Investigation of some physical properties of Ga-doped and (Ga-K)-co-doped CdS thin films
Ga-katkılı ve (Ga-K)-çift katkılı CdS ince filmlerin bazı fiziksel özelliklerinin incelenmesi
- Tez No: 497659
- Danışmanlar: DOÇ. DR. SALİH YILMAZ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Mühendislik Bilimleri, Physics and Physics Engineering, Engineering Sciences
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2018
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Adana Bilim ve Teknoloji Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Nanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 90
Özet
Bu çalışmada, Ga-katkılı CdS ve (Ga-K) çift katkılı CdS ince filmleri kimyasal püskürtme yöntemi ile cam altlıklar üzerinde sentezlendi ve farklı konsantrasyonlarda, yapısal, morfolojik, optik ve elektriksel özellikleri incelendi. İnce film büyütme işlemi için 400 °C'lik sabit bir altlık sıcaklığı seçildi. %2, %4, %6 ve %8 Ga katkısının CdS ince filmleri üzerine etkisi incelendiğinde, %2 Ga katkılı CdS numunesi için daha iyi optik ve elektriksel özellikler elde edildiği görüldü. Bu nedenle, tüm (Ga-K) çift katkılı CdS ince filmleri için Ga katkısı %2'de sabit tutulmuştur. Bununla birlikte, K'nın CdS:Ga ince filmlerinin bazı fiziksel özellikleri üzerindeki etkilerini tespit etmek için, CdS:Ga numunelerindeki K konsantrasyonu seviyesi yüzde bir artışlar ile %1'den %5'e kadar arttırıldı. Tüm ince filmlerin hegzagonal wurtzit yapıda oldukları teyit edildi. Veriler ayrıca, en şiddetli pik olmasında ötürü tercihli yönelimin (101) düzlemi boyunca olduğunu ortaya koymuştur. %5 K içeriği ilave edildikten sonra daha düzgün ve pürüzsüz bir yüzey morfolojisinin elde edildiği görüldü. En iyi optik geçirgenlik değeri, yaklaşık %85 geçirgenlik, %3 ve %4 K seviyelerinde katkılanmış CdS:Ga ince filmlerinde kaydedildi. Örneklerin tümünün optik ve elektriksel olarak incelenmesi neticesinde, %4 K-katkılı CdS:Ga ince filmlerin optoelektronik uygulamalar için daha uygun olduğu sonucuna varılmıştır.
Özet (Çeviri)
In this study, Ga-doped CdS thin films and (Ga-K)-co-doped CdS thin films were synthesized on glass slides via spray pyrolysis route and their structural, morphological, optical and electrical properties at different concentrations were investigated. A constant substrate temperature of 400 °C was selected for thin film growth process. As influences of 2 at.%, 4 at.%, 6 at.% and 8 at.% Ga concentrations on some physical properties of CdS thin films were examined, it was seen that better optical and electrical properties were obtained for 2 at.% Ga-doped CdS sample. Therefore, for all (Ga-K)-co-doped CdS thin films, Ga concentration was fixed to 2 at.%. However, the concentration level of K in CdS:Ga samples was increased from 1 at.% to 5 at.% in an increment of one percent in order to detect of influences of K on some physical properties of CdS:Ga thin films. It was confirmed that all the films had hexagonal wurtzite structure. The data also revealed that the preferred orientation was along (101) plane since it was the most intense peak. It was seen that a more uniform and smooth surface morphology was achieved after adding 5 at.% K content. The best optical transmission value, almost 85% transparency, was recorded in CdS:Ga thin films doped with 3 at.% and 4 at.% K levels. As a result of examining all the samples optically and electrically, it was deduced that 4 at.% K-doped CdS:Ga thin films are more suitable for optoelectronic applications.
Benzer Tezler
- Modülasyon katkılı GaInNAs/gaas kuantum kuyusu yapıların optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmes
Investigation of optical and electrical properties of modulation doped gainnas/GaAs quantum well structures
FAHRETTİN SARCAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AYŞE EROL
- Yarı iletken kuantum nokta yapılarının elektronik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of electronic properties of semiconductor quantum dot structures
MEHMET ŞAHİN
Doktora
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiSelçuk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. MEHMET TOMAK
- LuXO3 (X=Al, Ga, In) perovskit bileşiklerinin temel fiziksel özeliklerinin ab initio yöntemlerle incelenmesi
The investigation of the fundamental physical properties of LuXO3 (X=Al, Ga, In) perovskit compounds using ab initio method
GÖKÇE SÜRÜCÜ
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YASEMİN ÇİFTCİ
- Çimlendirilmiş bazı ilkel buğdayların fonksiyonel özellikleri ile erişte ve ekmek üretiminde kullanılabilirliklerinin araştırılması
Investigation of the functional properties of some germinated ancient wheat and their use in noodle and bread production
TEKMİLE CANKURTARAN KÖMÜRCÜ
Doktora
Türkçe
2021
Gıda MühendisliğiNecmettin Erbakan ÜniversitesiGıda Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NERMİN BİLGİÇLİ
- Non periferal konumlarda florlu gruplar içeren tetra-sübstitüe ftalosiyaninlerin sentezi, fotofizikokimyasal ve biyolojik özelliklerinin incelenmesi
Synthesis and investigation of photophysicochemical and biological activities of tetra substituted phthalocyanines containing fluorinated moieties on non-peripheral positions
ÇETİN ÇELİK