Geri Dön

CdO/p-Si heteroeklem fotodedektörlerin üretilmesi ve elektriksel karakterizasyonu

Fabrication of heterojunction CdO/p-Si photodetectors and their electrical characterization

  1. Tez No: 572411
  2. Yazar: SELİN DUGAN
  3. Danışmanlar: DR. ÖĞR. ÜYESİ BURHAN COŞKUN, DR. ÖĞR. ÜYESİ MÜMİN MEHMET KOÇ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2019
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Kırklareli Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Fizik Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 81

Özet

Bu çalışmada, katkısız ve % 0,2, % 6 ve % 10 Mn katkılı CdO ince filmler Sol-jel metoduyla Silisyum altlıklar üzerine oda sıcaklığında büyütüldü. Elde edilen CdO ince filmlerin yüzeysel, elektriksel ve optiksel özellikleri araştırıldı. Numunelerin yüzeysel özelliği Atomik Kuvvet Mikroskobu (AFM) ile incelendi. AFM yardımıyla ölçülen numunelerin yapısal özelliklerinin granüler yapıda olduğu ve altlıkların üzerinde homojen bir şekilde depolandığı görüldü. Büyütülen ince film numunelerinin elektriksel özelliklerinin incelenmesi amacıyla, Akım- Voltaj (I-V), Kapasitans- Voltaj (C-V) ve Akım-Zaman (I-t) ölçümleri farklı ışık şiddetleri altındaki aydınlatmalarda yapıldı ve numunelerin doğrultucu özellik gösterdiği belirlendi. Güneş ışığı altında fotodiyotların fotoakımı, artan ışık şiddeti ile arttığı ve ışık yok iken ilk değerine geri döndüğü, fotodiyotların artan frekans karşısında azalan kapasitans değeri gösterdiği tespit edildi. İnce filmlerin optik özellikleri UV-vis spektrofotometrisi kullanılarak ölçüldü ve yasak enerji aralığı, yansıma spektrumları kullanılarak hesaplandı.

Özet (Çeviri)

In this study, undoped Cd0, %0.2 Mn doped CdO, %6 Mn doped CdO and %10 Mn doped CdO thin films were deposited on Si substrate. Films were produced by Sol-Gel method at room temperature. Surface properties of the samples were investigated by using atomic force microscopy (AFM). AFM results indicated that CdO formed in the granular structure on the substrate and spread homogeneously on the substrate surface. To assess the electrical properties of the thin films Current – Voltage (I-V), Capacitance – Voltage (C-V), Current – Time (I-t) measurements were performed in different illumination intensities. It was also seen that samples show corrective properties. It was evidenced that the photocurrent of photodiodes shows increasing properties with increasing illumination intensities. When the light source was shut off, the photocurrent properties return to the initial state. It was also noted that photodiodes show decreasing characteristics with increasing frequency. Optical properties of the thin films were measured by using UV-vis spectrophotometry and band gap energies were calculated using reflectance spectrum.

Benzer Tezler

  1. Termal tavlama sıcaklığı farklılıklarına dayalı CdO ince filmler ve heteroeklem diyotları

    CdO thin films based on the thermal annealing temperature differences and their heterojunction diodes

    TÜRKAN YAZICI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBingöl Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MURAT SOYLU

  2. Fabrication and electrical characterization of CdO thin films: Diode applications

    CdO ince filmlerin fabrikasyonu ve karakterizasyonu: Diyot uygulamaları

    HAREM SALEH KADER KADER

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBingöl Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MURAT SOYLU

  3. Thiourea katkılı CdO fotoaktif malzeme geliştirilmesi

    Development of thioure added CdO photoactive material

    HARUN KOÇUK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBingöl Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MURAT SOYLU

  4. Sol jel spin kaplama yöntemiyle elde edilen nano yapılı metal oksit filmlerinin fiziksel karakterizasyonu

    Physical characterization of nano structure metal oxide films deposited by sol gel spin coating method

    SEVAL AKSOY

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu Üniversitesi

    Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. YASEMİN ÇAĞLAR

  5. Y:CdO/p-Si heteroeklemin elektriksel ve fotoelektriksel özelliklerinin belirlenmesi

    Determination of electrical and photoelectrical properties of Y:CdO/p-Si heterojunction

    MURAT TOKUŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. YUSUF SELİM OCAK