Geri Dön

Crystallization of amorphous Ge thin films by nanosecond pulsed infrared laser

Amorf Ge ince filmlerin nanosaniye atımlı kızılötesi lazer ile kristalizasyonu

  1. Tez No: 782911
  2. Yazar: CEREN KORKUT
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ALPAN BEK, DR. ÖĞR. ÜYESİ KAMİL ÇINAR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Amorf germanyum, Germanyum, Lazerle delme, Polikristal, İnce filmler, Amorphous germanium, Germanium, Laser drilling, Polycrystalline, Thin films
  7. Yıl: 2023
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Kristal yarı iletkenler, amorf bir yapıya göre üstün optik ve elektriksel özelliklere sahiptir; bu nedenle, fotovoltaik uygulamaların önemli bir parçasıdırlar. Darbeli lazer ışınlaması, polikristal germanyum (pc-Ge) büyümesi için uygun maliyetli bir tekniktir. Lazer ile işleme ayrıca bölgesel ve geniş kapsamlı nanokristal yüzey yapılarının üretimini de sağlar. Germanyum yüksek taşıyıcı hareketliliğe sahiptir ve Ge nanokristaller ve mikrokristaller, optik özelliklerinden dolayı optoelektronik uygulamalarda büyük bir potansiyele sahiptir. Lazer akışı ve tarama hızı gibi lazer parametreleri, iyi hizalanmış ve yönlendirilmiş pc-Ge alanlarının oluşturulmasında önemli bir rol oynar. Bu tezde, yüksek kaliteli kristal yapılar oluşturmak için nanosaniye darbeli kızılötesi lazer parametreleri incelenmiştir. Ayrıca, çeşitli kalınlıklarda Ge tabakasının ve alttaşlarının, hâkim olan kristallik mekanizması ve pc-Ge ince filmler üzerinde kusur oluşumu incelenmiştir. Lazerle kristalizasyon, ilave ısıtma alttaşları olmaksızın oda sıcaklığında havada gerçekleştirilmiştir. Bu çalışmanın sonuçları, fotovoltaik ve diğer ince film cihaz uygulamalarında uygulama bulabilen, çatlaksız ve yüksek kaliteli kristalin cihaz kalitesinde ince filmler üretmenin yolunu açmaktadır.

Özet (Çeviri)

Crystalline semiconductors have superior optical and electrical properties to an amorphous structure; therefore, they are an essential part of photovoltaic applications. Pulsed laser irradiation is a cost-effective technique for the growth of polycrystalline germanium (pc-Ge). Laser processing also enables the production of local and wide-ranging nano-crystalline surface structures. Germanium has high carrier mobility, and Ge nanocrystals and microcrystals have a great potential in optoelectronics applications due to their optical properties. Laser parameters such as laser fluence and scan speed play an essential role in forming well-aligned and oriented pc-Ge domains. In this thesis, the nanosecond pulsed infrared laser parameters are investigated to form high-quality crystal structures. Besides, with the improvement of line focus scanning optics and different deposition techniques of Ge thin films, the dominant mechanism of crystallinity, and defect formation on the pc-Ge thin-films are studied. The laser crystallization is applied at room temperature in the air without additional heating substrates. The results of this study pave the way for producing crack-free and high-quality crystalline device-grade thin films, which may find applications in photovoltaics, and other thin film device applications.

Benzer Tezler

  1. Yüksek enerji depolama yoğunluğuna sahip cam seramiklerin geliştirilmesi ve özelliklerinin incelenmesi

    Development of high energy storage density glass ceramics and investigation of the properties

    MUSTAFA DURMAZ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Metalurji MühendisliğiSakarya Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞADUMAN ŞEN

  2. Li2O.ZnO.SiO2 esaslı cam seramiklerinin kontrollü kristalizasyonu ve mekaniksel özellikleri

    The controlled crystallization and mechanical properties of Li2O-ZnO-SiO2 base glasses

    ALTAN ERDOĞAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1993

    Seramik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    DOÇ.DR. ERDEM DEMİRKESEN

  3. Investigation of InP and SiGe nanomaterials via molecular dynamics simulations

    InP ve SiGe nanomalzemelerinin moleküler dinamiği benzetişimleri metodu ile araştırılması

    NADİRE NAYİR

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2018

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞAKİR ERKOÇ

    DR. ÖĞR. ÜYESİ EMRE TAŞCI

  4. Design and fabrication of strained light emitting germanium microstructures by liquid phase epitaxy

    Sıvı faz epitaksi yöntemiyle geliştirilmiş çekme gerinimli ışık saçan germanyum microyapılarının tasarımı ve üretimi

    BUSE ÜNLÜ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Mikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)

    DOÇ. DR. SELÇUK YERCİ

    DR. ÖĞR. ÜYESİ ÇİÇEK HATİCE BOZTUĞ YERCİ