Topolojik yalıtkanlar
Topological insulators
- Tez No: 472468
- Danışmanlar: PROF. DR. ARİF BABANLI
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2017
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Süleyman Demirel Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 71
Özet
Bu tez çalışmasında üç boyutlu topolojik malzemelerden Bi2Te3 ve Sb2Te3 bileşiklerinin yapısal ve elektronik özellikleri, yoğunluk fonksiyonel teorisi (DFT) yöntemi kullanılarak incelenmiştir. Topolojik durumların düzenlenmesi veya ayarlanması genellikle katkılama yöntemiyle gerçekleşmektedir. Bu sebeple Bi2-xSbxTe3 kimyasal formülü kullanılarak tek tek atom katkılaması yapılarak üçlü Bi1.66Sb0.33Te3, Bi1.33Sb0.66Te3, BiSbTe3, Bi0.66Sb1.33Te3 ve Bi0.33Sb1.66Te3 bileşikleri elde edilmiştir. Aynı zamanda Bi2-xSbxTe3-ySey kimyasal formülü kullanılarak atom katkılamasıyla Bi1.66Sb0.33Te2.66Se0.33, Bi1.33Sb0.66Te2.33Se0.66, BiSbTe2Se, Bi0.66Sb1.33Te1.66Se1.33 ve Bi0.33Sb1.66Te1.33Se1.66 dörtlü bileşikleri elde edilmiştir. Elde edilen üçlü ve dörtlü bileşiklerin yapısal ve elektronik özellikleri (DFT) yöntemi kullanılarak incelenmiştir. Ayrıca tüm bileşikler de spin-orbital etkileşimi dikkate alınarak band yapıları çıkarılmıştır. Bi2Te3 ve Sb2Te3 yapılarında yasak band enerji aralığı Γ yüksek simetri noktası üzerinde ortaya çıkmış ve burada direkt band aralığı gözlenmiştir. Sb2Se3 için valans bandı ile iletkenlik bandı arasındaki en yakın mesafe K – Γ yüksek simetri noktaları arasında hesaplanmıştır. Band yapıları incelendiğinde, tüm ikili bileşiklerin yarıiletken özellik gösterdiği ortaya çıkmıştır. Tüm üçlü bileşiklerin elektronik özellikleri incelendiğinde ise, yasak band enerji aralığının Γ yüksek simetri noktası üzerinde ortaya çıkmıştır. Tüm üçlü ve dörtlü bileşikler dar-band aralığına sahip yarıiletken karakteri göstermiştir.
Özet (Çeviri)
In this thesis, the structural and electronic properties of 3D topological materials such as Bi2Te3, Sb2Te3 were investigated using density functional theory (DFT) method. As is known, the regulation or regulation of topological situations usually takes place by means of doping. For this reason, ternary Bi1.66Sb0.33Te3, Bi1.33Sb0.66Te3, BiSbTe3, Bi0.66Sb1.33Te3 and Bi0.33Sb1.66Te3 compounds were obtained by performing single atom doped using Bi2-xSbxTe3 chemical formula. Bi1.66Sb0.33Te2.66Se0.33, Bi1.33Sb0.66Te2.33Se0.66, BiSbTe2Se, Bi0.66Sb1.33Te1.66Se1.33 and Bi0.33Sb1.66Te1.33Se1.66 quaternary compounds were also obtained by atoms doped using the Bi2-xSbxTe3-ySey chemical formula. The structural and electronic properties of the obtained ternary and quaternary compounds have been examined. In addition, band structures have been obtained for all compounds included the spin-orbital interaction. In the case of Bi2Te3 and Sb2Te3, the band gap appeared on the symmetry points Γ, where direct band gap is seen. For Sb2Se3 the closest distance between the valence band and the conductivity band is between symmetry points K - Γ. All binary compounds were examined in the band structures exhibit semiconducting properties. When the electronic properties of all the ternary compounds were examined, it has been seen that the band gap appears on the symmetry points Γ. All ternary and quaternary compounds show a semiconductor character with a narrow band gap.
Benzer Tezler
- Topolojik yalıtkanların mekanik özelliklerinin nanoindentasyon yöntemi ile analizi
Nanoindentation approach on the analysis of the mechanical properties of topological insulators
UTKU UZUN
Doktora
Türkçe
2021
Makine MühendisliğiZonguldak Bülent Ecevit ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET YETMEZ
- Atomic and island scale diffusion events on Bi2Te3 (0001) surfaces & ultra-thin Bi2Te3 films on SiO2 substrates
Bi2Te3 (0001) yüzeyinde atomik ve ada ölçeklerinde difüzyon & SiO2 alttaşı üzerinde aşırı-ince Bi2Te3 filmleri
MERT TAŞKIN
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. OĞUZHAN GÜRLÜ
- Mxene kristalleri tabanlı iki boyutlu malzemelerin fiziksel özelliklerinin yoğunluk fonksiyoneli teorisiyle (DFT) incelenmesi
Density functional theory (DFT) investigation of the physical properties of Mxene crystals based two dimensional materials
ERDEM BALCI
Doktora
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SAVAŞ BERBER
- Topological aspects of charge transport in quantum many-body systems
Kuantum çok parçacıklı sistemlerindeki yük taşınımının topolojik yönleri
MOHAMMAD YAHYAVI
Doktora
İngilizce
2019
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. BALAZS HETENYI
- Coherent scattering of helical edge electrons from nuclear spins
Sarmal kenar elekronlarının nükleer spinlerden eşevreli saçılımı
DENİZ BOZ