Geri Dön

Electrical characterization of electron selective titanium dioxide and hole selective molybdenum trioxide heterocontacts on crystalline silicon

Silisyum alttaş üzerınde büyütülmüş, electron geçirgen titanyum dioksit ve hol geçirgen molibden trioksit ince film tabakalarının electriksel karekterizasyonu

PDF İndir

  1. Tez No: 473256
  2. Yazar: DOĞUŞCAN AHİBOZ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. RAŞİT TURAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2017
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Düşük sıcaklıkta üretim ve seçici yük geçirgenliği üstünlüğü taşıyan geçiş metallerinin oksitleri, fotovoltaik güneş gözelerinde geleneksel olarak kullanılan yük taşıyıcı tabakaların umut veren bir alternatifidir. Bu araştırmada, eksik katlı Molibden (III) Oksiti'nin hol geçirgen – elektron engelleyici ve Titanyum (II) Oksiti'nin elektron geçirgen – hol engelleyici tabakalarının elektronik özellikleri çalışıldı. Bu amaç için metal oksitler, n-tipi ve p-tipi silisyum alt taş üzerinde farklı koşullar altında ve tabaka kalınlıklarında Metal - Oksit – Yarı İletken (MOS) Kapasitörler yapmak üzere büyütüldü. MOS kapasitörlerin karakterizasyonu için Admitans Analizi (kapasitans ve iletkenlik yöntemleri) ve Akım – Gerilim yöntemleri kullanılmıştır. Bu çalışmanın sonucunda silisyum – metal oksit ara yüzeyinde ve metal oksit tabakası boyunca en etkili yük iletimini sağlamak için gerekli olan ideal metal oksit tabaka büyütme şartları ve tabaka kalınlığı tespit edilmiştir

Özet (Çeviri)

Transition metal oxides are promising materials as an alternative to the conventional charge transport layers in photovoltaic solar cells with the advantages of carrier selectivity and low processing temperatures. In this study, electronic properties of the hole transporting – electron blocking layer (HT-EBL) of sub-stoichiometric Molybdenum (III) Oxide (MoO3-x) and electron transporting – hole blocking layer (ET-HBL) of Titanium (II) Oxide (TiO2-x) were studied. For this purpose, carrier selective metal oxide layers with different thickness and deposition conditions were deposited over n-type and p-type crystalline silicon wafers in the structure of Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) capacitor. Admittance analysis (capacitance and conductance methods) and current – voltage methods were employed for the characterization of the MOS capacitors. At the end of this study, best deposition condition and the metal oxide thickness for the most effective carrier transportation at the silicon – metal oxide interface and through the metal oxide layer were determined

Benzer Tezler

  1. Tez No

    455355

    Püskürtmeli kurutma ve termal bozunma prosesleri ile ZnO esaslı partiküllerin ve kompozit yapıların sentezlenmesi ve karakterizasyonu

    Characterization and synthesis of ZnO based particles and composite structures via spray drying and thermal decomposition processes

    ŞEYMA DUMAN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    Seramik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. BURAK ÖZKAL

  2. Tez No

    485369

    Nanokompozit yapılı lif tasarımı ve geliştirilmesi

    Design and development of nanocomposite fibers

    NURAY KIZILDAĞ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Tekstil ve Tekstil Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Tekstil Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NURAY UÇAR

  3. Tez No

    224

    Plazma arkı eldesi ve yüzey bölgesi modifikasyonunda kullanılabilirliği

    Başlık çevirisi yok

    ÖZKAN ÖZİPEKLİLER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1986

    Makine MühendisliğiUludağ Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HALİM DEMİRCİ

  4. Tez No

    31

    Realization of transmitter and receiver clock generation units and channel switching unit in a modified analog radio relay

    Değiştirilen bir analog radyodaki verici ve alıcı saat üretimi birimleri ve kanal anahtarlama biriminin gerçekleştirilmesi

    AYHAN BÜYÜKSEMERCİ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1987

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MURAT AŞKAR

  5. Tez No

    33

    New algorithms and techniques for microprocessor-controlled PWM induction drives

    Başlık çevirisi yok

    OSMAN KÜKRER

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    1987

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. H. BÜLENT ERTAN

Geri Dön