Geri Dön

Structural and ellipsometric properties of GaS(x)Se(1-x) layered mixed crystals

GaS(x)Se(1-x) katmanlı karışım kristallerinin yapısal ve elipsometrik özellikleri

  1. Tez No: 490364
  2. Yazar: OM-ALHANA HABAİBİ
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. MEHMET IŞIK, DOÇ. DR. FİLİZ KORKMAZ ÖZKAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2017
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Atılım Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Uygulamalı Fizik Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 63

Özet

GaSxSe1-x katmanlı karışım kristalleri yapısal ve optiksel karakterizasyon teknikleri kullanılarak incelendi. Bridgman metodu ile büyütülen örneklerin yapısal karakterizasyonu x-ışını kırınımı (XRD), enerji saçılım spektroskopisi (EDS) ve Fourier transform kızılötesi spektroskopisi teknikleri kullanılarak başarıldı. Karışım kristallerinin kompozisyonal bağımlılığı EDS deneyleri ile elde edildi. Ölçümlerin sonuçları, kullanılan örneklerin x değerinin 0.25 aralıklar ile 0 ile 1 arasında olduğu kompozisyona denk geldiğini gösterdi. Örneklerin kristal yapısı XRD ölçümlerinin sonuçlarını ve analiz için bir yazılım programı kullanarak açığa çıkarıldı. FTIR tayfları x=0, 0.25 ve 0.50 kompozisyonlarındaki örneklerin içerisinde çoklu fonon emiliminin var olduğunu gösterdi. XRD ve FTIR deneylerinin sonuçları kullanılan kompozisyonlar arasında ilişkilendirildi. Örneklerin optiksel karakterizasyonu 1.2-6.0 eV spektral aralıpında gerçekleştirilen elipsometri deneyleri ile tamamlandı. Ölçüm sisteminin çıkış datası optiksel parametrelerin spektraş bağımlılığını gösteren dataya çevrildi. Elipsometrik data örneklerin bant boşluğu enerjilerini elde etmek için kullanıldı. Elde edilen bant enerjisi değerleri karışım kristallerinde sülfür kompozisyonu arttıkça bant enerjisinin 2.4 eV'tan (x = 0) 2.57 eV'a (x = 1) arttığını gösterdi. Ortaya çıkarılan bant enerji değerlerine göre bant boşluğu enerjisinin kompozisyona bağlılığını gösteren bir grafik çizildi.

Özet (Çeviri)

GaSxSe1-x layered mixed crystals were investigated using structural and optical characterization techniques. Structural characterization of samples grown by Bridgman method were accomplished using x-ray diffraction (XRD), energy dispersive spectroscopy (EDS) and fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy techniques. Compositional dependence of mixed crystals were obtained from EDS experiments. Results of measurement indicated that used samples correspond to composition of x varying from 0 to 1 by 0.25 intervals. The crystal structures of the samples were revealed using the results of XRD measurements and a software program for analyses. FTIR spectra of the samples indicated the presence of multiphonon absorptions in the samples for compositions of x = 0, 0.25 and 0.50. The results of XRD and FTIR experiments were associated between the used compositions. Optical characterization of the samples were achieved by ellipsometry experiments carried out in the spectral range of 1.2-6.0 eV. The output data of measurement system were converted to data presenting the spectral dependency of optical parameters. Ellipsometric data was used to obtain the band gap energy of the samples. Obtained band gap energy values showed that as sulfur composition is increased in the mixed crystals, band gap energy increases from 2.04 eV (x = 0) to 2.57 eV (x = 1). According to revealed band gap energy values, a graph presenting the compositional dependence of bang gap energy was plotted.

Benzer Tezler

  1. İyon seçici sol-jel film sentezi ve optik sensör olarak kullanmı

    Ion selective sol-gel film synthesis and usage as optical sensor

    MERVE UMUTLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ORHAN GÜNEY

  2. Optical properties of group III-nitride thin films grown by hollow cathode plasma assisted atomic layer deposition

    Oyuk katot plazma destekli atomik katman biriktirme yöntemi ile büyütülen grup III-nitrür ince filmlerinin optik özellikleri

    NEŞE GÜNGÖR

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMarmara Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA ALEVLİ

  3. Ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği ile büyütülen katkısız ve bor katkılı ZnO filmlerinin optiksel, elektriksel, yapısal ve yüzeysel özelliklerinin ġncelenmesi

    Investigation of optical, electrical, structural and surface properties of undoped and boron doped ZnO films deposited by ultrasonic spray pyrolysis technique

    SENİYE KARAKAYA

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ÖMER ÖZBAŞ

  4. Effect of RF magnetron sputtering parameters on electrochromic properties of nickel oxide thin films

    RF magnetron sıçratma parametrelerinin nikel oksit ince filmlerin elektrokromik özelliklerine etkisi

    ECE KURT

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ESRA ZAYİM

    DOÇ. DR. MUSTAFA ALTUN

  5. Farklı gaz ortamlarında tavlanan CdO filmlerinin incelenmesi

    Characterization of CdO films annealed at different gas atmospheres

    KUTAY YAMAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. İDRİS AKYÜZ