Preparation and characterization of silicon thin films
Silisyum ince filmlerinin hazırlanması ve karakterizasyonu
- Tez No: 28624
- Danışmanlar: PROF. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Işıyan Boşalım (Plazma Biriktirme), e-demeti ile Biriktirme, Çığlama (Sputtering), Silisyum ince Film (amorf, polikristal), Schottky Diyod, Admittans, Isıl Uyarılma Özdirenç, Kızıl-ötesi Sogrulma, x-ışın Analizi, Isıl (Termal) Sığa, Foto Sığa, Kimyasal buhar çöktürme, Silisyum, İnce filmler, Glow Discharge (Plasma Deposition), e-gun Deposition, Sputtering, Silicon Thin Film (amorphous, polycrystalline), Schottky Diode, Admittance, Thermal Activation of Resistivity, Infra-red Absorbtion, x-ray Analysis, Thermal Capacitance, Photo Capacitance. Science Coder 404.05.01 IV, Chemical vapor deposition, Silicon, Thin films
- Yıl: 1993
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Düşük basınçlı kimyasal buhar biriktirme (LPCVD) düzeneği, gaz, sıcaklık ve basınç denetim birimleriyle birlikte yerel olanaklarla gerçekleştirildi. Poli-kristal silisyum filmler bu düzenekte büyütülerek poli-silisyum geçitli MOS yapılara uyarlandı. Hem yerelleşmiş oksit yükleri hem de ara yüz durum yoğunlukları sığa ve iletkenlik yöntemleriyle karşılaştırmalı olarak çıkarıldı. Işıyan boşalım sistemi, gerekli bütün yan çevre birimleriyle birlikte kuruldu; ayarlanıp, fosfor katkılı hidrojenlenmiş amorf silisyum (n tipi a-Si:H) ince film büyütülmesi için kalibre edildi. Bu doğrultuda, elektron demeti ve iyon çığlama (sputtering) düzenekleri kuruldu ve krom (Cr), paladyum (Pd) gibi parlak metallerin buharlaştırılabilmesi için ayarlandı. Yukarıda sözü edilen düzenekler kullanılarak fosfor katkılanmış a-Si:H filmler üzerine Pd ve Cr Schottky engelleri üretildi. Schottky engelinin uzay yükü bölgesi admitansına dayanan çeşitli karakterizasyon teknikleri uygulanıp geliştirilerek üretilmiş olan katkılı a-Si:H filmlerin yasak enerji aralığındakiderin yerel elektronik durumların dağılımını incelemek için kullanıldı.
Özet (Çeviri)
A low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) system with gas handling, temperature and pressure control units was built by local facilities. Polycrystalline silicon films were grown and optimized for polysilicon gate MOS structure in this system. Both oxide local charge and interface state densities of the produced MOS structure were evaluated comparatively by steady state high-low frequency capacitance and conductance techniques. A glow discharge system with all necessary peripheral units has been installed, adjusted and calibrated for growing phosphorus doped hydrogenated amorphous silicon (n-type a-Si:H) thin films. Parallelly, an electron gun and a sputtering units have been installed and calibrated for refractory metal evaporation, such as chromium (Cr) and palladium (Pd). Pd and Cr Schottky barrier structures of doped a-Si:H films were fabricated by using the above mentioned systems. Different characterizing techniques based on the admittance associated with the Schottky barrier space charge region (such as steady state capacitance vs. voltage, capacitance (or conductance) vs. temperature for various mfrequencies, deep level transient spectroscopy, double beam photocapacitance spectroscopy) were developed, and used for investigating deep localized electronic states distributed within the pseudo-gap of doped a-Si:H films at hand.
Benzer Tezler
- Katkılı ve katkısız çinko oksit (ZnO) ince filmlerin hazırlanması ve karakterizasyonu
Preparation and characterization of doped and undoped zinc oxide (ZnO) thin films
İDRİS SORAR
Doktora
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FATMA Z. TEPEHAN
- Polikristal Si ince filmlerin hazırlanması ve özelliklerinin incelenmesi
Preparation of polycrystalline silicon thin films and investigation of their properties
HATİCE OKUSAL ERTAŞ
Doktora
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET ARI
- Farklı uzunlukta alkil zinciri bulunduran inorganik ligandların Langmuir-Blodgett ince filmlerinin hazırlanması ve uygulamaları
Preparation and application of Langmuir-Blodgett thin films of inorganic ligands with various alkyl chains
LEYLA GÜRFİDAN
- Growth and characterization of thermol SİO2 thin films
Başlık çevirisi yok
MERAL ÇELİK
Yüksek Lisans
İngilizce
1987
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiDOÇ. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU
- Synthesis of nanocomposites thin films and characterization of mechanical properties
Nanokompozi̇t i̇nce fi̇lmleri̇n sentezi̇ ve mekani̇k özelli̇kleri̇ni̇n karakteri̇zasyonu
İSMAİL HAKKI CENGİZHAN KARBAY
Yüksek Lisans
İngilizce
2014
Mühendislik Bilimleriİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ESRA ÖZKAN ZAYİM