Geri Dön

İnce film CIGSe yüzeylerinin naf biriktirme sonrası fotospektroskopik yöntemlerle incelenmesi

The investigation of CIGSe thin film surface properties after naf post-deposition treatment

  1. Tez No: 468128
  2. Yazar: ALİ VALA MIZRAK
  3. Danışmanlar: PROF. DR. FEHİM FINDIK
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Enerji, Mühendislik Bilimleri, Energy, Engineering Sciences
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2017
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Sakarya Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 68

Özet

Bu çalışmada, NaF biriktirmenin, CIGSe ince film yüzeyler üzerindeki etkisi fotoelektron spektroskopisi yöntemleri kullanılarak araştırılmıştır. Numuneler hazırlanarak sisteme yüklendikten sonra, ölçüm ve kaplama döngüleri boyunca, deneyler nihayete erene kadar çok yüksek vakum şartları asla bozulmamıştır. Yüzey bölgelerdeki kompozisyon değişiklikleri XPS yöntemiyle incelenirken; iş fonksiyonu, ϕ, ve valans bant maksimum, EVBM, değerleri ise UPS yöntemiyle analiz edilmiştir. Bu şekilde, kademeli olarak (0,1 nm) yüzeyde NaF biriktirme sonucu yüzey özelliklerinde meydana gelen değişimler, detaylı bir şekilde araştırılmıştır. HZB'nin bir alt kurumu olan PvcomB tarafından, CIGSe ince film tabakaları, 3 aşamalı co-evaporasyon metoduyla, Mo kaplı soda-kireç cam levhalar üzerinde biriktirilmiştir. Yapılan XRF ölçümü neticesinde, CGI oranı 0,85 olan, yani Cu'ca fakir ince filmler elde edildiği tespit edilmiştir. Numuneler daha sonra, belli ölçülerde ufak dikdörtgen parçalar halinde kesilerek sisteme yüklemeye uygun boyutlara küçültülmüş ve %3'lük KCN (potasyum siyanür) çözeltisi ile 3 dakika süreyle dağlanmış, akabinde ise saf su ile yıkanıp durulanarak, en son yüksek saflıktaki azot gazı akışı altında kurutulmuşlardır. Analiz edilecek olan yüzeylerin kirlenmesine müsaade edilmeden sisteme yüklenen kaplanmamış numunelerin XPS ve UPS ölçümleri yapılmış, ilk ölçümleri takiben, 0,1 nm kalınlığında NaF kaplama, efüzyon hücresi vasıtasıyla, vakum şartları bozulmadan, malzeme yüzeyine tatbik edilmiş ve ölçümler her kaplama basamağında tekrarlanmıştır. Bu döngü, nihai aşamada 0,5 nm kaplama kalınlığı elde edilene kadar tekrar edilmiş ve ölçümler sonlandırılmıştır. Yapılan analizler neticesinde, CIGSe ince film yüzeyler üzerinde NaF biriktirmenin malzeme yüzeyindeki kimyasal kompozisyonu değiştirdiği ve bunun da, malzemenin elektriksel özelliklerine etki ettiği anlaşılmıştır.

Özet (Çeviri)

In this study, the effect of NaF post-deposition treatment on CIGSe surfaces was investigated. After installing the samples into the load lock for XPS/UPS analysis, the UHV condition was never broken. The composition changes on the surface layer was investigated via XPS, besides that work function and valance band maximum were analyzed with UPS. The substrates were taken from an institution named PvcomB, which is a party foundation under HZB. The samples had a CGI ratio of 0,85 which reveals Cu depletion on the surface. After etching the surface with KCN (%3) solution, they were washed wtih püre water and dried under nitrogen gas flow. Afterwars, the samples were loaded into the CISSY which is an analysis system of photoelectron spectroscopy (XPS, UPS). The depositions of NaF were made with the step of 0,1 nm and in total, 0,5 nm of deposition was carried out. Before the depositions and after the depositions, XPS and UPS analysis were made and Al Kα and He I (X-ray and Ultraviolet Photoelectron) sources were used. In conclusion, the XPS/UPS analysis of the NaF deposition onto CIGSe surfaces has revealed out that the NaF deposition changes the chemical composition of the surface which alter the electronic properties.

Benzer Tezler

  1. Efficiency studies of Cu2ZnSnS4 thin film solar cell

    Cu2ZnSnS4 ince film güneş hücrelerinin verim çalışmaları

    ECE MERİÇ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2018

    Enerjiİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Enerji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. LÜTFİ ÖZYÜZER

    DR. ÖĞR. ÜYESİ GÜRCAN ARAL

  2. Farklı azimut açılarındaki teras çatı fotovoltaik sistemlerinin karşılaştırmalı optimizasyonu

    Comparative optimization of terrace roof photovoltaic systems in different azimuth angles

    CÜNEYT KARANİ CÖCEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Enerjiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Enerji Bilim ve Teknoloji Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ BURAK BARUTÇU

  3. İnce film güneş pili uygulamaları için poliimit alt taşların yüzey modifikasyonu, metalizasyonu, bakır-indium-galyum-sülfür soğurucu tabakanın sprey piroliz yöntemi ile büyütülmesi

    Surface modification and metalization of polyimide substrates and deposition of copper-indium-gallium-sulfide thin films via spray pyrolysis for thin film solar cell

    HÜLYA ÜNVER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    EnerjiTOBB Ekonomi ve Teknoloji Üniversitesi

    Mikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. NURDAN DEMİRCİ SANKIR

    PROF. DR. MEHMET PARLAK

  4. Kristal silisyum, CIS tipi ince film ve organik boya esaslı ince film fotovoltaik modül performanslarının karşılaştırılmalı olarak incelenmesi

    Comparative investigation performance of three different solar cell technologies: DSSC versus crystalline and thin film solar cell

    SERKAN KORKMAZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Bilim ve TeknolojiEge Üniversitesi

    Güneş Enerjisi Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. CEYLAN ZAFER

    YRD. DOÇ. DR. ENGİN KARATEPE

  5. Electrochemical deposition and crystal quality enhancement of copper indium diselenide

    Elektroki̇myasal yöntemle bakır i̇ndi̇yum di̇selenür sentezi̇ ve kri̇stal kali̇tesi̇ni̇n artırılması

    SERKAN GÜRBÜZ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2014

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ABDÜLKADİR SEZAİ SARAÇ