Fabrication and electrical characterization of CdO thin films: Diode applications
CdO ince filmlerin fabrikasyonu ve karakterizasyonu: Diyot uygulamaları
- Tez No: 495390
- Danışmanlar: DOÇ. DR. MURAT SOYLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2017
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Bingöl Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 53
Özet
Katkısız CdO ince filmler sol-gel dönel kaplama yöntemi ile cam ve p tip Si altlıklar üzerine büyütüldü. X-ışını difrasiyon (XRD), ultraviolet-visible (UV/Vis) spektroskopisi ve atomik kuvvet mikroskobu materyalin yapısal, optik ve morfolojik özelliklerini araştırmak için kullanıldı. Elde edilen sonuçlardan kübik kristal yapı, nano parçacıklardan oluşan yüzey ve 2.29 eV'luk optik bant aralığı elde edildi. CdO/p-Si heteroeklem yapı, karanlık ve ışık şartları altında gerçekleştirilen akım-voltaj (I-V) ölçümleri ile doğrultucu ve fotodiyot özelliği gösterdi. Foto akımın artan aydınlanma şiddeti ile arttığı gözlendi. CdO/p-Si heteroeklemi foto diyot özelliği gösterirken, 128 meV'luk açık devre voltajı ( the open circuit voltage, Voc) göstererek, güneş pili (solar cell) özelliğinin zayıf olduğu görüldü. CdO/p-Si heteroeklemi '1' den büyük idealite faktörü ile ideal olmayan diyot davranışı gösterdi.Bu durum arayüzey tabakasına, arayüzey hallerine ve seri dirence atfedildi. Sonuçlar CdO/p-Si heteroekleminin oproelektronik uygulamalarda bir fotodiyot olarak kullanılabileceğini gösteriyor.
Özet (Çeviri)
CdO thin films were deposited on p-Si and glass substrates by sol-gel spin coating method. X-ray diffraction (XRD), ultraviolet-visible (UV/Vis) spectrophotometer and atomic force microscopy (AFM) were used to investiate some properties of material. From these data, cubic crystal structure, surface consisting of nanoparticles and the band gap of 2.29 eV were confirmed, resepectively. CdO/p-Si heterojunction shows rectifying and photodiode behavior, evaluating the current-voltage (I-V) characteristics in dark and under light. The photocurrent increases with increasing illuminating intensity. While CdO/p-Si heterojunction shows photodiode property, solar cell performance need to improve, showing the open circuit voltage (Voc) of 128 meV. CdO/p-Si heterojunction diodes exhibited a non-ideal behavior with the ideality factor greater than unity that could be ascribed to the interfacial layer, interface states and series resistance. Results shows that CdO/p-Si heterojunction can be used as a photodetector in the optoelectronic applications.
Benzer Tezler
- Fabrication of CdS quantum dots and nanostructure ZnO based photodetectors
CdS kuantum noktaları ve nanoyapılı ZnO esaslı foto dedektörlerin üretilmesi
BESTOON ANWER HAMAD AMEEN HAMAD AMEEN
Doktora
İngilizce
2018
BiyomühendislikKahramanmaraş Sütçü İmam ÜniversitesiBiyomühendislik ve Bilimleri Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDULKADİR YILDIZ
PROF. DR. FAHRETTİN YAKUPHANOĞLU
- İki bileşenli ZnCdO fotodiyotların üretilmesi ve elektriksel karakterizasyonu
Fabrication and electrical characterization of two component ZnCdO photodiodes
AHMET ŞEVİK
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiKırklareli ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ BURHAN COŞKUN
PROF. DR. MURAT SOYLU
- CdO/p-Si heteroeklem fotodedektörlerin üretilmesi ve elektriksel karakterizasyonu
Fabrication of heterojunction CdO/p-Si photodetectors and their electrical characterization
SELİN DUGAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiKırklareli ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ BURHAN COŞKUN
DR. ÖĞR. ÜYESİ MÜMİN MEHMET KOÇ
- Üç bileşenli metal oksit yarıiletken fotodiyotların üretilmesi ve elektriksel özellikleri
Fabrication and electrical characterization of ternary metal oxide semiconductor photodiodes
GÜLŞAH TUNCEL
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Mühendislik BilimleriKahramanmaraş Sütçü İmam ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞÜKRÜ KARATAŞ
- Fabrication and electrical characterization of Cu/n-Si schottky contacts by creating H-terminated surface
H-sonlanmış yüzey ile Cu/n-Si schottky kontaklarının üretimi ve elektriksel karakterizasyonu--sent from gmail mobile
SHKAR DALSHAD HAMEED
Yüksek Lisans
İngilizce
2021
Fizik ve Fizik MühendisliğiVan Yüzüncü Yıl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CABİR TEMİRCİ