Geri Dön

Arayüz oksit tabakası ve seri dirence sahip ruln-Si schottky diyod parametrelerinin doğru beslem I-V ve C-V karakteristiklerinden hesaplanması

Başlık çevirisi mevcut değil.

  1. Tez No: 76277
  2. Yazar: ÖZKAN VURAL
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 1998
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 73

Özet

ARA YÜZEY OKSİT TABAKASI VE SERİ DİRENCE SAHİP Au/n-Si SCHOTTKY DİYOT PARAMETRELERİNİN DOĞRU BESLEM I-V VE C-V KARAKTERİSTİKLERİNDEN HESAPLANMASI (Yüksek Lisans Tezi) Özkan VURAL GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ TEMMUZ 1998 ÖZET Bu çalışmada LPE (Liquid-Phase-Epitaxy) tekniği ile büyütülmüş [100] yönelimine sahip 0,01 fi.cm özdirençli fosfor(P) katkılanmış n+ taban malzemesi üzerine 15 jım kalınlığında 2 Q.cm özdirençli, antimon(Sb) katkılanmış n-tipi silisyum(Si) kristali kullanıldı. Ultrasonik banyoda kimyasal olarak temizlenen ve yüksek vakum ortamında hazırlanan Au/n-Si Schottky engel diyodlarmın I-V karakteristiklerinden temel diyod parametreleri olan idealite faktörü(n), doyum akımı (I0), potansiyel engel yüksekliği(OBn) ve seri direnç (Rs) farklı metotlarla hesaplanılarak karşılaştırıldı. Ayrıca hemen hemen tüm elektriksel karakteristikleri etkileyen arayüzey durum yoğunluklan(Nss), I-V karakteristiklerinden yasak enerji aralığının fonksiyonu olarak hesaplandı. Oda sıcaklığındaki doğru beslem I-V grafiğinin orta beslem bölgesindeki lineer kısmının eğiminden idealite faktörü(n) ve bu lineer kısmın sıfır beslemde akım eksenini kestiği nokta olan 6,3.1 0'9 A doyum akım değerinden de potansiyel engel yüksekliği(OBn) sırasıyla 1,22 ve 0,78 eV bulundu. Bu deneysel I-V eğrisine, teorik I-V eğrisinin fit edilmesiyle diyod seridirenci(Rs), idealite faktörü(n) sırasıyla 26 Q ve 1,2 olarak bulundu. Elde edilen sonuçlardan daha emin olabilmek için H. Norde tarafından sunulan ve önce K. Sato ile Yasamura ve sonra da K.E. Bohlin tarafından geliştirilen F(V) fonksiyonu-V grafiğinden de n, Rs ve ®en sırasıyla n=l,25, Rs =25 Q ve ^Bn =0,78 eV bulundu. Buna ilaveten N.W. Cheung ile S. K. Cheung tarafından sunulan H(V)fonksiyonu-I grafiğinin eğiminden n ve Rs sırasıyla 1,27 ve 25,5 Q bulundu. Elde edilen bu sonuçlardan, hazırlanan Au/n-Si Schottky diyodunun hem arayüzey oksit tabakasma hem de bir seri dirence sahip olduğu sonucuna varıldı. Ayrıca idealite faktörü (n) ve potansiyel engel yüksekliği(OBn)'nin voltaja bağlı olduğu düşüncesinden hareket ederek, metal ile yarıiletken arasında yasak enerji aralığına dağılmış arayüzey durum yoğunluklarının profili enerjinin fonksiyonu olarak elde edildi. Bu arayüzey durumları 0.4-0.8 eV yasak enerji aralığına hemen hemen U biçiminde dağılmıştır ve yaklaşık 5. 1012 cm^eV"1 mertebesindedir. Bilim kodu Anahtar kelimeler Sayfa adedi Tez yöneticisi 404.05.01 Arayüzey durumları, seri direnç, ilave kapasitans 59 Yard.Doç.Dr. Şemsettin ALTINDAL

Özet (Çeviri)

m THE CALCULATION OF FORWARD BIAS I-V AND C-V CHARACTERISTICS OF A Au/n-Si SCHOTTKY DIODE PARAMETERS, POSSESSING SERIAL RESISTANCE AND INTERFACIAL OXIDE LAYERS (M.Sc. Thesis) Özkan VURAL GAZİ UNIVERSITY INSTITUDE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY JULY 1998 ABSTRACT In this study antimony (Sb) doped with n-type silicon (Si) crystal, which has 15 pjn thickness and 2 Q cm resistivity, has been used over n+ substrate material phosphor (P) doped with 0,01 Q. cm resistivity which has [100] the direction grown by LPE (Liquid- Phase- Epitaxy) technique. Ideality factor (n), saturation current (I0), potential barrier height (Bn) and serial resistance (Rs) of basic diode parameters from I-V characteristics of Au/n-Si Schottky barrier diodes which were cleaned in ultrasonic bath and prepared under high vacuum medium have been calculated and compared with different methods. Besides interfacial state densities (Nss) which influences almost all of the electrical characteristics have been calculated as the function of banned energy intervals of I-V characteristics. Ideality factor from the slope of linear part in the middle bias are of I-V graphics forward bias under the conditions of room temperature and potential barrier height (O&i) 6.3. 10“9 A saturation current value which is the point that intersects the axis of zero bias current of this linear part have been found 1,22 and 0,78 eV, respectively.IV Diode serial resistance (Rs), ideality factor (n) have been found 26 Q and 1.2, respectively, through fitting of theoretical I-V slope to that experimental I-V slope. In order to be sure about the obtained results n, Rs and Bn have been found n=l,25, Rs =25 Q and Ob”=0,78 eV respectively through F(V) function- V graphics which was presented by H. Norde and developed by K. Sato and Yasamura and K. E. Bohlin. It is found out from these results that prepared Au/n-Si Schottky diode has both interfacial oxide layer and a serial resistance. Besides, profile energy function of interfacial state densities scattered through banned energy intervals between metal and semiconductor, has been obtained by the idea that ideality factor (n) and potential barrier height (Oa,) are bound to voltage. These interfacial positions are scattered like U-type through 0,4 - 0,8 eV banned energy intervals and the result is aboutS.lO^cm^eV"1. Science code Key Words Page Number Adviser 404.05.01 Interfacial state, serial resistance, added capacity 59 Assist. Prof. Şemsettin ALTINDAL

Benzer Tezler

  1. Tez No

    823900

    Sustainable manufacturing of graphene-reinforced polypropylene composites by tailoring compound properties and process techniques

    Grafen takviyeli polipropilen kompozitlerin polimer işleme süreçlerine ve tekniklerine uygun olarak sürdürülebilir üretimi

    GÜLAYŞE ŞAHİN DÜNDAR

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Polimer Bilim ve TeknolojisiSabancı Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. BURCU SANER OKAN

  2. Tez No

    651829

    Hidrojenin zircaloy-4 alaşımının mekanik davranışı üzerindeki etkisinin incelenmesi

    The effect of hydrogen on the mechanical behavior of zircaloy-4 alloy

    MEHMET CEM TOKER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Metalurji MühendisliğiHacettepe Üniversitesi

    Nükleer Enerji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ŞULE ERGÜN

  3. Tez No

    883271

    Perovskite güneş hücresi uygulamaları için nikel oksit (Niox) boşluk transfer tabakasının piridinyum-tabanlı iyonik sıvısı ile modifikasyonu

    Modification of nickel oxide (Niox) hole transfer layer with pyridinium-based ionic liquid for perovskite solar cell applications

    ŞERİFE AKAR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    EnerjiKaramanoğlu Mehmetbey Üniversitesi

    Mühendislik Bilimleri Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ YUNUS EMRE FIRAT

    DOÇ. DR. ERDİ AKMAN

  4. Tez No

    682882

    Resistive random access memory (RRAM) devices

    Direnç esaslı rastgele erişim belleği (RRAM) aygıtları

    BILAL ARIF

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Fizik ve Fizik MühendisliğiFırat Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. FAHRETTİN YAKUPHANOĞLU

  5. Tez No

    823745

    Two dimensional material based field effect transistor for biosensing applications

    Biyoalgılama uygulamaları için iki boyutlu malzeme tabanlı alan etkili transistör

    DİLCE İNANÇ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fotonik Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ÜMİT HAKAN YILDIZ

    PROF. DR. CEM ÇELEBİ

Geri Dön