Geri Dön

Farklı kapı yalıtkanları üzerine üretilen pentasen tabanlı organik alan etkili transistörlerin elektriksel karakterizasyonu

Electrical characterization of the pentacene based organic field effect transistors deposited on various gate insulators

  1. Tez No: 486645
  2. Yazar: ŞERİF RÜZGAR
  3. Danışmanlar: PROF. DR. MÜJDAT ÇAĞLAR
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2017
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Anadolu Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 175

Özet

Bu tez çalışmasında, termal buharlaştırma yöntemi ile pentasen aktif tabakası farklı kapı yalıtkanları üzerine büyütülerek alt geçit ve üst kontak geometrisine sahip organik alan etkili transistörler (OFET) üretilmiştir. Üretilen OFET'lerin elektriksel performansları üzerinde kapı yalıtkanının etkisini incelemek amacıyla, ticari olarak satın alınan polimetilmetakrilat (PMMA), polivinil alkol (PVA), poli (4-Vinilfenol) (PVP), polistren (PS), poli (4-Metilstren) (P4MS) ve poli (4-vinilfenol-ko-metil metakrilat) (PVP_co_PMMA) organik yalıtkanları kullanılmış ve bu malzemeler sol jel spin kaplama yöntemi ile hazırlanmıştır. Bu malzemeler kapı yalıtkanı olarak tek başlarına kullanılmakla birlikte, aynı zamanda ikili organik/inorganik kapı yalıtkanlarının organik kısmında da kullanılmıştır. Bu ikili yapılarda inorganik kısım olarak sol jel spin kaplama yöntemi ile oluşturulan TiO2 ve anodizasyon yöntemi ile oluşturulan Al2O3 yalıtkanları kullanılmıştır. Hazırlanan Pentasen tabanlı OFET'lerin elektriksel ölçümleri karanlık ortamda gerçekleştirilmiştir. Daha sonra bu transistörlerden tek tabaka polimer yalıtkan temelli transistörlerin elektriksel karakterizasyonları farklı beyaz ışık şiddetleri altında gerçekleştirilmiştir. Hazırlanan OFET'lerin, mobilite, eşik voltajı, açma/kapama oranı, alt-eşik salınım değeri, arayüzey tuzak yoğunluğu, fotoduyarlılık ve fototepki gibi elektriksel parametreleri hesaplanmıştır.

Özet (Çeviri)

In this thesis, thermal evaporated pentacene active layer was deposited on various gate insulators to fabricate organic field effect transistors (OFETs) at bottom-gate top-contact geometry. Commercially purchased polymethyl methacrylate (PMMA), polyvinyl alcohol (PVA), poly(4-vinylphenol) (PVP), polystyrene (PS), poly(4-methyl styrene) (P4MS) and poly(4-vinylphenol-co-methyl methacrylate) (PVP_co_PMMA) gate dielectrics were used to investigate the influence of gate insulator on the OFETs performance and they were prepared by sol gel spin coating method. These materials were used as gate insulators both alone and in the organic part of bilayer organic/inorganic gate insulators. As inorganic gate dielectric parts, Al2O3 insulators formed by the anodization method and TiO2 formed by the spin coating method were used in these bilayer structures. Electrical measurements of the pentacene based OFETs were performed under dark conditions. Then, the electrical characteristics of the monolayer polymer insulator based transistors were investigated under different white illumination intensities. The electrical parameters such as mobility, threshold voltage, on/off ratio, subthreshold voltage, interface trap density, photosensitivity and photoresponsivity of the fabricated OFETs were calculated.

Benzer Tezler

  1. P3HT tabanlı farklı yalıtkan tabakalı ofet karakteristiklerinin incelenmesi

    Investigation of P3HT based ofet fabricated with different gate dielectrics

    DİLEK TAŞKIN GAZİOĞLU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY

    PROF. DR. FATİH DUMLUDAĞ

  2. Nanoelectronics and spintronics with dirac materials: spin properties of graphene, topological insulators, and weyl semimetals

    Dirac malzemeleri ile nanoelektronik ve spintronik: grafen, topolojik yalıtkan ve weyl yarı metallerinin özellikleri

    ALI ASGHARPOUR

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2020

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSabancı Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    Prof. Dr. İNANÇ ADAGİDELİ

  3. Localization phenomena in inas/gasb composite quantum wells with disorder

    Düzensizlik içeren ınas/gasb komposit kuantum kuyularında yerelleştirme olayları

    VAHID SAZGARI ARDAKANI

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSabancı Üniversitesi

    DOÇ. DR. İSMET İNÖNÜ KAYA

  4. Monoblok dolu iç mekân kapılarının bazı teknolojik özelliklerinin belirlenmesi

    The assessment of general technical characteristics of monoblock filled doors used in indoors

    MEHMET SANCAK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Ormancılık ve Orman MühendisliğiZonguldak Karaelmas Üniversitesi

    Orman Endüstri Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. GÖKHAN GÜNDÜZ

  5. Investigation of acoustic and dynamic properties of weatherstrips used in vehicle doors

    Havacılık ve otomotiv sektöründe kullanılan kapı sızdırmazlık elemanlarının akustik ve dinamik özelliklerinin incelenmesi

    ORÇUN SAF

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HALUK EROL