CdO/p-Si heteroeklem fotodedektörlerin üretilmesi ve elektriksel karakterizasyonu
Fabrication of heterojunction CdO/p-Si photodetectors and their electrical characterization
- Tez No: 572411
- Danışmanlar: DR. ÖĞR. ÜYESİ BURHAN COŞKUN, DR. ÖĞR. ÜYESİ MÜMİN MEHMET KOÇ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2019
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Kırklareli Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Fizik Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 81
Özet
Bu çalışmada, katkısız ve % 0,2, % 6 ve % 10 Mn katkılı CdO ince filmler Sol-jel metoduyla Silisyum altlıklar üzerine oda sıcaklığında büyütüldü. Elde edilen CdO ince filmlerin yüzeysel, elektriksel ve optiksel özellikleri araştırıldı. Numunelerin yüzeysel özelliği Atomik Kuvvet Mikroskobu (AFM) ile incelendi. AFM yardımıyla ölçülen numunelerin yapısal özelliklerinin granüler yapıda olduğu ve altlıkların üzerinde homojen bir şekilde depolandığı görüldü. Büyütülen ince film numunelerinin elektriksel özelliklerinin incelenmesi amacıyla, Akım- Voltaj (I-V), Kapasitans- Voltaj (C-V) ve Akım-Zaman (I-t) ölçümleri farklı ışık şiddetleri altındaki aydınlatmalarda yapıldı ve numunelerin doğrultucu özellik gösterdiği belirlendi. Güneş ışığı altında fotodiyotların fotoakımı, artan ışık şiddeti ile arttığı ve ışık yok iken ilk değerine geri döndüğü, fotodiyotların artan frekans karşısında azalan kapasitans değeri gösterdiği tespit edildi. İnce filmlerin optik özellikleri UV-vis spektrofotometrisi kullanılarak ölçüldü ve yasak enerji aralığı, yansıma spektrumları kullanılarak hesaplandı.
Özet (Çeviri)
In this study, undoped Cd0, %0.2 Mn doped CdO, %6 Mn doped CdO and %10 Mn doped CdO thin films were deposited on Si substrate. Films were produced by Sol-Gel method at room temperature. Surface properties of the samples were investigated by using atomic force microscopy (AFM). AFM results indicated that CdO formed in the granular structure on the substrate and spread homogeneously on the substrate surface. To assess the electrical properties of the thin films Current – Voltage (I-V), Capacitance – Voltage (C-V), Current – Time (I-t) measurements were performed in different illumination intensities. It was also seen that samples show corrective properties. It was evidenced that the photocurrent of photodiodes shows increasing properties with increasing illumination intensities. When the light source was shut off, the photocurrent properties return to the initial state. It was also noted that photodiodes show decreasing characteristics with increasing frequency. Optical properties of the thin films were measured by using UV-vis spectrophotometry and band gap energies were calculated using reflectance spectrum.
Benzer Tezler
- Termal tavlama sıcaklığı farklılıklarına dayalı CdO ince filmler ve heteroeklem diyotları
CdO thin films based on the thermal annealing temperature differences and their heterojunction diodes
TÜRKAN YAZICI
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiBingöl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MURAT SOYLU
- Fabrication and electrical characterization of CdO thin films: Diode applications
CdO ince filmlerin fabrikasyonu ve karakterizasyonu: Diyot uygulamaları
HAREM SALEH KADER KADER
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiBingöl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MURAT SOYLU
- Thiourea katkılı CdO fotoaktif malzeme geliştirilmesi
Development of thioure added CdO photoactive material
HARUN KOÇUK
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiBingöl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MURAT SOYLU
- Sol jel spin kaplama yöntemiyle elde edilen nano yapılı metal oksit filmlerinin fiziksel karakterizasyonu
Physical characterization of nano structure metal oxide films deposited by sol gel spin coating method
SEVAL AKSOY
Doktora
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiKatıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YASEMİN ÇAĞLAR
- Y:CdO/p-Si heteroeklemin elektriksel ve fotoelektriksel özelliklerinin belirlenmesi
Determination of electrical and photoelectrical properties of Y:CdO/p-Si heterojunction
MURAT TOKUŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. YUSUF SELİM OCAK