Geri Dön

Amorf germanyum filimlerin elektriksel iletim özellikleri

Başlık çevirisi mevcut değil.

  1. Tez No: 4601
  2. Yazar: AYNUR ERAY
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ÖZCAN ÖKTÜ
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 1988
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Hacettepe Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 154

Özet

ÖZE" Yüksek vakumda, buhar I ast 2 rina yöntemi ile hazırlanan amorf germanyum filizlerde doğru akım iletkenliği, 80K- 300K sıcaklık aralığında, sıcaklığın ve uygulanan elektrik alanın fonksiyonu olarak ince lemsi stir. Düşük elektrik alanlar için (F < 103 V/cıa), 200K'nin al tındaki sıcaklıklarda iletim. Mot t (1969) tarafından ileri sürülen ve j~^/^ bağımlılığı ile verilen değişken erimli hoplama iletimi yardımıyla açıklanmıştır. Man bağımlı değişken erimli hoplama iletkenliği verileri, Apsley-Kughes (1974, 1975) ve Poiiak-Riess (1976) tara fından geliştirilen iki kurama göre değerlendirilmiştir. Bu değerlendirmeler sonucu, hoplama iletiminin iki önem li parametresi oc-i (yerleşik dalga fonksiyonlarının sö nüm sabiti) ve N(Ep) (Fermi düzeyi civarındaki yerleşik durum yoğunluğu) bulunmuştur. Yaslanma olayının ve tavlama işleminin, değişken erimli hoplama iletkenliği üzerindeki etkisini incelemek amacı ile, farklı taban sıcaklığında hazırlanan a-Ge denekler üzerinde çalışılmıştır. Böylelikle farklı mikroyapıya sahip filimler için, oc_i ve N(Ep) değerleri karsı laştı- rı inmiştir, amorf germanyum fiiimlerdeki homoj ensizlik ler, kuramsal ve deneysel sonuçlar arasındaki farklılı ğın nedeni olabilir.

Özet (Çeviri)

8UMİİ The d.c. conductivity of amorphous Germanium films, pre pared by thermal evaporation in high vacuum, were inves tigated between 80K to 300K as a function of applied electric field. The d.c. conductivity of these films obey Mott's j-1/4 variable range hopping conductivity lav below 200K _ for low (F < İCH V/cik) applied electric fields. The electric field dependent variable range hopping conductivity data was analyzed using the theories developed by Aps ley and Hughes (1975) and by the percolation theory of Fol lak and Riess (1975). The two important parameters of hopping conduction, the localized wave function exponent oc~^ and the density of localized states at the Fermi level N(Ep) were calculated by using these theories. Influence of annealing and ageing on the variable range hopping conductivity of amorphous germanium films, prepared at different substrate temperatures, were also investigated. Hence, the parameters of^ and N(Ep) were calculated on f i Iras of very different structural charac ter. Heterogenities in amorphous germanium films could be a cause ir, the discrepancy between experiment and theory.

Benzer Tezler

  1. Amorf silisyum katkılı schottky diyotların optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    Investigation optical and electrical properties of amorphous silicon doped schottky diodes

    GİZEM ÇELİKOK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. KUBİLAY KUTLU

  2. Crystallization of amorphous Ge thin films by nanosecond pulsed infrared laser

    Amorf Ge ince filmlerin nanosaniye atımlı kızılötesi lazer ile kristalizasyonu

    CEREN KORKUT

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ALPAN BEK

    DR. ÖĞR. ÜYESİ KAMİL ÇINAR

  3. Growth and characterization of Ge thin films

    Ge ince filmlerinin büyütülmesi ve karakterize edilmesi

    ATEF QASRAWİ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1997

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. İBRAHİM GÜRAL

  4. Kızılötesi ışınları algılayan kristal germanyum filmlerin hazırlanması ve karakterizasyonu

    Synthesis and characterization of infrared detecting thin films

    CENGİZ BİRLİKSEVEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1996

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. H. ZAFER DURUSOY

  5. Selenyum bileşikli bazı yarıiletkenlerin çizgisel olmayan optik özellikleri

    Nonlinear optical properties of some semiconductors with selenium compounds

    MUSTAFA YÜKSEK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AYHAN ELMALI