Termal tavlama sıcaklığı farklılıklarına dayalı CdO ince filmler ve heteroeklem diyotları
CdO thin films based on the thermal annealing temperature differences and their heterojunction diodes
- Tez No: 492647
- Danışmanlar: DOÇ. DR. MURAT SOYLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2017
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Bingöl Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Katkısız CdO ince filmler dönel kaplama metodu kullanılarak cam altlık ve p-tip Si wafer üzerine kaplandı. Filmlerin yapısal ve optik özellikleri tavlama sıcaklığının fonksiyonu olarak araştırıldı. X-ışını difraksiyon (XRD) ölçümleri hazırlanan ince filmlerin kübik kristal yapıya sahip CdO'den oluştuğunu ortaya çıkarıyor. İyi kristal kalitesinin sıcaklığa bağlı olduğu görülüyor. CdO ince filmlerin yüzey morfolojisi de karnabahar benzeri bir yapı göstererek, termal tavlama sıcaklığına bağlılık sergiliyor. 250 oC ve 450 oC'lik tavlama sıcaklıkları için ince filmlerin optik bant aralıkları, artan sıcaklık ile bir azalma göstererek, sırasıyla 2.49 eV ve 2.27 eV olarak bulundu. Kırılma indisi, eksiton katsayısı, hacim ve yüzey enerji kaybı gibi optik parametreler, termal tavlama sıcaklığını fonksiyonu olarak spektroskobik ölçümler yardımı ile bulundu. CdO/p-Si heteroeklem yapıları zayıf doğrultucu davranış sergiledi. Diyot parametreleri, farklı sıcaklıklarda tavlanan CdO ince filmler için belirlendi.
Özet (Çeviri)
Undoped CdO films were prepared on glass substrate and p-type silicon wafer using sol–gel spin coating method. The structural and optical properties of the films were investigated as a function of the annealing temperature. X-ray diffraction (XRD) patterns reveal that the films are formed from CdO with cubic crystal structure. It is seen that good crystallinity is due to the annealing temperature. The surface morphology of the CdO films was found to be depending on the annealing temperature, showing cauliflower like structure. Optical band gaps for annealing temperature of 250 °C and 450 °C were found to be 2.49 eV and 2.27 eV, showing a decrease with raising temperature. Optics parameters such as refractive index, extinction coefficient, and volume and surface energy loss were calculated using spectrophotometric measurements as a function of annealing temperature. CdO/p-Si heterojunction structure showed weak rectifying behavior. The diode parameters were found to be depending on annealing temperature.
Benzer Tezler
- Nükleer rezonasta moleküler yapıların incelenmesi (yapısal faz geçiş kuramları üzerine bir inceleme)
Başlık çevirisi yok
ABDURRAHMAN ANDİÇ
Yüksek Lisans
Türkçe
1986
Fizik ve Fizik MühendisliğiUludağ ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYTAÇ YALÇINER
- Çeltik kabuklarının yalıtım malzemesi olarak kullanılması
Başlık çevirisi yok
B.CİHAN ÇELEBİ
Yüksek Lisans
Türkçe
1986
Makine MühendisliğiUludağ ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MEHMET KIRBIYIK
- Nar konsantresinin dondurularak ve kimyasal yöntemlerle saklanması sırasında meydana gelen değişmeler üzerine bir araştırma
Başlık çevirisi yok
İLHAN BODUR
Yüksek Lisans
Türkçe
1985
Gıda MühendisliğiEge ÜniversitesiTarım Ürünleri Teknolojisi Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. YURDAGEL ÜNAL
- Bornova (İzmir) koşullarında çeşitli kültür bitkilerinde zarar yapan Dolycoris baccarum (L.) (Heteroptera: Pentatomidae)'un biyolojisi ve ekolojisi üzerinde araştırmalar
Investigations on the biology and ecology of Dolycoris baccarum (L.) (Heteroptera: Pentatomidae) which attacks to various plants of economic importance at Bornova (İzmir)
YUSUF KARSAVURAN
- Mevcut kaplıca yerleşmelerinin iyileştirilmesini etkileyen faktörler ve Yeni Kaplıca örneği
Adjustment principles of spas in Turkey, Yeni Kaplıca being the sample
DOĞAN ÜMİT YÜCEL