖKCEN
- AB-initio modelling of oxygen reduction reaction on doped graphene surface in acidic media
Katkılanmış grafen yüzey üzerindeki oksijen indirgenmereaksiyonunun asidik ortamda AB-initio modellenmesi
HASAN OZAN AVCI
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiEnerji Bilim ve Teknoloji Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ADEM TEKİN