HfO2 ince filmlerin atomik katman biriktirme tekniği ile büyütülmesi ve akım-iletim mekanizmalarının incelenmesi
Deposition of HfO2 thin films by atomic layer deposition technique and investigation of current-transport mechanisms
- Tez No: 502063
- Danışmanlar: PROF. DR. HALİT ALTUNTAŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2017
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Çankırı Karatekin Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 55
Özet
Bu çalışmanın amacı, düşük büyütme sıcaklık aralıklarında atomik katman biriktirme (AKB) yöntemini kullanarak HfO2 (Hafniyum Dioksit) dielektrik ince filmleri üretmek ve elektriksel özelliklerini incelemektir. Bu amaç kapsamında HfO2 dielektik ince filmleri silikon (Si) alttaşlar üzerine 200 °C biriktirme sıcaklığında AKB yöntemi ile kaplandı. Kaplanan dielektrik fillerin elektriksel özelliklerini incelemek ve akım-iletim mekanizmalarını ortaya çıkarmak için Al/HfO2/Si metal-oksit-yarıiletken (MOY) kapasitör yapıları oluşturuldu ve akım-voltaj (I-V) ve kapasitans-voltaj (C-V) ölçümleri yapıldı. Bu ölçüm sonuçları kullanılarak, HfO2 filmlerin dielektrik sabiti 14 ve etkin oksit yük yoğunluğu 2.3x1011 cm-2 olarak hesaplandı. Akım-iletim mekanizmalarının uygulanan elektrik alana güçlü bir şekilde bağlı olduğu ve Schottky emisyon mekanizmasının düşük elektrik alanlarda, tuzak-yardımlı tünelleme mekanizmalarının ise yüksek elektrik alanlarda iletime sebep olduğu bulundu.
Özet (Çeviri)
The aim of this study, to deposit HfO2 (Hafnium dioxide) dielectric thin films by atomic layer deposition (ALD) technique at low growth temperature ranges and investigate the electrical properties of the grown films. For this purpose, HfO2 dielectric thin films were deposited on silicon (Si) substrates by ALD technique at a deposition temperature of 200 °C. To investigate the electrical properties of the deposited dielectric films and reveal current-conduction mechanisms, Al/HfO2/Si metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors were fabricated and current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) measurements were performed. Using these measurement results, the dielectric constant of HfO2 films was calculated as 14 and the effective oxide charge density to be 2.3x1011 cm-2. It was found that the current-conduction mechanisms were strongly dependent on the applied electric field and Shottky emission and trap-assisted tunneling were found as the main conduction mechanisms at low and high electric fields, respectively.
Benzer Tezler
- Atomic layer deposition of III-nitrides and metal oxides; their application in area selective ALD
III-nitratların ve metal oksitlerin atomik katman kaplamısı; bunların alan seçici ALD'deki uygulamaları
ALI HAIDER
Doktora
İngilizce
2017
Bilim ve Teknolojiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
Assist. Prof. AYKUTLU DANA
DR. NECMİ BIYIKLI
- ALD yöntemi kullanılarak üretilmiş ZnO,TiO2 ve HfO2 ince film kaplamaların karakterizasyonu ve diyot özelliklerinin incelenmesi
Characterizations and diode properties of ZnO, TiO2 and HfO2 thin films produced by ALD
YAĞMUR ALTAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Metalurji MühendisliğiGazi ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HAKAN ATEŞ
- Atomic layer deposition of metal oxide thin films and nanostructures
Metal oksit ince film ve nanoyapıların atomik katman kaplama yöntemi ile büyütülmesi
İNCİ DÖNMEZ
Yüksek Lisans
İngilizce
2013
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. NECMİ BIYIKLI
- Sol-jel yöntemiyle üretilen HfO2 ince filmlerin karakterizasyonu
Characterization of sol-gel derived HfO2 thin films
SEDA KOL
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Metalurji MühendisliğiGebze Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AHMET YAVUZ ORAL
- Ultraviyole ışık altında HfO2 yarıiletken numunelerinin gaz algılama özelliklerinin belirlenmesi
Determination of gas sensing properties of HfO2 based semiconductors gas sensors under uv light irradiation
ÖZLEM BARİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SELİM ACAR