Geri Dön

Fabrication and electrical characterization of CdO thin films: Diode applications

CdO ince filmlerin fabrikasyonu ve karakterizasyonu: Diyot uygulamaları

  1. Tez No: 495390
  2. Yazar: HAREM SALEH KADER KADER
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. MURAT SOYLU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2017
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Bingöl Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 53

Özet

Katkısız CdO ince filmler sol-gel dönel kaplama yöntemi ile cam ve p tip Si altlıklar üzerine büyütüldü. X-ışını difrasiyon (XRD), ultraviolet-visible (UV/Vis) spektroskopisi ve atomik kuvvet mikroskobu materyalin yapısal, optik ve morfolojik özelliklerini araştırmak için kullanıldı. Elde edilen sonuçlardan kübik kristal yapı, nano parçacıklardan oluşan yüzey ve 2.29 eV'luk optik bant aralığı elde edildi. CdO/p-Si heteroeklem yapı, karanlık ve ışık şartları altında gerçekleştirilen akım-voltaj (I-V) ölçümleri ile doğrultucu ve fotodiyot özelliği gösterdi. Foto akımın artan aydınlanma şiddeti ile arttığı gözlendi. CdO/p-Si heteroeklemi foto diyot özelliği gösterirken, 128 meV'luk açık devre voltajı ( the open circuit voltage, Voc) göstererek, güneş pili (solar cell) özelliğinin zayıf olduğu görüldü. CdO/p-Si heteroeklemi '1' den büyük idealite faktörü ile ideal olmayan diyot davranışı gösterdi.Bu durum arayüzey tabakasına, arayüzey hallerine ve seri dirence atfedildi. Sonuçlar CdO/p-Si heteroekleminin oproelektronik uygulamalarda bir fotodiyot olarak kullanılabileceğini gösteriyor.

Özet (Çeviri)

CdO thin films were deposited on p-Si and glass substrates by sol-gel spin coating method. X-ray diffraction (XRD), ultraviolet-visible (UV/Vis) spectrophotometer and atomic force microscopy (AFM) were used to investiate some properties of material. From these data, cubic crystal structure, surface consisting of nanoparticles and the band gap of 2.29 eV were confirmed, resepectively. CdO/p-Si heterojunction shows rectifying and photodiode behavior, evaluating the current-voltage (I-V) characteristics in dark and under light. The photocurrent increases with increasing illuminating intensity. While CdO/p-Si heterojunction shows photodiode property, solar cell performance need to improve, showing the open circuit voltage (Voc) of 128 meV. CdO/p-Si heterojunction diodes exhibited a non-ideal behavior with the ideality factor greater than unity that could be ascribed to the interfacial layer, interface states and series resistance. Results shows that CdO/p-Si heterojunction can be used as a photodetector in the optoelectronic applications.

Benzer Tezler

  1. Fabrication of CdS quantum dots and nanostructure ZnO based photodetectors

    CdS kuantum noktaları ve nanoyapılı ZnO esaslı foto dedektörlerin üretilmesi

    BESTOON ANWER HAMAD AMEEN HAMAD AMEEN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2018

    BiyomühendislikKahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi

    Biyomühendislik ve Bilimleri Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ABDULKADİR YILDIZ

    PROF. DR. FAHRETTİN YAKUPHANOĞLU

  2. İki bileşenli ZnCdO fotodiyotların üretilmesi ve elektriksel karakterizasyonu

    Fabrication and electrical characterization of two component ZnCdO photodiodes

    AHMET ŞEVİK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKırklareli Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ BURHAN COŞKUN

    PROF. DR. MURAT SOYLU

  3. CdO/p-Si heteroeklem fotodedektörlerin üretilmesi ve elektriksel karakterizasyonu

    Fabrication of heterojunction CdO/p-Si photodetectors and their electrical characterization

    SELİN DUGAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKırklareli Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ BURHAN COŞKUN

    DR. ÖĞR. ÜYESİ MÜMİN MEHMET KOÇ

  4. Üç bileşenli metal oksit yarıiletken fotodiyotların üretilmesi ve elektriksel özellikleri

    Fabrication and electrical characterization of ternary metal oxide semiconductor photodiodes

    GÜLŞAH TUNCEL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Mühendislik BilimleriKahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞÜKRÜ KARATAŞ

  5. Fabrication and electrical characterization of Cu/n-Si schottky contacts by creating H-terminated surface

    H-sonlanmış yüzey ile Cu/n-Si schottky kontaklarının üretimi ve elektriksel karakterizasyonu--sent from gmail mobile

    SHKAR DALSHAD HAMEED

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Fizik ve Fizik MühendisliğiVan Yüzüncü Yıl Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CABİR TEMİRCİ