Geri Dön

Crystallization of amorphous Ge thin films by nanosecond pulsed infrared laser

Amorf Ge ince filmlerin nanosaniye atımlı kızılötesi lazer ile kristalizasyonu

  1. Tez No: 782911
  2. Yazar: CEREN KORKUT
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ALPAN BEK, DR. ÖĞR. ÜYESİ KAMİL ÇINAR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2023
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 78

Özet

Kristal yarı iletkenler, amorf bir yapıya göre üstün optik ve elektriksel özelliklere sahiptir; bu nedenle, fotovoltaik uygulamaların önemli bir parçasıdırlar. Darbeli lazer ışınlaması, polikristal germanyum (pc-Ge) büyümesi için uygun maliyetli bir tekniktir. Lazer ile işleme ayrıca bölgesel ve geniş kapsamlı nanokristal yüzey yapılarının üretimini de sağlar. Germanyum yüksek taşıyıcı hareketliliğe sahiptir ve Ge nanokristaller ve mikrokristaller, optik özelliklerinden dolayı optoelektronik uygulamalarda büyük bir potansiyele sahiptir. Lazer akışı ve tarama hızı gibi lazer parametreleri, iyi hizalanmış ve yönlendirilmiş pc-Ge alanlarının oluşturulmasında önemli bir rol oynar. Bu tezde, yüksek kaliteli kristal yapılar oluşturmak için nanosaniye darbeli kızılötesi lazer parametreleri incelenmiştir. Ayrıca, çeşitli kalınlıklarda Ge tabakasının ve alttaşlarının, hâkim olan kristallik mekanizması ve pc-Ge ince filmler üzerinde kusur oluşumu incelenmiştir. Lazerle kristalizasyon, ilave ısıtma alttaşları olmaksızın oda sıcaklığında havada gerçekleştirilmiştir. Bu çalışmanın sonuçları, fotovoltaik ve diğer ince film cihaz uygulamalarında uygulama bulabilen, çatlaksız ve yüksek kaliteli kristalin cihaz kalitesinde ince filmler üretmenin yolunu açmaktadır.

Özet (Çeviri)

Crystalline semiconductors have superior optical and electrical properties to an amorphous structure; therefore, they are an essential part of photovoltaic applications. Pulsed laser irradiation is a cost-effective technique for the growth of polycrystalline germanium (pc-Ge). Laser processing also enables the production of local and wide-ranging nano-crystalline surface structures. Germanium has high carrier mobility, and Ge nanocrystals and microcrystals have a great potential in optoelectronics applications due to their optical properties. Laser parameters such as laser fluence and scan speed play an essential role in forming well-aligned and oriented pc-Ge domains. In this thesis, the nanosecond pulsed infrared laser parameters are investigated to form high-quality crystal structures. Besides, with the improvement of line focus scanning optics and different deposition techniques of Ge thin films, the dominant mechanism of crystallinity, and defect formation on the pc-Ge thin-films are studied. The laser crystallization is applied at room temperature in the air without additional heating substrates. The results of this study pave the way for producing crack-free and high-quality crystalline device-grade thin films, which may find applications in photovoltaics, and other thin film device applications.

Benzer Tezler

  1. Dissent and power: The transformation of the Islamist critique of the state in Turkey since the 1990s

    Muhalefet ve iktidar: Türkiye'de devletin İslamcı eleştirisinin 1990'lardan bu yana dönüşümü

    TALHA KÖSEOĞLU

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Siyasal BilimlerKoç Üniversitesi

    Karşılaştırmalı Tarih ve Toplum Çalışmaları Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ALEXIS SERGE CHARALABOS RAPPAS

  2. Determination of growth and dissolution rate of sodium perborate tetrahydrate in the presence of silica in a fluidized bed reactor

    Akışkan yataklı bir reaktörde silis varlığında sodyum perborat tetrahidratın büyüme ve çözünme hızının belirlenmesi

    DEMET ORHAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Kimya MühendisliğiMarmara Üniversitesi

    Kimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SİBEL TİTİZ SARGUT

    PROF. DR. PERVİZ SAYAN

  3. Investigtion of the kinetic parameters of extracellular alpha-amylase from Bacillus subtilis SDP1 immobilized on alginate beads

    Alginat küreler üzerine immobilize edilmiş, Bacillus subtilis SDP1'den elde edilen alpha-amilazın kinetik parametrelerinin araştırılması

    EDA BAL

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    BiyoteknolojiMarmara Üniversitesi

    Biyomühendislik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. DİLEK KAZAN

  4. Nano boyutta BaSO4 kristallerinin üretiminde deneysel parametrelerin incelenmesi

    Investigation of experimental parameters in the manufacture of nano sized BaSO4 crystals

    MURAT ALPER CEDİMAĞAR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Kimya MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Kimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. EMEL AKYOL

  5. Amorf ve nanokristal yapıda üretilen Cu50Zr40Ni5M5 (M= Al, Y, Ti, Mg, Si) alaşımlarının yapısal, ısısal ve mekaniksel özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of structural, thermal and mechanical properties of amorphous and nanocrystalline Cu50Zr40Ni5M5 (M= Al, Y, Ti, Mg, Si) alloys

    CELAL KURŞUN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSA GÖGEBAKAN