Termal tavlama sıcaklığı farklılıklarına dayalı CdO ince filmler ve heteroeklem diyotları
CdO thin films based on the thermal annealing temperature differences and their heterojunction diodes
- Tez No: 492647
- Danışmanlar: DOÇ. DR. MURAT SOYLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2017
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Bingöl Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 74
Özet
Katkısız CdO ince filmler dönel kaplama metodu kullanılarak cam altlık ve p-tip Si wafer üzerine kaplandı. Filmlerin yapısal ve optik özellikleri tavlama sıcaklığının fonksiyonu olarak araştırıldı. X-ışını difraksiyon (XRD) ölçümleri hazırlanan ince filmlerin kübik kristal yapıya sahip CdO'den oluştuğunu ortaya çıkarıyor. İyi kristal kalitesinin sıcaklığa bağlı olduğu görülüyor. CdO ince filmlerin yüzey morfolojisi de karnabahar benzeri bir yapı göstererek, termal tavlama sıcaklığına bağlılık sergiliyor. 250 oC ve 450 oC'lik tavlama sıcaklıkları için ince filmlerin optik bant aralıkları, artan sıcaklık ile bir azalma göstererek, sırasıyla 2.49 eV ve 2.27 eV olarak bulundu. Kırılma indisi, eksiton katsayısı, hacim ve yüzey enerji kaybı gibi optik parametreler, termal tavlama sıcaklığını fonksiyonu olarak spektroskobik ölçümler yardımı ile bulundu. CdO/p-Si heteroeklem yapıları zayıf doğrultucu davranış sergiledi. Diyot parametreleri, farklı sıcaklıklarda tavlanan CdO ince filmler için belirlendi.
Özet (Çeviri)
Undoped CdO films were prepared on glass substrate and p-type silicon wafer using sol–gel spin coating method. The structural and optical properties of the films were investigated as a function of the annealing temperature. X-ray diffraction (XRD) patterns reveal that the films are formed from CdO with cubic crystal structure. It is seen that good crystallinity is due to the annealing temperature. The surface morphology of the CdO films was found to be depending on the annealing temperature, showing cauliflower like structure. Optical band gaps for annealing temperature of 250 °C and 450 °C were found to be 2.49 eV and 2.27 eV, showing a decrease with raising temperature. Optics parameters such as refractive index, extinction coefficient, and volume and surface energy loss were calculated using spectrophotometric measurements as a function of annealing temperature. CdO/p-Si heterojunction structure showed weak rectifying behavior. The diode parameters were found to be depending on annealing temperature.
Benzer Tezler
- Production and characterization of al-CoCrFeNi-M (M=Mo, Cu, Mn) high entropy alloys by combustion synthesis method
Al-CoCrFeNi-M (M=Mo, Cu, Mn) yüksek entropili alaşımlarının yanma sentezi yöntemiyle üretimi ve karakterizasyonu
FARUK KAYA
Doktora
İngilizce
2024
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CEVAT BORA DERİN
- Tl-dikalkojenid katmanlı kristallerdeki optik geçişlerin kaynağı
The origin of optical transitions in Tl-dichalcogenide layer crystals
ASUMAN CENGİZ
Doktora
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY
- Investigation of film forming, optical and electrical properties of AgNPs doped PS/AgNPs composites
AgNPs katkılı PS/AgNPs kompozitlerinin film oluşturma, optiksel ve elektriksel özelliklerinin araştırılması
CAN AKAOĞLU
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ŞAZİYE UĞUR
- CuGaSe2 ince filmlerinin yapısal, elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of structural, electrical and optical properties of CuGaSe2 thin films
H. MELTEM CEYLAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiPamukkale ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. KORAY YILMAZ
- Termal Buharlaştırma Yöntemiyle Üretilen ZnO İnce Filmlerin Karakterizasyonu
Characterization of ZnO Thin Films Produced by Thermal Evaporation Method
ŞAHİN KINAL
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiEge ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ GÖKHAN UTLU